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汤耀云

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：文化科学自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 2篇压降
  • 2篇源极
  • 2篇栅结构
  • 2篇漏极
  • 2篇接触孔
  • 2篇版图
  • 1篇低功耗
  • 1篇低功耗设计
  • 1篇电路
  • 1篇定制
  • 1篇正反馈
  • 1篇锁存
  • 1篇全定制
  • 1篇专用集成电路
  • 1篇集成电路
  • 1篇功耗
  • 1篇功耗设计
  • 1篇高速低功耗

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇汤耀云
  • 2篇陈博
  • 2篇吉利久
  • 2篇张雅聪
  • 2篇鲁文高
  • 2篇张勇
  • 2篇陈中建
  • 2篇黄泽

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
全定制高速低功耗SRAM设计
随着集成电路的快速发展,专用集成电路处理数据的速度越来越快,而且许多专用集成电路在正常工作情况下需要处理大量数据,并且需要相应的存储器来存储这些数据。SRAM作为具有正反馈锁存结构的存储器不仅速度快,而且单元在不工作时功...
汤耀云
关键词：专用集成电路低功耗设计
一种非对称结构的功率MOS晶体管及其阵列
本发明提供了一种功率MOS晶体管，属于半导体器件领域。该功率MOS晶体管包括源极、漏极和栅结构，栅结构的具体设计为：以版图几何中心为圆心作圆，分别制作两个十六边八角图形；这两个十六边八角图形的边相互平行，边与边之间间隙构...
张勇鲁文高黄泽陈博汤耀云陈中建张雅聪吉利久
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一种非对称结构的功率MOS晶体管及其阵列
本发明提供了一种功率MOS晶体管，属于半导体器件领域。该功率MOS晶体管包括源极、漏极和栅结构，栅结构的具体设计为：以版图几何中心为圆心作圆，分别制作两个十六边八角图形；这两个十六边八角图形的边相互平行，边与边之间间隙构...
张勇鲁文高黄泽陈博汤耀云陈中建张雅聪吉利久
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