祝江停
- 作品数：3 被引量：18H指数：2
- 供职机构：广东工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金NSFC-广东联合基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺机械工程更多>>
- 磁流变-化学机械复合抛光装置设计被引量：1
- 2012年
- 针对SiC晶片外延膜生长需达到原子级超光滑表面的要求以及加工效率低、表面精度差的问题,提出了一套磁流变-化学机械精密抛光装置,该装置利用软件平台对抛光盘和工件运动精确控制,并具有温度、转速等参数微调及显示功能。对装置的工作原理、结构进行了介绍,并在该装置上进行了工艺试验,取得较高的加工效率和光滑无损伤的加工表面。
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- 关键词：化学机械抛光磁流变抛光复合抛光
- 单晶SiC基片的集群磁流变平面抛光加工被引量：12
- 2013年
- 基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及研制的试验装置,对单晶SiC基片进行了平面抛光试验研究。研究结果表明,金刚石磨料对单晶SiC基片具有较好的抛光效果;加工间隙在1.4mm以内抛光效果较好,30min抛光能使表面粗糙度值减小87%以上;随着加工时间的延长,表面粗糙度越来越小,加工30min时粗糙度减小率达到86.54%,继续延长加工时间,加工表面粗糙度趋向稳定。通过优化工艺参数对直径为50.8mm(2英寸)6H单晶SiC进行了集群磁流变平面抛光,并用原子力显微镜观察了试件加工前后的三维形貌和表面粗糙度,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从72.89nm减小至1.9nm,说明集群磁流变效应超光滑平面抛光用于抛光单晶SiC基片可行有效且效果显著。
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- 关键词：表面粗糙度
- 氮化铝基片的集群磁流变抛光加工被引量：6
- 2011年
- 本文进行了氮化铝基片的集群磁流变抛光加工研究,分析了主要工艺参数的影响和加工表面形貌特征。实验结果表明:集群磁流变抛光加工氮化铝基片可以实现高效率超光滑抛光,原始表面Ra1.730 2μm抛光60 min后可以达到Ra0.037 8μm。选用碳化硅磨料,磨料质量浓度为0.05 g/mL,工件与抛光盘转速比为5.8左右,加工初期采用较小加工间隙最后抛光采用较大加工间隙,可以获得较高的材料去除率和较光滑的加工表面。
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- 关键词：抛光表面粗糙度
