翟莹
- 作品数：11 被引量：2H指数：1
- 供职机构：温州大学更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 场发射技术在强流真空电子器件中的应用
- 阴极电子源是强流真空电子器件的核心部件,热阴极存在热辐射能耗大、开启时间偏长、高温下材料蒸发等缺陷。以碳纳米管(CNT)为代表的场发射技术在克服热阴极缺陷、提高器件性能上显示了卓越的潜力。本文回顾了基于CNT、场发射阵列...
- 董长昆翟莹
- 关键词：场致发射碳纳米管大功率真空电子器件
- 文献传递
- 含镍金属基底上直接生长碳纳米管场发射阴极的方法
- 本发明公开了一种含镍金属基底上直接生长碳纳米管场发射阴极的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）对含镍金属基底进行化学、超声清洗；（2）对含镍金属基底进行阳极化处理，（3）在含镍金属基底直接进行碳纳米管的化学气相反应生长。...
- 董长昆翟莹王福全
- 文献传递
- 高质量场发射碳纳米材料生长及表征技术研究
- 碳纳米管（CNTs）为中空多孔结构，具有长径比大、机械强度高、化学性能稳定、物理电子性能优越等特点，碳纳米管电极在场电子发射、气体传感、能量储存等领域得到广泛研究和应用。热CVD法具有设备简单、成本低、工艺参数更易控制、...
- 翟莹
- 关键词：碳纳米材料碳纳米管阳极化场发射
- 一种用于碳纳米管生长的金属基底的阳极化工艺
- 本发明公开了一种用于碳纳米管生长的金属基底的阳极化工艺，所述的金属基底为含有碳纳米管化学气相沉积反应的催化金属的金属基底，该催化金属为铁、钴或镍，其工艺步骤包括有：直流电源正极连接金属基底构成阳极，以其他导电基片为阴极，...
- 董长昆翟莹
- 文献传递
- 泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备电池电极的方法
- 本发明公开了一种泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备泡沫镍电池电极的方法，包括以下步骤：（1）选用泡沫镍做碳纳米管化学气相沉积反应的催化与基底材料，对泡沫镍基底进行化学和超声清洁；（2）设置CVD反应装置，并在CVD反应装...
- 董长昆谢非翟莹钱维金
- CVD直接生长技术高效碳纳米管镍氢电池的研究被引量：1
- 2015年
- 采用热化学气相沉积技术(CVD),在泡沫镍表面直接生长多壁碳纳米管(MWNT),以此MWNT-泡沫镍基底为电池集流体,并使用该基底、通过干粉末滚压工艺制备镍氢电池电极,对电池进行了一系列的充放电性能测试。实验结果显示,碳纳米管可以从泡沫镍内部直接长出,经过电极制备后,能够穿插到电极活性物质中间,增加活性物质与基底间结合力。这种电极结构可以有效抑制电池在充放电过程中活性物质的脱落、提高电子传输效率,使电池最大放电比容量提高约17.3%。经过200次循环后,电池容量仅仅下降24.4%。
- 谢非钱维金翟莹李莉董长昆
- 关键词：碳纳米管镍氢电池化学气相沉积电化学性能
- 一种用于碳纳米管生长的金属基底的阳极化工艺
- 本发明公开了一种用于碳纳米管生长的金属基底的阳极化工艺，所述的金属基底为含有碳纳米管化学气相沉积反应的催化金属的金属基底，该催化金属为铁、钴或镍，其工艺步骤包括有：直流电源正极连接金属基底构成阳极，以其他导电基片为阴极，...
- 董长昆翟莹
- 文献传递
- 泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备电池电极的方法
- 本发明公开了一种泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备泡沫镍电池电极的方法，包括以下步骤：（1）选用泡沫镍做碳纳米管化学气相沉积反应的催化与基底材料，对泡沫镍基底进行化学和超声清洁；（2）设置CVD反应装置，并在CVD反应装...
- 董长昆谢非翟莹钱维金
- 文献传递
- 场发射技术在强流真空电子器件中的应用
- 阴极电子源是强流真空电子器件的核心部件,热阴极存在热辐射能耗大、开启时间偏长、高温下材料蒸发等缺陷。以碳纳米管(CNT)为代表的场发射技术在克服热阴极缺陷、提高器件性能上显示了卓越的潜力。本文回顾了基于CNT、场发射阵列...
- 董长昆翟莹
- 关键词：场致发射碳纳米管大功率真空电子器件
- 文献传递
- 场发射技术在强流真空电子器件中的应用被引量：1
- 2012年
- 阴极电子源是强流真空电子器件的核心部件,热阴极存在热辐射能耗大、开启时间偏长、高温下材料蒸发等缺陷。以碳纳米管(CNT)为代表的场发射技术在克服热阴极缺陷、提高器件性能上显示了卓越的潜力。本文回顾了基于CNT、场发射阵列等场发射阴极的强流器件(微波管、X射线管等)的发展现状,并对场发射技术存在的不足和可能的解决途径进行了讨论。
- 董长昆翟莹
- 关键词：场致发射碳纳米管大功率真空电子器件
