杨一粟
- 作品数：15 被引量：16H指数：1
- 供职机构：北京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 一种集成微透镜结构的雪崩光电二极管
- 本发明涉及一种集成微透镜结构的雪崩光电二极管，包括：集成微透镜结构的衬底层和多台面的雪崩光电二极管；所述衬底层的第一表面刻蚀为微透镜结构，所述衬底层的第二表面刻蚀有P型接触层，所述P型接触层表面设有P型电极；所述多台面的...
- 段晓峰李珂李宫清黄永清刘凯王俊杨一粟蔡世伟
- 文献传递
- 采用电控方法实现平顶陡边的解复用接收器
- 本发明属于光电技术领域，具体涉及一种具有平顶陡边光谱响应性能的用于波分复用中的解复用接收器。本发明所提供的解复用接收器，包括：至少两个光探测器，所述光探测器信道相邻且具有滤波性能；信号处理单元，所述信号处理单元对探测器的...
- 黄永清张阳安任晓敏段晓峰杨一粟黄辉王琦
- 纳米波导结构半导体光探测器制备方法
- 本发明涉及一种纳米波导结构半导体光探测器的制备方法，包括以下步骤：在半绝缘衬底上生长光探测器的外延材料，依次生长缓冲层，底部谐振腔反射镜，下隔离层，探测器吸收层，上隔离层，顶部谐振腔反射镜；在光探测器顶部欲作为反射镜的薄...
- 杨一粟黄永清任晓敏段晓峰黄辉王琦
- 文献传递
- 用于多波长处理的单片集成光探测器阵列的制备方法
- 本发明涉及一种具有多波长处理功能的单片集成光探测器阵列的制备方法，特别涉及此器件中阶梯型谐振腔结构，以及基于该结构的单片集成光探测器阵列的制备方法，和基于该阵列器件的多波长处理功能的实现方法。本发明用于多波长处理的单片集...
- 黄永清段晓峰王琦任晓敏黄辉杨一粟李轶群
- 文献传递
- 一种具有亚波长光栅结构的光探测器的设计被引量：15
- 2009年
- 高速智能光纤通信系统和网络的飞速发展对光电探测器提出了更高要求。利用严格耦合波(RCWA)理论,给出了在亚波长光栅(SWG)下方具有分布布拉格反射镜(DBR)结构的理论分析模型,将这种结构作为反射镜应用于谐振腔增强型光探测器(RCE PD)的设计中。仿真表明由于SWG的引入,只需要4对λ/4厚度的InGaAsP/InP系DBR,可使整体膜系结构实现在中心波长1.55 μm处反射率达到99.7%,在1.40μm至1.62μm范围内反射率高于99%。引入SWG后的RCE PD在1.55μm附近的量子效率接近90%,串扰衰减系数与量子效率的乘积超过15 dB。有效地解决了InGaAsP/InP介质膜系DBR作为谐振腔反射镜反射率低、反射带宽窄的问题。
- 杨一粟黄永清黄辉王琦任晓敏
- 关键词：光电子学亚波长光栅光探测器
- 在PDMS柔性材料上制备微纳光栅图形的纳米压印方法
- 本发明提供一种在PDMS柔性材料上制备微纳光栅图形的纳米压印方法，涉及集成光学和硅基光子学技术领域，该方法包括：对硅衬底进行预处理；采用电子束曝光工艺，在所述预处理后的硅衬底上加工出硬质微纳光栅图形，形成硅基纳米压印模板...
- 杨一粟覃悦雨韩鸿博童彬彬冯丹妮尚玉峰段晓峰刘凯黄永清任晓敏
- 亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法
- 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外...
- 段晓峰黄永清任晓敏尚玉峰杨一粟张霞王琦
- 文献传递
- 亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法
- 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外...
- 段晓峰黄永清任晓敏尚玉峰杨一粟张霞王琦
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- 一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器
- 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层...
- 黄永清牛慧娟刘凯李献杰段晓峰杨一粟任晓敏蔡世伟王琦王俊位祺王欢欢支华云
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- 与硅基激光器单片集成的多层氮化硅端面耦合器的设计方法
- 2023年
- 针对边发射Ⅲ-Ⅴ族激光器与硅波导之间光耦合存在的问题,提出了一种可以在多层硅上氮化硅(SiN-on-Si)波导平台制备的双层五尖端端面耦合器。该耦合器用于1550 nm激光器和SiN单模波导之间的单片集成。仿真得到结构的总耦合效率为74%,1 dB效率恶化对应的垂直对准容差高达0.41μm,1 dB光学工作带宽>800 nm,器件耦合长度为26μm。设计了一个宽带宽SiN-Si层间绝热耦合器以连接到端面耦合器,激光功率耦合到单模Si波导中的总耦合效率达70.7%。此方法为单片集成激光器在硅基光子学平台上的应用提供了可能性。
- 张惠媛高楷翔卢新园刘怀兵杨一粟
- 关键词：光电子学与激光技术波导
