肖海燕
- 作品数：10 被引量：22H指数：3
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”重庆市科委基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术金属学及工艺更多>>
- α-铁中位移级联过程中缺陷的生成和He-空位复合物的形成被引量：8
- 2005年
- 运用分子动力学方法研究了不同He浓度和不同级联能下含He的α-Fe低温时的位移级联过程.模拟的主要撞击原子(PKA)的能量(EP)(即级联能)从500eV变化到5keV,辐照温度为100K,He的浓度从1%变化到5%.比较了不同He浓度下的Fe-He混合物和纯α-Fe的位移级联过程,发现在含有He的α-Fe中总的Fe和He的Frenkel对与纯的α-Fe的Frenkel对的数目相当.当He的浓度较低时,含有He的α-Fe中的Frenkel对比α-Fe的要低,随He的浓度增加,有He的α-Fe中的Frenkel对比α-Fe中的高,这主要与He在金属中的性质有关.本研究证明了位移级联过程可以直接导致He泡的成核.对不同级联能和不同He浓度下Fe的位移级联过程的模拟,发现在同样的级联能下,随着He浓度的增加,He成团的几率增大;在同样的He浓度下,随着级联能的增加,He成团的几率也同样增加,并分析了级联下He泡的形成机制.
- 杨莉祖小涛肖海燕杨树政刘柯钊Fei Gao
- 关键词：FE位移级联分子动力学复合物Α-FE
- Ni(111)((3～(1/2))×(3～(1/2)))R30°表面吸附Sn和Pb的第一性原理研究(英文)
- 用第一性原理的自旋密度泛函理论计算了 Sn 和 Pb 吸附在 Ni(111)((3)×(3))R30°表面的几何构型和功函变化．能量计算表明 Sn 和 Pb 吸附在 Ni(111)((3)×(3))R30°表面形成的最稳...
- 李登峰肖海燕祖小涛董会宁
- 关键词：密度泛函理论表面合金层错
- 文献传递
- MgS晶体结构性质的密度泛函研究被引量：9
- 2005年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)基础上的第一性原理赝势平面波方法对MgS晶体四种构型(B1,B2,B3,B4)的体相性质进行了系统研究.计算结果表明,B1构型的晶体是间接带隙型半导体,而B2,B3和B4构型的晶体则是直接带隙型材料,其中B2构型的带隙宽度最窄,其值为0.42eV.在压力不超过200.3GPa时,B1构型的MgS晶胞是最稳定的,当压力大于该值时,会发生B1构型到B2构型的转化.
- 陈中钧肖海燕祖小涛
- 关键词：第一性原理构型
- 硫钝化GaP(001)表面的结构及电学性质研究
- 2008年
- 基于第一性原理的密度泛函理论,分析了覆盖度为1 ML(monolayer)的硫吸附在磷截止和镓截止的GaP(001)(1×2)表面的结构和电学属性。能量计算表明,最稳定的吸附模型均是SHB+ST4,镓和磷二聚物都被断开,周期单元由(1×2)变成(1×1),硫原子吸附在桥位置,Ga-S键比P-S键更稳定。电学性质分析可知,硫吸附在镓截止GaP表面后能隙中的表面态大幅度减少,而吸附在磷截止的表面时表面态并没有减少且在0.74 eV处多了一个新峰,硫吸附在镓截止表面后的态密度分布与实验结果吻合很好。因此,1 ML的硫吸附在GaP(001)面时表面上最主要形成Ga-S键。
- 李登峰雷跃荣肖海燕祖小涛董会宁
- 关键词：密度泛函理论磷化镓态密度
- 一种提高储氢高熵合金中氢的扩散速率的方法
- 本发明公开了一种提高储氢高熵合金中氢的扩散速率的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用随机化方法建立高熵合金TiZrHfMoNb及其氢化物的模型；(2)使用元素对TiZrHfMoNb掺杂，得到具有不同晶格畸变的体系；...
- 肖海燕胡巨涛
- 文献传递
- 单片CMOS电荷敏感前置放大器研究
- 首先，论文基于电荷敏感放大器的原理，进行了混合型预放大器的分析与研制，以资为后续的单片集成电路做必要的技术储备.其次，出于对单片集成电路功耗、噪声等技术指标的综合考虑，决定应用单端SiCMOSCascode电路模式，和+...
- 肖海燕
- 关键词：电荷灵敏前置放大器低噪声核监测
- 文献传递
- Ni（111）（√3×√3）R30°表面吸附Sn和Pb的第一性原理研究
- 2007年
- 用第一性原理的自旋密度泛函理论计算了Sn和Pb吸附在Ni（111）（√3×√3）R30°表面的几何构型和功函变化。能量计算表明Sn和Pb吸附在（111）（√3×√3）R30°表面形成的最稳定相均是替代吸附，并不存在类似于Sb吸附于Cu（111）（√3×√3）R30°和Ag（111）（√3×√3）R30°。表面时形成的层错现象，验证了以前的实验结果。对于Sn和Pb吸附在Ni（111）（√3×√3）R30°表面形成的最稳定表面合金相，表面弛豫效应都不明显，皱褶幅度分别为0．0548和0．0987nm，都比硬球模型所预言的小，表明Sn-Ni和Pb-Ni金属键含有大量的共价键成分。计算所得的几何参数与实验符合得很好。Sn和Pb在Ni（111）（√3×√3）R30°表面吸附前后的功函变化值分别为0．38和0．433eV，表示电荷均从底物移向吸附物。
- 李登峰肖海燕祖小涛董会宁
- 关键词：密度泛函理论表面合金层错
- Ni(100)表面吸附Sn的第一性原理研究被引量：2
- 2007年
- 用第一性原理的密度泛函理论分析了Sn吸附在Ni(100)表面的几何结构和稳定相吸附前后的功函变化情况。能量计算表明最稳定相是0.5ML(monolayer)的Sn替代Ni(100)表面最外层原子形成c(2×2)结构的合金相,皱褶幅度为0.049nm,与通过低能碱金属离子散射法和低能电子衍射法(LEED)所得到的实验值(0.044±0.005nm)以及全矢量线性平面波法所得理论值(0.036nm)吻合得较好,但与三维电子全息图所得值(0.09nm)和Castep程序所得值(0.018nm)相差很大,Sn在Ni(100)表面吸附前后的功函变化值为0.31eV,表明电荷从底物移向吸附物。
- 李登峰肖海燕祖小涛董会宁
- 关键词：密度泛函理论表面合金
- 低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制(英文)被引量：3
- 2003年
- 提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9 ,低频下输出噪声频谱密度为1.5 mV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近。
- 于奇杨谟华李竞春王向展肖海燕
- 关键词：低噪声电荷放大器低功耗设计低电压CMOS
- BeO高压相变的从头算分子动力学模拟
- 2011年
- 利用从头算分子动力学方法研究了BeO的高压诱导相变,发现,在360GPa压强下纤锌矿(WZ)结构的BeO平稳地相变为岩盐(RS)结构,且没有经过闪锌矿(ZB)结构。相变机制包含模拟胞的单斜变形、沿[2110]方向的原子膨胀以及沿[0110]和[0001]方向的原子收缩。比较研究了闪锌矿(ZB)结构BeO的高压诱导相变。在160 GPa压强下观察到ZB结构的BeO在相变为RS结构之前经过了四角的和单斜的中间相,与其它ZB结构材料在高压下的相变路径一致。
- 段刚王祥见肖海燕
- 关键词：BEO相变
