解晓辉
- 作品数：9 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生轻工技术与工程金属学及工艺更多>>
- 一种用于碲镉汞材料的腐蚀液及配制方法
- 本发明公开一种用于碲镉汞材料的腐蚀液及配制方法，该腐蚀液由溴、氢溴酸和乙二醇三种溶液组成。先按比例将氢溴酸溶液倒入乙二醇溶液中，静置5～10分钟，再按比例将溴溶液倒入氢溴酸和乙二醇的混合溶液中，待颜色稳定后，得到碲镉汞材...
- 樊华廖清君刘丹杨勇斌黄悦周松敏孙常鸿解晓辉胡晓宁
- 文献传递
- 分子束外延的CdTe在碲镉汞中波器件中钝化效果
- 2022年
- 采用分子束外延技术(MBE)制备了碲化镉(CdTe)原位钝化的中波碲镉汞(HgCdTe)材料。原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,分子束原位外延的CdTe可见cross-hatch,表面粗糙度为1~2 nm,CdTe和HgCdTe界面结合紧密。微波光导测试结果显示,77 K时,与表面处理后非原位CdTe钝化的HgCdTe材料相比,CdTe原位钝化的HgCdTe材料的少子寿命较大。制备了分子束外延CdTe原位钝化的中波HgCdTe光伏器件,和相同材料上的非原位CdTe/ZnS双层钝化制备的器件I-V特性相似。
- 解晓辉林春陈路赵玉张竞何力
- 关键词：碲化镉原位钝化电压电流特性
- 一种软脆晶体精抛前的预处理方法
- 本发明公开了一种软脆晶体精抛前的预处理方法，该方法包括以下步骤，首先，制作预处理用的模具，然后对模具进行粗磨将其表面磨平，之后对模具进行精抛，完成晶体精抛前的预处理工艺。精抛盘更换新精抛布后，经过本方法预处理后再精抛的晶...
- 张年波林春解晓辉何高胤
- GD08-004HgCdTe甚长波红外光伏器件的光电性能
- 甚长波指的是波长大于14 μm的波段,该波段富含大量的信息,包括大气中的湿度和CO2的含量,以及云层的结构和温度的轮廓,这些对大气遥感探测是必须的。本文采用在ZnCdTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子...
- 解晓辉廖清君杨勇斌马伟平邢雯陈昱周诚胡晓宁
- 关键词：碲镉汞
- 文献传递
- 32×32甚长波红外HgCdTe焦平面器件（英文）被引量：1
- 2017年
- 甚长波红外波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。设计了一种32×32甚长波红外焦平面阵列,采用在ZnCdTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成光敏元,通过铟柱倒焊技术和带有改进型背景抑制结构的读出电路互联,制成截止波长达到14滋m的焦平面器件。该红外焦平面器件像元面积为60滋m×60滋m,工作温度在50 K温度下。测试结果显示:读出电路性能良好,焦平面黑体响应率达到1.35×107V/W,峰值探测率为2.57×10^(10)cmH z^(1/2)/W,响应率非均匀性约为45%,盲元率小于12%。
- 郝立超黄爱波解晓辉李辉赖灿雄陈洪雷魏彦锋丁瑞军
- 关键词：碲镉汞红外焦平面
- 不同的表面处理方法对碲镉汞材料表面和MIS器件性能的影响
- 利用溴乙醇、乳酸乙二醇以及氢溴酸、双氧水和水混合溶液对碲镉汞表面进行腐蚀处理,利用XPS和AFM对其材料表面进行测试分析,获得近表面成分和表面粗糙度等信息。采用这些表面处理方式,制备p型碲镉汞长波MIS器件,进行CV测试...
- 解晓辉樊华廖清君胡晓宁
- 关键词：碲镉汞XPSAFMMIS
- 文献传递
- HgCdTe甚长波红外光伏器件的光电性能被引量：8
- 2013年
- 甚长波指的是波长大于14μm的波段,该波段富含大量的信息,包括大气中的湿度和CO2的含量,以及云层的结构和温度的轮廓,这些对大气遥感探测是必须的。采用在CdZnTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成平面结,制成了在液氮温度下,截止波长达到14μm的单元变面积结构和小的焦平面器件。测试结果显示,甚长波器件有反向的开启现象,可能是甚长波器件表面发生反型造成的。单元变面积器件的测试结果显示,甚长波表面电流与体电流是可以比拟的,即表面漏电较大。而变温测试发现,甚长波器件在温度低于50K时,隧穿电流占主导。在60μm×60μm中心距的小面阵器件中,50μm×50μm的光敏元I-V特性最差。
- 解晓辉廖清君杨勇斌马伟平邢雯陈昱周诚胡晓宁
- 关键词：碲镉汞
- 不同的表面处理方法对碲镉汞材料表面和MIS器件性能的影响
- 利用溴乙醇、乳酸乙二醇以及氢溴酸、双氧水和水混合溶液对碲镉汞表面进行腐蚀处理，利用XPS和AFM对其材料表面进行测试分析，获得近表面成分和表面粗糙度等信息。采用这些表面处理方式，制备p型碲镉汞长波MIS器件，进行CV测试...
- 解晓辉樊华廖清君胡晓宁
- 关键词：碲镉汞XPSAFMMIS器件
- 一种小尺寸焊点阵列的制备方法
- 本发明公布了一种小尺寸焊点阵列的制备方法，该制备方法包括以下步骤，首先，在基底上采用常规光刻工艺制备待长焊点区域开孔的光刻胶，这层光刻胶充当后续工艺的掩膜，称其为光刻胶掩膜，在焊点薄膜制备前，先在光刻好的基底上沉积一层附...
- 解晓辉林春张文杰张锋
