潘园园
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏高校优势学科建设工程资助项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 灯丝温度对热丝CVD法制备p型氢化纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响被引量：3
- 2012年
- 本文采用热丝化学气相沉积法在不同灯丝温度(1650～1850℃)下沉积了p型氢化纳米晶硅薄膜,研究了灯丝温度对薄膜微结构、光学性能及电学性能的影响。结果表明,随着灯丝温度的升高,薄膜的晶化率先增大后略微减小,最大值是55.5%。载流子浓度和霍尔迁移率先分别从5×1017cm-3和0.27 cm2/V.s增加到1.32×1020cm-3和0.43 cm2/V.s后略微减小,同时电导率从0.02 S/cm显著增加到8.95 S/cm,而电导激活能则从271.5 meV急剧减小至25 meV。
- 潘园园沈鸿烈张磊吴天如江丰
- 关键词：热丝化学气相沉积微结构电学性能
- p型nc-Si:H薄膜的热丝CVD法制备与性能研究
- 氢化纳米晶硅/(nc-Si:H/)薄膜是一种纳米颗粒镶嵌在非晶硅网络中的混合相结构材料，具备优异的光电性能，是第二代和第三代太阳电池的重要材料。特别是在硅基单结和叠层薄膜太阳电池中，研究制备具有高晶化率、高电导率、低激活...
- 潘园园
- 关键词：热丝化学气相沉积硼掺杂晶化率电导率激活能
- 文献传递
- 沉积气压对纳米晶硅薄膜晶化率与电输运性能的影响被引量：1
- 2013年
- 采用热丝化学气相沉积法在不同气压(1～8 Pa)下沉积了p型纳米晶硅薄膜,研究了沉积气压对薄膜晶化率和电输运性能的影响。结果表明,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸随沉积气压升高而增大,而当沉积气压超过6 Pa后,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸会减小。当沉积气压由1 Pa升高到2 Pa时,BH3粒子迅速增多,且吸附方式是化学吸附,因而载流子浓度从8.9×1018cm-3迅速增大到6.252×1020cm-3。此时电导率从1.08 S/cm显著增加到29.5 S/cm,而电导激活能则从95.8meV急剧减小至18.6 meV,这是硼杂质掺杂浓度和薄膜的晶化率迅速增大所致。
- 潘园园沈鸿烈张磊吴天如江丰
- 关键词：热丝化学气相沉积晶化率
- 硼掺杂对热丝CVD法制备纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响
- 2012年
- 采用热丝化学气相沉积法制备了不同B2H6掺杂比例（B2H6/SiH4为2%-15%）的p型纳米晶硅薄膜,通过探索B2H6掺杂比例、晶化率、光学带隙和电学性能（电导率、载流子浓度、霍尔迁移率）之间的关系以及薄膜掺杂机理来研究B2H6掺杂比例对薄膜微结构和光电性能的影响。在掺杂比例为11%时成功获得了电导率为32 S/cm的高电导率硼掺杂nc-Si∶H薄膜。
- 潘园园沈鸿烈吴天如张磊刘斌
- 关键词：硼掺杂热丝化学气相沉积电导率
- 射频磁控溅射法制备AZO/p-Si异质结及其性能研究
- 2011年
- 利用射频磁控溅射法,在p-Si衬底上生长了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,并进而制备了AZO/p-Si异质结。X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔效应测试仪测量表明,AZO薄膜具有良好的结晶质量、光学和电学特性。暗态下的I-V测试表明,AZO/p-Si异质结具有较好的整流特性,反向饱和电流为1.29×10-6A,±2V处的正向和反向电流之比为229.41,计算得出异质结的理想因子为2.28。在标准光照下AZO/p-Si异质结呈现出明显的光生伏特效应,这种异质结太阳电池具有2.51%的光电转换效率。
- 刘斌沈鸿烈岳之浩江丰冯晓梅潘园园
- 关键词：射频磁控溅射I-V特性
