金沈贤
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
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- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- 一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法
- 一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法，属于信息材料技术领域。本发明在基片上制备尖晶石结构铁氧体薄膜之前，先在基片上制备一层Fe<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>缓冲层薄膜，在对尖晶石结构铁氧体薄...
- 钟智勇张怀武荆玉兰刘爽唐晓莉苏桦贾利军金沈贤
- 文献传递
- 缓冲层对钴铁氧体薄膜结构和性能影响
- 钴铁氧体(CoFe2O4)薄膜具有较高的矫顽力与磁晶各向异性,化学稳定性和耐磨损性能,可作为高密度磁记录介质。本论文主要研究了缓冲层对CoFe2O4/Si(100)薄膜微观结构与磁性能的影响,缓冲层分别是Fe3O4和Tb...
- 金沈贤
- 关键词：缓冲层微观结构磁化强度退火温度
- 文献传递
- 锰掺杂钴铁氧体粉体的磁性能和介电性能被引量：4
- 2007年
- 采用传统陶瓷工艺制备了Mn掺杂非正分Co铁氧体Co0.7MnxFe2.3-xO4粉体样品。用X射线衍射仪、振动样品磁强计及阻抗分析仪研究样品的结构、磁性能和介电性能。研究表明:样品均以单相尖晶石结构存在,掺Mn降低了材料Curie温度,也使矫顽力和饱和磁化强度减小,Mn掺量x=0.7时,材料的Curie温度、矫顽力和饱和磁化强度分别为314.5℃,6.9×103A/m和13.1×103A/m,均小于未掺Mn时的值;材料的介电性能也与Mn掺量有关,在一定的频率下,随Mn掺量的增加电阻率先减小后增大,而介电常数和介电损耗则先增大后减小。
- 金沈贤钟智勇张怀武
- 关键词：钴铁氧体锰掺杂磁性能介电性能
- Fe3O4缓冲层对CoFe2O4薄膜磁性能的影响
- 2007年
- 采用射频磁控溅射在基片Si（100）和Fe3O4（20nm）/Si（100）上制备了钴铁氧体（CoFe2O4）薄膜，制备的薄膜在空气气氛中进行300～1000℃的退火处理，采用XRD、VSM分析了薄膜的微结构以及磁性能。结果表明，制备的钴铁氧体薄膜均具有尖晶石结构，Fe3O4缓冲层薄膜促进了钴铁氧体薄膜的结晶，但降低了钴铁氧体薄膜的垂直各向异性和垂直于膜面方向的矫顽力，而钴铁氧体薄膜的磁化强度和矩形度得到了一定的提高。
- 金沈贤钟智勇任学恒张怀武
- 关键词：钴铁氧体磁性薄膜磁性能
- TbFeCo缓冲层对钴铁氧体薄膜的微观结构和磁性能影响被引量：1
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术在非晶TbFeCo缓冲层上制备了钴铁氧体(CoFe2O4)薄膜,并在空气中于300～1000℃退火。采用X射线衍射仪、振动样品磁强计对薄膜的微观结构和磁性能进行表征。研究表明:样品均以单相尖晶石结构存在,在300℃退火时具有(111)择优取向;而高于300℃退火时薄膜的(111)择优取向逐渐消失;在800℃以上退火时出现(400)择优取向。所有薄膜均具有高矫顽力和高垂直各向异性,800℃退火样品垂直于膜面方向具有最大矫顽力832×103A/m,矩形度为0.73,900℃退火时矩形度达0.9。
- 金沈贤钟智勇唐晓莉荆玉兰张怀武
- 关键词：钴铁氧体微观结构磁性能
- Fe3O4缓冲层对CoFe2O4薄膜磁性能的影响
- 采用射频磁控溅射在基片 Si(100)和 FeO (20nm)/Si(100)上制备了钴铁氧体(CoFeO)薄膜,制备的薄膜在空气气氛中进行300～1000℃的退火处理,采用 XRD、VSM 分析了薄膜的微结构以及磁性能...
- 金沈贤钟智勇任学恒张怀武
- 关键词：钴铁氧体磁性薄膜磁性能
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- 一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法
- 一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法，属于信息材料技术领域。本发明在基片上制备尖晶石结构铁氧体薄膜之前，先在基片上制备一层Fe<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>缓冲层薄膜，在对尖晶石结构铁氧体薄...
- 钟智勇张怀武荆玉兰刘爽唐晓莉苏桦贾利军金沈贤
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- 高矫顽力CoFe_2O_4薄膜的研究进展及矫顽力机理分析被引量：5
- 2007年
- 矫顽力是钴铁氧体薄膜作为高密度磁记录以及磁光记录介质的重要指标。本文综述了激光脉冲沉积法和磁控溅射法制备的高矫顽力(大于400kA/m)钴铁氧体薄膜材料的国内外研究进展,并对其高矫顽力的产生机理进行了分析。
- 金沈贤钟智勇张怀武
- 关键词：磁记录磁光记录矫顽力
