赵桂林
- 作品数：43 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 磁性存储器陶瓷封装磁屏蔽设计与抗磁场干扰测试被引量：1
- 2024年
- 磁性随机存取存储器(MRAM)以磁性隧道结(MTJ)作为存储单元来存储信息,并通过外加电流产生磁矩改写MTJ的信息,这种工作原理使得MRAM容易受到外部磁场的干扰,限制了MRAM在强磁场等恶劣环境下的应用。使用COMSOL软件进行仿真,设计并制作了磁屏蔽陶瓷外壳,搭建了基于Xilinx VIRTEX4系列FPGA的MRAM抗磁场干扰能力测试平台,进行了MRAM抗磁干扰能力实验。测试结果表明,采用带磁屏蔽结构的陶瓷外壳进行封装极大地降低了MRAM受外界磁场的干扰程度,所测试芯片的抗磁场干扰能力由35 Oe提高到420 Oe。
- 赵桂林郭永强叶海波王超杨霄垒孙杰杰
- 关键词：磁屏蔽磁性隧道结陶瓷封装
- 一种用于反熔丝FPGA中隔离电路的闭环控制结构
- 本发明公开一种用于反熔丝FPGA中隔离电路的闭环控制结构，属于集成电路领域。本发明采用1#电荷泵来控制NMOS晶体管HVN1开关通断，通过芯片电源将隔离电路的栅电容电压充电到芯片电源电压值附近，解决了2#电荷泵在输出负载...
- 马金龙赵桂林代志双曹靓蔺旭辉杨霄垒孙杰杰
- 文献传递
- 一种应用于P_FLASH型FPGA的配置控制电路
- 本发明公开一种应用于P_FLASH型FPGA的配置控制电路，属于可编程逻辑器件领域，包括字线电路、位线电路、数据读取电路和数据对比校验电路；字线电路中每根字线栅端水平连接P_FLASH存储阵列中对应的每一行P_FLASH...
- 蔺旭辉马金龙曹振吉曹杨曹常锐代志双张长胜曹靓赵桂林
- 一种MTM反熔丝FPGA的编程方法
- 本发明公开一种MTM反熔丝FPGA的编程方法，属于可编程反熔丝技术领域。对于每一个反熔丝的编程，先施加正向编程脉冲，然后再施加反向编程脉冲；其中，对选定编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前，对布线轨线进行预充电；对选定编程...
- 马金龙赵桂林吴素贞隽扬封晴杨霄垒孙杰杰曹靓
- 文献传递
- 一种反熔丝FPGA的片上监测电路
- 本发明公开一种反熔丝FPGA的片上监测电路，属于半导体集成电路技术领域。所述反熔丝FPGA的片上监测电路，包括偶数级的延时单元电路和一个与非门电路；所述延时单元电路相串联后连至所述与非门电路的一个输入端；所述与非门电路的...
- 王文曹靓赵桂林
- 文献传递
- 一种配置存储器错误检测及坏块替换方法、装置及其存储介质
- 本发明涉及一种配置存储器错误检测及坏块替换方法，包括以下步骤：S1、启动检测，检测状态机运转；S2、阵列不同故障检测手法数据写入；S3、不同测试手法读返回数据与原写入数据比对，判断阵列块坏点；S4、阵列读出是否与写入匹配...
- 吴宵赵桂林王文张其笑
- 大规模Flash型FPGA整体功能仿真验证方法研究
- 2025年
- 提出了一种大规模Flash型FPGA整体电路编程后功能仿真验证的方法。通过对核心Flash单元建立数字Verilog等效模型,采用整体数字仿真验证和模拟仿真验证的方法,结合编程功能案例,对器件内部所有的资源模块进行功能仿真验证,并且提出了加快整体电路数字仿真速度的方法。将提出的仿真验证方法成功应用于大规模Flash型FPGA芯片设计验证,得到了正确的验证结果,整体电路仿真验证速度得到了显著提升。
- 蔺旭辉马金龙曹杨熊永生曹靓赵桂林
- 关键词：FLASHFPGAVERILOG
- 应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计被引量：3
- 2023年
- 自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM)以其非易失性、速度快、数据保持时间长等优势被认为是最有潜力的新型存储技术之一。然而,由于磁性隧道结(MTJ)的温度相关性,其隧穿磁阻率(TMR)在高温下会变低,对高可靠灵敏放大器的设计提出了更高的要求。基于2T-2MTJ存储单元,设计了一款可以工作在宽温度范围内的高灵敏度放大器。在-40~125℃的温度范围内,该灵敏放大器在TMR为50%时仍具有较高的灵敏度,保证了STT-MRAM的读可靠性。
- 李嘉威吴楚彬王超孙杰杰杨霄垒赵桂林
- 关键词：灵敏放大器
- 一种用于反熔丝FPGA中隔离电路的控制结构
- 本发明公开一种用于反熔丝FPGA中隔离电路的控制结构，属于集成电路领域，包括控制逻辑模块、振荡器、电荷泵、反相器、零伏电路、NMOS晶体管HVN1和稳压电路；反熔丝FPGA编程过程中，使用零伏电路关闭隔离电路，实现对编程...
- 马金龙赵桂林曹靓蔺旭辉杨霄垒孙杰杰
- 用于反熔丝电路中的隔离保护电路结构
- 本发明公开一种反熔丝电路中的隔离保护电路结构，属于微电子领域，包括PMOS管P3和P4、NMOS管N2和N3、反相器INV2；反相器INV2的输入端输入控制信号，输出端连接PMOS管P4和NMOS管N3的控制栅；PMOS...
- 马金龙赵桂林曹靓蔺旭辉隽扬杨霄垒孙杰杰
