杨晓战
- 作品数：45 被引量：74H指数：5
- 供职机构：清华大学更多>>
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- 相关领域：化学工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- 用于染料敏化太阳能电池的介孔金属对电极的制备方法
- 本发明公开了属于太阳能电池技术的一种用于染料敏化太阳能电池的介孔金属对电极的制备方法。将纳米结构的、大比表面积的介孔金属材料用非离子表面活性剂电沉积法、阳离子表面活性剂电沉积法，或化学法沉积于基底材料上制备介孔金属电极，...
- 林红林春富王宁李建保杨晓战
- 文献传递
- 军用电子封装外壳镀金层纯度与镀液杂质被引量：5
- 1996年
- 简要介绍了美军标对电子封装镀金层的要求，分析了镀液中的杂质共沉积或夹带对镀金层结构和性能的影响，强调了减少镀液杂质污染，提高镀金层纯度对改善国产军用电子封装质量的重要性。
- 沈卓身杨晓战许维源
- 关键词：电子封装镀液污染
- 镀金溶液中重金属杂质的常见分析方法被引量：3
- 1998年
- 为了降低镀金溶液中有害金属杂质的共沉积和提高镀金层质量，对镀金液中重金属杂质的分析方法进行了概述。
- 杨晓战沈卓身魏忻许维源
- 关键词：镀金溶液封装半导体微电子
- TiO2纳米晶薄膜溶胶凝胶法制备及其光学性能被引量：4
- 2005年
- 通过溶胶凝胶浸渍提拉法成功制备了表面平整的氧化钛纳米晶薄膜.XPS结果确定了该薄膜的元素组成及价态.TG分析结果表明大量无定形Ti(OH)2向锐钛矿型TiO2转变发生在390℃左右.显微共焦Raman光谱确定了不同温度热处理所得薄膜的相结构.SEM形貌图显示TiO2薄膜表面粒子疏松,晶粒多在20nm～30nm之间.另外研究了Fe3+掺杂对TiO2薄膜光学吸收性能的影响.
- 王宁林红杨晓战李建保梁宏
- 关键词：TIO2溶胶凝胶纳米晶薄膜
- 阴极微弧电沉积钇稳定氧化锆涂层被引量：17
- 2002年
- 提出了一种新颖的阴极微弧电沉积技术（CMED）.利用该技术在FeCrAl合金上制备出厚的钇稳定氧化锆（YSZ）涂层.研究结果表明,在试样上预先沉积YSZ薄膜,施加高压电脉冲时可以导致微弧放电;在微弧的作用下可以获得厚度达 300μm具有晶态结构的 YSZ涂层;高压电脉冲的电压值和频率决定了沉积涂层的厚度;电解液中添加硝酸钇时,发生ZrO2和Y2O3的共沉积,可使涂层中的t-ZrO2,t’-ZrO2和c-ZrO2稳定到室温;提高电解液中Y（NO3）3的含量可以降低涂层中m-ZrO2的相对含量.研究了阴极微弧电沉积YSZ涂层的微观结构,分析了阴极微弧电沉积的基本过程及机理.
- 杨晓战何业东王德仁高唯
- 关键词：氧化物涂层陶瓷涂层
- 不同单一添加剂对生成自增韧用长柱状β-Si3N4的影响
- 对于氮化硅陶瓷材料的增韧较为有效的方法主要有颗粒弥散增韧、相变增韧、晶须补强增韧和自增韧。颗粒弥散增韧的典型研究是SiN/Si C复相陶瓷的研究。但从研究结果看颗粒弥散增韧有一定的局限性,而且增韧效果不显著。相变增韧是以...
- 郭钢锋杨晓战李建保冯万栋
- 关键词：氮化硅陶瓷Β-SI3N4添加剂稀土
- 文献传递
- 高纯超细氧化钇粉体的制备及市场分析被引量：4
- 2005年
- 氧化钇粉末是一种重要的高技术陶瓷原料,是荧光粉中应用较多的稀土氧化物之一。高纯超细氧化钇粉的制备方法主要有固相法、液相法、气相法等。氧化钇将向高纯化、超细化、功能化、多品种、多系列、集团化的综合加工方面发展。高纯超细氧化钇粉是高科技含量、高附加值、高效益的精细化学品,具有较高的工业应用价值,大力开发和生产高纯超细氧化钇粉有广阔的市场前景。
- 林红何明生李建保杨晓战梁龙辛平相庭吉郎
- 关键词：高纯超细陶瓷原料固相法液相法气相法超细化
- 单一添加剂对制备长柱状β-Si3N4的影响被引量：5
- 2005年
- 通过添加单一稀土氧化物CeO2,Nd2O3,Eu2O3,Yb2O3和MgO烧结制得长柱状β-Si3N4晶种以用于增韧适合应用于轧辊的氮化硅陶瓷.X射线衍射(XRD)分析表明,这5种添加剂都能有效促进氮化硅从α相到β相的转变;扫描电镜(SEM)分析表明,4种稀土氧化物所制备的晶种其形貌完整性和表观长径比优于MgO添加剂所制备的晶种,而添加离子半径相对较小的Eu2O3和Yb2O3所得β-Si3N4晶种形貌完整性和表观长径比又要优于添加离子半径相对较大的CeO2和Nd2O3,其表观长径比分别为5.33和5.14.
- 郭钢锋杨晓战李建保梁龙王宁冯万栋
- 关键词：轧辊氮化硅陶瓷添加剂稀土氧化物
- 晶种对自增韧氮化硅陶瓷热导率的影响
- 2005年
- 将制备的β-Si3N4晶种(添加剂为Yb2O3)加入到α-Si3N4起始原料中,经热压烧结获得试样.在相同的烧结条件下,与未添加晶种时的氮化硅相比,加入8%的晶种后氮化硅的热导率在各温度点高出3 W.m-1.K-1～5 W.m-1.K-1.随着温度的升高,两者的热导率均明显降低.当温度从室温升至1 200℃时,未添加晶种的氮化硅的热导率从36.2W.m-1.K-1下降到7.74 W.m-1.K-1;添加了晶种的氮化硅热导率从40.1 W.m-1.K-1下降到10.4 W.m-1.K-1.同时,利用XRD和SEM分别对热压试样的相组成和显微结构进行了分析.
- 冯万栋刘雅政杨晓战李建保
- 关键词：SI3N4热导率自增韧
- 一种自增韧氮化硅陶瓷导卫辊及其制备方法
- 本发明涉及一种自增韧氮化硅陶瓷导卫辊及其制备方法，属于陶瓷材料制备技术领域。其特征在于：所述导卫辊材料的配方为：α相氮化硅粉体的重量百分比为55～85%，氧化镱的重量百分比为10～30%，预制β相氮化硅晶种的重量百分比为...
- 杨晓战李建保
- 文献传递
