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高炜祺

作品数：27 被引量：19H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：霍英东基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 13篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇航空宇航科学...
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 9篇电路
  • 7篇转换器
  • 4篇电流
  • 4篇熔断
  • 4篇熔丝
  • 4篇控制电路
  • 4篇DAC
  • 3篇低功耗
  • 3篇像元
  • 3篇功耗
  • 3篇ADC
  • 2篇低阻
  • 2篇电容
  • 2篇电容失配
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻变化
  • 2篇电阻串联
  • 2篇电阻网络
  • 2篇读出电路
  • 2篇失配

机构

  • 26篇中国电子科技...
  • 1篇西安理工大学
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇重庆电子工程...
  • 1篇中国空间技术...
  • 1篇电子工业部
  • 1篇重庆西南集成...

作者

  • 27篇高炜祺
  • 12篇雷郎成
  • 12篇苏晨
  • 9篇刘凡
  • 8篇万辉
  • 3篇黄文刚
  • 2篇付晓君
  • 2篇曾大富
  • 2篇白璐
  • 1篇张正璠
  • 1篇蒲璞
  • 1篇朱恒静
  • 1篇杨伟
  • 1篇杨媛
  • 1篇张颜林
  • 1篇张红
  • 1篇舒辉然
  • 1篇余宁梅
  • 1篇尹洪剑
  • 1篇蒲佳

传媒

  • 6篇微电子学
  • 2篇空间电子技术
  • 1篇激光与红外
  • 1篇环境技术
  • 1篇电子与封装
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 6篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2001
  • 1篇1997
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可实现非均匀校正和盲元补偿的像元ADC被引量：4
2021年
像元ADC可将红外探测器的电流信号直接转换成对应数字量,在像元阵列之间以数字的方式进行传输和最终输出。本文设计了一种可实现非均匀校正和盲元补偿算法的像元级ADC,避免了在算法级进行非均匀校正和盲元补偿的方式,降低了后续图像处理算法实现的难度,减少了图像处理算法消耗的资源。所提出的像元ADC基于64×64探测器阵列进行了红外焦平面读出芯片的设计,并采用40 nm CMOS工艺进行了流片,单个像元级ADC面积≤30μm×30μm,读出芯片面积约4.5 mm×4.5 mm。流片测试结果表示该像元ADC可实现非均匀校正与盲元补偿,非均匀校正范围可达到34%。
曾岩黄文刚马敏舒高炜祺
关键词：焦平面阵列非均匀校正盲元补偿
一种电流型熔丝控制电路
本发明提供一种电流型熔丝控制电路，包括熔断操作电路、熔丝单元、检测输出电路和控制电路，熔断操作电路直接作用于熔丝单元控制熔丝熔断操作，熔丝单元实现熔丝的熔断操作，检测输出电路检测熔丝状态并将该状态反映到输出端，控制电路通...
郭亮高炜祺杜宇彬雷郎成付晓君刘凡
一种新型电压电流混合加权12位DAC被引量：1
2018年
设计并实现了一种双路12位电压输出型数模转换器(DAC)。采用"10+2"分段式结构,高10位采用开关树电阻串DAC架构,保证了DAC良好的单调性。低2位采用电流舵DAC架构,从整体上减小了DAC的面积。12位DAC未经修调即可实现12位转换精度。该DAC采用0.35μm标准CMOS工艺实现,芯片尺寸为2.59mm×2.09mm。测试结果表明,在电源电压为5V时,DAC的功耗为19.5mW,DNL为-0.2LSB,INL为-2.2LSB,输出建立时间为2.5μs。在采样频率为480kS/s、输出频率为1kHz的条件下,DAC的SFDR为65dB。
刘虹宏陈隆章高炜祺万辉
关键词：数模转换器
混合型高分辨率高速A/D转换器用的铝合金封装
2001年
众所周知,现代先进的电子系统中都广泛应用 A/D 或 D/A 来改善数字处理技术的性能,而混合集成的 A/D 转换器,在动态特性要求高的应用场合,有着广阔的使用前景。高分辨率、高速 A/D 转换器,在封装上有特殊要求,传输延迟,串扰,散热,特性阻抗等都得在封装结构设计中认真考虑。本文介绍用铝合金封装将外壳与散热器融为一体,对缩小体积,减轻重量,提高可靠性,在一些军事应用领域中具有重要意义。
曾大富高炜祺
关键词：模数转换器
一种具有大电流驱动能力的低温漂带隙基准电压源被引量：2
2017年
基于XFAB 0.6μm CMOS工艺,设计了一种具有大电流驱动能力的低温度系数带隙基准电压源。通过设置不同温度系数的电阻的比值,实现带隙基准的2阶曲率补偿。采用新的电路结构,使基准源具有驱动10 m A以上负载电流的能力。经过Hspice仿真验证,常温基准输出电压为2.496 V,-55℃～125℃温度范围内的温度系数是3.1×10^(-6)/℃;低频时,电源电压抑制比为-77.6 d B;供电电压在4～6 V范围内,基准输出电压的线性调整率为0.005%/V;负载电流在0～10m A范围内,基准输出电压波动为219μV,电流源负载调整率为0.022 m V/m A。
尹洪剑万辉高炜祺
关键词：带隙基准曲率补偿电流驱动
电容阵列
本发明提供一种电容阵列，包括多个并联的电容结构，该电容结构包括上极板和下极板，其中上极板包括主上极板和次上极板，主上极板与公共端连接，次上极板接地，且主上极板与下极板构成主电容，次上极板与下极板构成次电容，针对每个电容结...
廖望高炜祺雷郎成刘虹宏赵思源苏晨刘文喆
文献传递
应用于三维IC的积累型NMOS变容二极管
2021年
基于TSV技术,提出了一种应用于三维集成电路的积累型NMOS变容二极管。通过与传统积累型NMOS变容二极管对比,证明了基于TSV的积累型NMOS变容二极管具有电容密度大、集成度高的优点。分析了TSV高度、TSV直径、源区和漏区结深、源区和漏区宽度对所提出变容二极管性能的影响。结果表明,通过增加TSV高度或增大TSV直径都可以提高电容密度;通过减小源、漏区的结深可以提升电压灵敏度;通过增大源、漏区的宽度可以提高空穴对沟道中产生的电子抑制能力。在上述比较中加入了解析模型。最后给出了该变容二极管的工艺流程。
王凤娟陈佳俊万辉高炜祺余宁梅杨媛
关键词：TSV三维集成电路
数字像素读出电路、像素阵列及图像传感器
本发明提供一种数字像素读出电路、像素阵列及图像传感器，在本发明的数字像素读出电路中，通过在数字像素读出电路中加入对振荡器的频率信号进行补偿校正的盲元补偿模块，在像元电路级就实现了盲元补偿，避免了图像算法级进行盲元补偿的方...
曾岩高炜祺黄文刚刘凡
文献传递
一种基于新型寄存器结构的逐次逼近A/D转换器被引量：5
2006年
介绍了一种10位CMOS逐次逼近型A／D转换器。在25kSPS采样频率以下，根据模拟输入端输入的0～10V模拟信号，通过逐次逼近逻辑，将其转化为10位无极性数字码。转换器的SAR寄存器结构采用了一种新的结构来实现D触发器。该转换器采用3μmCMOS工艺制作，信噪比为49dB，积分非线性为±0．5LSB。
张红高炜祺张正璠张官兴
关键词：A/D转换器寄存器
一种抗辐照加固高压DAC的设计
2021年
高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等。通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、NMOS管环栅设计、栅氧工艺优化等方法,而很少分析辐照条件下,电压和电路结构对MOS管阈值和漏电的影响。文章对总剂量辐照条件下,不同电压对MOS器件阈值和漏电的作用进行综合分析;重点研究了MOS器件的不同阈值变化对DAC影响的机理。并提出一种低电源电压的设计思路,有效提高了高压DAC的抗辐照能力。最后,利用内置LDO和输出运放钳位降压的设计,将高压DAC的抗辐照能力提高至50k rad(Si)。
苏晨雷郎成高炜祺
关键词：总剂量辐照
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