马可军
- 作品数：22 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Cd_（1－x）Mn_xTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁被引量：5
- 1994年
- 在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１、０．２、０．３、０．４、０．４５、０．５、０．６、０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律．用单振子模型拟合实验结果，给出了激子能量随组分和温度的变化规律．本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响．
- 王学忠马可军W.Giriat陈辰嘉王荣明阎志成
- 关键词：半磁半导体半导体材料
- MOCVDHgCdTe中杂质的SIMS分析
- 何进杨建荣马可军
- 关键词：三元合金半导体材料质谱法离子微探针分析汞
- 金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器
- 本实用新型提供了一种金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器。在水平式常压开管腔体内,置有石英搁架,外延衬底片放置在搁架上。加热石墨块紧贴衬底,置于衬底片上方。衬底片外延面朝向下面的反应物主气流。在前部的Hg池上方,设...
- 何进俞振中马可军沈寿珍许平
- 文献传递
- CdTe:Sm晶体的红外光谱
- 1991年
- 对掺Sm的CdTe(CdTe:Sm)晶体的红外光谱(400～5000cm^(-1))研究表明其中存在Sm^(2+)和Sm^(3+)两种价态的Sm离子,Sm^(2+)处于晶体的间隙位置,周围为非立方对称的晶体场;Sm^(3+)可以取代Cd原子而位于晶格格点处(C中心),也可以处于晶格间隙位置依其次近邻是否存在Cd空位而分别构成A中心和B中心。B中心和C中心均处于立方对称的晶体场中,经退火(Cd气氛,～600°)A中心消失。
- 韩平马可军刘普霖史国良朱景兵刘卫军沈学础
- 关键词：红外光谱晶体场
- 稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的巨法拉第效应被引量：5
- 1995年
- 在７０－３００Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ为０．０１，０．００３和０．０６的稀磁半导体Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系．首次用多振子模型拟合实验结果，获得了布里渊区Γ点的激子能量Ｅθ和Ｌ点的能隙Ｅ１随组分ｘ的变化规律和Ｅ０的温度关系．讨论了Ｆｅ＋＋离子内部能级间跃迁对实验结果的影响．
- 王学忠王荣明陈辰嘉马可军
- 关键词：稀磁半导体半导体材料
- 长波（8—14um）红外焦平面器件用MoCVDHgCdTe薄膜材料的制备
- 该文在细致分析研制HgcdTe红外焦平面器件如何对晶体材料参数进行选取与控制的基础上，对MoCVD技术生长HgCdTe薄膜材料的技术路线、工艺参数控制、热处理过程等有关内容进行了阐述。文章最后对作者所生长的MoCVD-H...
- 俞振中马可军
- 文献传递
- CdTe:Sm晶体红外吸收光谱的研究
- 1992年
- 本文报道了CdTe: Sm晶体红外吸收光谱的研究结果.根据立方晶体场理论和Sm离子4f能级间的跃迁特性,分析确定了 CdTe:Sm晶体中 Sm^(2+)、Sm^(3+)离子在晶格中的位置类型及其晶体场特性,用点电荷模型计算了不同位置的Sm^(3+)周围的晶体场参数.
- 韩平马可军刘普霖史国良朱景兵刘卫军沈学础
- 关键词：晶体场红外吸收光谱能级跃迁
- 一种可调温度场的加热装置
- 本实用新型提供了一种可调温度场的加热装置,在平面辐射加热装置上设置以二条相平行的轴,在每条轴上设置有一组翅状辐射板,每组辐射板的个数视需要为1至几十个,每个辐射板能绕自己的转轴转动和于不同角度处调节定位,通过调节反射板能...
- 马可军俞振中何进沈寿珍许平匡定波
- 文献传递
- 气垫式衬底旋转装置
- 本实用新型提供了一种金属有机化合物气相沉积技术生长腔气垫式衬底旋转装置。在半圆柱状的基座上配置气垫,气垫和旋片之间用转轴支撑,在旋片上置放衬底。气垫上设置喷气口和涡流状导气槽,旋转驱动气流由基座后面的进气口注入,进入气垫...
- 马可军匡定波何进俞振中沈寿珍许平
- 文献传递
- Zn_(1-x)Co_xS和Zn_(1-x)Ni_xS新吸收谱线的测量与分析
- 1990年
- 在12K和300K下测量了半磁半导体Zn_(0.095)Co_(0.05)S和Zn_(0.97)Ni_(0.03)S的吸收光谱,分别发现3个新的吸收峰。根据晶体场理论和群论分析结果,它们分别对应于Co^(2+)的~4A_2(F)→~2T_1(H)、~4A_2(F)→~2T_1(G)和~4A_2(F)→~2T_2(P)的跃迁吸收及Ni^(2+)的~3T_1(F)→~1A_1(G),~3T_1(F)→~1T_1(G)和~3T_1(F)→~1E(G)的跃迁吸收,并用晶体场理论分析了跃迁的选择定则和跃迁的相对强度。
- 姜山居逸群马可军朱浩荣沈学础顾霞敏
- 关键词：半磁半导体
