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王国宁

作品数：3 被引量：4H指数：2
供职机构：云南大学物理科学技术学院材料系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇溅射
  • 2篇溅射功率
  • 1篇气压
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外可见
  • 1篇紫外可见光谱
  • 1篇碲化镉
  • 1篇碲化镉薄膜
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束溅射
  • 1篇可见光
  • 1篇可见光谱
  • 1篇溅射气压
  • 1篇溅射制备
  • 1篇功率
  • 1篇光谱
  • 1篇CDTE
  • 1篇CDTE薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 3篇云南大学
  • 1篇昆明物理研究...

作者

  • 3篇王国宁
  • 2篇杨宇
  • 1篇孔令德
  • 1篇陈寒娴
  • 1篇姬荣斌
  • 1篇邓荣斌
  • 1篇宋超
  • 1篇杨瑞东
  • 1篇张曙
  • 1篇冯林永

传媒

  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇功能材料

年份

  • 3篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
多晶碲化镉（CdTe）薄膜的制备及性能研究
碲化镉(CdTe)是一种重要的直接带隙化合物半导体材料。其禁带宽度约为1.5ev。由于其禁带宽度接近于太阳能电池的理想带隙，因而CdTe是一种非常具有应用前景的高效的太阳能电池材料;碲化镉可作为太阳能薄膜电池的吸收层。评...
王国宁
关键词：碲化镉薄膜溅射功率溅射气压紫外可见光谱
文献传递
溅射功率和气压对CdTe薄膜结晶性的影响被引量：2
2007年
用射频磁控溅射在普通玻璃衬底上制备CdTe薄膜。采用XRD对制备出的薄膜进行分析研究;并讨论了溅射气压、溅射功率对薄膜结晶性的影响。进一步研究表明:溅射气压低时溅射功率对CdTe薄膜结晶性的影响程度比溅射气压高时要大;溅射功率低时溅射气压对CdTe薄膜结晶性的影响程度比溅射功率高时要小。并对造成上述结果的机理进行了初步的理论探讨。
王国宁杨宇孔令德姬荣斌张曙
关键词：磁控溅射CDTE薄膜功率气压
溅射Ar^+能量对离子束溅射制备Ge薄膜结晶性的影响被引量：2
2007年
采用离子束溅射技术在不同Ar+能量下溅射Ge单层膜。用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar+能量变化的波动性关系。在0.6keV的Ar+能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜。通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化。
宋超杨瑞东冯林永陈寒娴邓荣斌王国宁杨宇
关键词：离子束溅射
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