陈准
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：东南大学能源与环境学院射频与光电集成电路研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 10Gb/s 0.35μm SiGe BiCMOS伪差分共基极输入前端放大电路的设计
- 2010年
- 采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了应用于10Gb/s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成,两者均采用了差分电路形式。前置放大器由共基输入级和带并联负反馈的放大器组成。跨导放大器中的基本放大器采用共集-共发-共基的组合结构扩展带宽。限幅放大器采用两级Cherry-Hooper结构。芯片面积仅为0.47mm^2。测试结果表明,在3.3V的供电电压下,总功耗为158mW。在输入电压信号25mV时,可以得到清晰对称的眼图。
- 陈准冯军王远卓
- 关键词：限幅放大器SIGEBICMOS工艺共基极
- 10Gbit/s CMOS高增益限幅放大器设计
- 2009年
- 利用UMC 0.13μm CMOS工艺设计了10 Gbit/s CMOS高增益限幅放大器。本次设计采用五级改进的Cherry-Hooper结构来提高电路的带宽增益积,运用两级输出缓冲来减少信号的上升下降时间。后仿真结果表明,在1.2 V的供电电压下,电路的功耗为70.8 mW,获得了58.7 dB的增益和9 GHz的-3 dB带宽。输入动态范围为46 dB(6 mVpp^1 200mVpp)时,输出幅度保持在600 mVpp,上升下降时间(10%~90%)为29 ps。芯片的核心面积仅为285.8μm×148.9μm,总面积为665.3μm×515.3μm。
- 陈准冯军
- 关键词：限幅放大器
