许煜
- 作品数：17 被引量：0H指数：0
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- 一种自增强圆筒式双液体腔结构的耐高温超高压力传感器
- 一种自增强圆筒式双液体腔结构的耐高温超高压力传感器，包括底座，支架套筒连接在底座上，支架套筒设有下充液体孔，承压圆筒置于支架套筒内，其承压孔与底座的通孔对齐，烧结座连接在支架套筒上，烧结座的下台阶孔台开有烧结孔，下台阶孔...
- 赵立波郭鑫薛方正徐廷中许煜苑国英赵玉龙蒋庄德
- 一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法
- 一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法，芯片包括基底中部的薄膜，四条浅槽沿着薄膜上部边缘分布，四条浮雕梁设置于相邻两条浅槽端部之间且与基底相连，浮雕梁的上表面、薄膜的上表面与浅槽的底面组成了梁槽结合台阶式薄膜结构...
- 蒋庄德徐廷中赵立波彭年才王久洪郭鑫许煜苑国英赵玉龙
- 一种分段质量块应力集中结构微压传感器芯片及制备方法
- 一种分段质量块应力集中结构微压传感器芯片及制备方法，传感器芯片包括基底上的薄膜，四条浅槽沿着薄膜上部边缘分布，四个压敏电阻条布置在相邻两条浅槽端部之间，金属引线将四个压敏电阻条连接成半开环惠斯通电桥，四个凸块沿薄膜下部的...
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- 一种多梁式双质量块加速度传感器芯片及其制备方法
- 本发明提供一种多梁式双质量块加速度传感器芯片及其制备方法，传感器芯片采用SOI硅片制造，包括支撑梁、敏感压阻梁以及引线、焊盘等。支撑梁为双端固支梁，其两端固定于芯片外框固支端，支撑梁上对称分布两个质量块，两质量块之间保持...
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- 一种基于谐振式结构的电涡流传感器芯片及其制备方法
- 一种基于谐振式结构的电涡流传感器芯片及其制备方法，芯片包括激励线圈和谐振结构两部分，谐振结构位于芯片中心，拾振电阻中的参考电阻位于芯片周围，检测电阻布置在检测梁上，两组电阻都是一端与连入惠斯通电桥，一端接地；制备方法为：...
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- 一种多梁式超高g值加速度传感器芯片及其制备方法
- 本发明提供一种多梁式超高g值加速度传感器芯片及其制备方法，传感器芯片采用SOI硅片制造，其主要结构包括双端固支的支撑梁、敏感压阻梁以及引线、焊盘等，支撑梁为双端固支梁，其两端固定于芯片外框固支端，芯片中四个敏感压阻梁对称...
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- 基于ZnO纳米线阵列的压力传感器芯片及其制备方法
- 本发明提供一种基于ZnO纳米线阵列的压力传感器芯片及其制备方法，本发明所描述的芯片利用ZnO纳米线作为压力传感器的压电元件，利用ZnO的压电效应将机械能转化为电信号，达到检测压力的目的；由于使用ZnO纳米线作为压电元件，...
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- 一种浮雕式岛膜应力集中结构微压传感器芯片及制备方法
- 一种浮雕式岛膜应力集中结构微压传感器芯片及制备方法，传感器芯片包括基底中部设有的薄膜，四个浮雕岛沿着薄膜上部边缘分布，并通过四个浮雕根部与基底连接，四个压敏电阻条布置在浮雕根部的上表面，金属引线将压敏电阻条相互连接成半开...
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- 基于ZnO纳米线阵列的压力传感器芯片及其制备方法
- 本发明提供一种基于ZnO纳米线阵列的压力传感器芯片及其制备方法，本发明所描述的芯片利用ZnO纳米线作为压力传感器的压电元件，利用ZnO的压电效应将机械能转化为电信号，达到检测压力的目的；由于使用ZnO纳米线作为压电元件，...
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- SOI压阻式面内加速度传感器的交叉灵敏度
- 2019年
- 设计了一种基于绝缘衬底上硅(SOI)片的面内振动压阻式加速度传感器,并针对其交叉灵敏度性能进行了研究,分析得出传感器的灵敏度与压阻微梁的轴向应力呈正比关系,并通过仿真说明该结构形式的加速度传感器具有非常低的交叉灵敏度,对检测方向的输出干扰非常小。进行了工艺加工和实验测试,实验结果表明,该面内振动的压阻式加速度传感器在20℃下,工作方向上的灵敏度为0.67 mV/g,而另外两个非工作方向(x轴和z轴)上的交叉灵敏度分别为7.3×10-4%和6.6×10-4%,对工作方向的加速度检测影响非常小,此结构的设计方法对于高性能的加速度传感器的研究具有重要的参考意义。
- 袁本铸许煜贾琛
- 关键词：面内振动压阻式传感器加速度传感器
