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李海华

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:中国计量学院光学与电子科技学院更多>>
发文基金:浙江省教育厅科研计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电场诱导
  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇噪声系数
  • 1篇射频低噪声放...
  • 1篇介电
  • 1篇介电特性
  • 1篇放大器
  • 1篇ADS
  • 1篇CMOS工艺
  • 1篇CMOS射频
  • 1篇CMOS射频...

机构

  • 2篇中国计量学院

作者

  • 2篇周盛华
  • 2篇叶有祥
  • 2篇李海华
  • 1篇董艳燕
  • 1篇周云

传媒

  • 1篇中国计量学院...
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 2篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
铌酸钠钾基压电陶瓷的电场诱导介电特性被引量:1
2010年
采用传统的固相反应合成法制备了0.9(K0.5Na0.5)NbO3-0.1LiSbO3(KNN-LS)无铅压电陶瓷,研究了它在不同直流偏置电场下的介电常数的频谱,并分析了直流偏置电场诱导下的相对介电常数变化值Δrε和调谐率K.随着偏置电场的增大,Δrε和K都变大,这与传统的钛酸锶钡陶瓷类的材料结果相反.同时,随着频率的增加,Δrε和K都减小.Δrε随偏置电压的增加而增大,意味着在高的电压下,样品的色散效应增大,其原因可以用空间电荷的极化理论来解释.另外,在外加偏置电压不高的情况下(3 kV/cm),就可以获得相对较大的调谐率1.17%.
叶有祥周云周盛华董艳燕李海华
关键词:压电陶瓷
5.2GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计
2010年
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计应用于IEEE 802.11a的无线局域网络的低噪声放大器(LNA)。整个电路采用1.8V单电源供电,输入输出匹配良好。用ADS模拟软件对电路进行分析优化,结果表明:在中心频率5.2GHz处,噪声系数为2.51dB,功率增益为17.373dB。
周盛华叶有祥李海华
关键词:CMOS工艺低噪声放大器噪声系数ADS
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