童红双
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 供职机构：天津大学理学院更多>>
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- 掺铈YVO_4晶体的发光特性及铈离子的价态分析被引量：3
- 2012年
- 采用中频感应单晶炉和提拉法生长了高质量的掺Ce的YVO4晶体,并采用了两种不同的方式进行掺杂,即分别在YVO4晶体掺入了Ce2(CO3)3和CeO2,两种不同方式的掺杂浓度均为2at%.使用XRD测试了这两种晶体的物相,发现样品主要以YVO4相存在.吸收谱、荧光光谱和激发光谱的测试发现,这两种不同掺杂方式所得到的样品具有相似的光谱特性,即使用325nm的紫外线激发时,两种样品均可发出以440nm为中心的宽带蓝光,这是来自Ce3+离子的5d→4f的特征发射;而在460nm的激发下,两种样品又均可发出以620nm为中心的宽带红光.通过X射线光电子能谱(XPS)对样品中的各个元素进行的测试分析,发现氧元素的1s峰分裂为529.8eV和531.8eV,这说明晶体中存在两种配位氧离子,一种是正常配位的氧离子(O2),另一种是带空穴的配位氧离子(O).由Ce的XPS测试结果中展现的5个5d峰推断,样品中的铈是以Ce3+和Ce4+两种形式共存,这种共存与两种配位氧离子的存在密切相关.我们认为,Ce:YVO4晶体的宽带红光发射来自Ce4+-O2的电荷迁移发光,并且它有可能因此而成为一种新型的用于白光LED的红色荧光粉.
- 王友发吴周礼李文润王帅童红双阮永丰
- 关键词：YVO4XPS
- Er:BaY2F8晶体的生长及其光谱性质研究
- Er:BaY2F8晶体是一种优质的激光基质晶体,与其它晶体相比,具有较低的声子能量,较低的折射率,较大的透光范围以及较大的激光发射截面等特点。在开展新型激光材料的研究中,Er:BaY2F8晶体是一种很有实际应用潜力的材料...
- 童红双
- 关键词：光谱性质生长速率开裂机理热应力温度梯度
- 文献传递
- 掺铈YVO_4晶体的上转换发光及其机理
- 2012年
- 在YVO4晶体中分别掺入摩尔分数为2%的Ce2(CO3)3和CeO2,在中频感应加热炉中采用提拉法生长了掺Ce的Ce:YVO4晶体。用X射线衍射测试了这两种晶体的物相,发现两种样品都主要以YVO4相存在。X射线光电子能谱测试表明,在两种样品中铈离子都是以+3、+4混合价态的形式出现的。光谱测试表明,两种样品的光谱特性非常相似,同时发现,两种方式掺杂的Ce:YVO4晶体在620 nm的光激发下,均可发出以450 nm为中心的蓝色宽带荧光。分析认为,在Ce:YVO4晶体中由620nm引发的上转换发光的激发过程,不可能直接起源于Ce3+的基态2F5/2,它起源于由特殊的"Ce-O"构型形成的电荷迁移态的基态。
- 王友发阮永丰吴周礼王帅李文润童红双
- 关键词：光谱上转换发光提拉法
- 温度梯度法生长Tm^(3+):BaY_2F_8晶体的光谱特性
- 2012年
- 采用温度梯度法成功生长出BaY2F8晶体和Tm3+:BaY2F8晶体。测试了Tm3+:BaY2F8晶体的室温吸收光谱和室温、低温荧光光谱;根据Judd–Ofelt理论,拟合出晶体场强度参数i(i=2,4,6)为:2=0.364 1×10–20cm2,4=5.750 9×10–20cm2,6=2.533 9×10–20cm2。计算并分析了Tm3+:BaY2F8晶体各激发能级的自发辐射跃迁几率、荧光分支比、荧光寿命和积分发射截面积等光谱参量,从计算的结果可以看出3F4→3H6跃迁有较大的荧光寿命、积分发射截面,易于实现人眼安全波段的激光震荡。结合室温和低温的荧光发射谱,定性阐述了随着温度的降低,荧光发射峰的强度增强,并且主要发射峰的半峰宽变窄。
- 王帅阮永丰张守超李文润王友发吴周礼童红双
- 关键词：晶体生长温度梯度法光谱特性
- Er:BaY_2F_8晶体中绿光发射的温度特性被引量：1
- 2013年
- 利用温度梯度法生长了BaY2F8晶体和Er3+:BaY2F8晶体。测试了Er3+:BaY2F8晶体的室温吸收光谱以及从室温(299 K)到12 K的荧光光谱,分析了温度对Er3+:BaY2F8晶体发光强度的影响。结果表明,在375 nm泵浦光源的激发下,观察到峰值为520 nm和552 nm两种较强的绿光发射,随着温度的升高,520 nm发光峰逐渐增强而552 nm发光峰逐渐减弱;在温度为12 K时,对应于Er3+4I13/2→4I15/2的跃迁处(1.5μm附近)出现多个分立的发射峰,随着温度的升高,这些发光峰逐渐出现展宽并且峰位发生蓝移。最后利用多声子辅助跃迁以及多声子弛豫对于温度的依赖关系来解释上述现象。
- 童红双阮永丰王帅王友发
- 关键词：ER3+发光强度温度
- Ce:YVO_4晶体的生长及其电荷迁移发光被引量：2
- 2012年
- 为探索新型的白光LED荧光粉材料,采用提拉法生长了Ce2(CO3)3掺杂的Ce3+∶YVO4晶体,并对生长晶体的结构和光谱性能进行了表征。通过XRD测试,确定了由提拉法生长的Ce3+∶YVO4晶体的晶相没有发生变化。Ce3+∶YVO4晶体在450 nm处有一个较宽的发射带,在620 nm处有一个明显的发射峰。分析表明,在Ce3+掺杂的YVO4晶体中,铈离子主要以三价离子的形式存在,但在激发光照射下出现的620 nm发射表明有Ce4+存在,并且Ce4+与配位O2-形成了电荷迁移态(CTS)。
- 吴周礼阮永丰王友发王帅童红双
- 关键词：提拉法发射光谱
