崇二敏
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 高质量非晶金刚石薄膜的制备研究被引量：1
- 2006年
- 利用自行研制的磁过滤等离子体技术（FCAP），并创造性地对衬底施加低频率周期性负偏压，在室温下的单晶硅表面上制备了高质量的非晶金刚石薄膜。用扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM），红外吸收光谱（IR），纳米硬度计和摩擦试验仪对制备的非晶金刚石薄膜进行了结构和性能表征。实验结果表明：制备的非晶金刚石薄膜表面十分光滑，表面粗糙度仅为0．1nm；薄膜中sp^3键成份高达70．7％，对应薄膜硬度达到74．8GPa，接近金刚石的硬度；薄膜摩擦系数在0．12-0．16之间。文中也讨论了偏压类型对沉积薄膜结构的影响。
- 闫鹏勋李晓春李春崇二敏刘洋李鑫徐建伟
- 磁过滤阴极弧等离子体制备类金刚石纳米尖点阵列膜
- 采用自行研制的实验装置,用磁过滤阴极弧等离子体结合二次氧化法,在氧化铝模板上制备类金刚石纳米尖点阵列膜。并利用红外光谱(IR)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)和自制的场发射测试装置等手段对样品的形貌,内...
- 李晓春闫鹏勋李春崇二敏刘洋
- 关键词：场发射
- 文献传递
- 铜掺杂类金刚石纳米尖点阵列研究
- 本论文由四部分组成：第一部分主要是理论依据。首先对低温等离子体的概念做了一个简要的介绍。其次对场发射理论作了一个详细的介绍，其中包括金属场致发射和半导体场致发射。最后对碳基材料的性能及场发射机理进行了比较详细的讨论，并介...
- 崇二敏
- 关键词：氧化铝模板铜掺杂类金刚石场致发射
- 文献传递
- 铜掺杂类金刚石纳米点阵列的制备及场发射性能研究被引量：1
- 2008年
- 利用磁过滤等离子体结合氧化铝模板(AA0)技术在室温下制备了具有优异场发射性能的铜掺杂类金刚石(DLC)纳米点阵列。微观分析表明,铜掺杂类金刚石纳米点阵列分布均匀,密度高达109cm-2;利用X射线光电子能谱对制备的铜掺杂类金刚石纳米点阵列进行结构分析,测得铜的掺杂量为3.6%且sp3键含量高达60%;通过对铜掺杂类金刚石纳米点阵列的场发射性能测试,试验结果表明,铜掺杂类金刚石纳米点阵列开启电场和阈值电场分别为0.08V/μm,0.42V/μm,并且在电场值为0.67V/μm时,发射电流密度高达95mA/cm2,场发射性能明显优于无掺杂类金刚石纳米点阵列。
- 崇二敏李晓春李春闫鹏勋张鹏举刘洋范晓彦
- 关键词：氧化铝模板场致发射
- 磁过滤阴极弧等离子体制备类金刚石纳米尖点阵列膜
- 采用自行研制的实验装置,用磁过滤阴极弧等离子体结合二次氧化法,在氧化铝模板上制备类金刚石纳米尖点阵列膜。并利用红外光谱（IR）、透射电子显微镜（TEM）、原子力显微镜（AFM） 和自制的场发射测试装置等手段对样品的形貌,...
- 李晓春闫鹏勋李春崇二敏刘洋
- 关键词：场发射
- 文献传递
