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尹玉华

作品数：7 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇GAAS
  • 3篇亚表面损伤层
  • 3篇损伤层
  • 3篇抛光
  • 3篇抛光晶片
  • 3篇晶片
  • 3篇亚表面
  • 2篇电学
  • 2篇电学性质
  • 2篇砷化镓
  • 2篇石英
  • 2篇气体
  • 2篇均匀性
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇工作温度
  • 2篇衬底
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇制备金属
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨粉

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇尹玉华
  • 5篇郑红军
  • 4篇卜俊鹏
  • 2篇李晋闽
  • 2篇曾一平
  • 2篇王军喜
  • 2篇霍自强
  • 2篇白玉柯
  • 2篇李丽娟
  • 1篇赵冀
  • 1篇孙虹
  • 1篇惠峰
  • 1篇朱蓉辉

传媒

  • 2篇第八届全国固...
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2000
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
氧化物膜的制备方法
一种氧化物膜的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：将氧化物粉末和石墨粉混合，放入反应舟中，反应舟放入石英反应管内；步骤S2：将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，放入石英反应管内；步骤S3：向石英反应管和反应舟内中分别通入惰性...
王晓峰尹玉华李丽娟霍自强王军喜李晋闽曾一平
文献传递
氧化物膜的制备方法
一种氧化物膜的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：将氧化物粉末和石墨粉混合，放入反应舟中，反应舟放入石英反应管内；步骤S2：将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，放入石英反应管内；步骤S3：向石英反应管和反应舟内中分别通入惰性...
王晓峰尹玉华李丽娟霍自强王军喜李晋闽曾一平
文献传递
降低GaAs抛光晶片亚表面损伤层的分析
作者分析了砷化镓抛光晶片亚表面损伤层引入的影响因素,重点讨论了不同弹性抛光布不同浓度抛光液进行GaAs晶片化学机械抛光试验,并用TEM测量晶片亚表面损伤层厚度.
郑红军卜俊鹏尹玉华惠峰
关键词：砷化镓抛光电学性质
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超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺被引量：5
2003年
在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同 p H值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验 ,并用 TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度 .研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了 Ga As抛光晶片的亚表面损伤层深度 。
卜俊鹏郑红军赵冀朱蓉辉尹玉华
关键词：GAAS抛光亚表面损伤层砷化镓半导体
GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析
采用不同的化学腐蚀方法，探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响，提出了氨水系列，进行晶片化学腐蚀，晶片厚度均匀性11.47℅，为下步工艺 提供平整度较好的晶片。
郑红军卜俊鹏尹玉华白玉柯
文献传递
GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析被引量：1
2000年
采用不同的化学腐蚀方法 ,探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响 ,提出了氨水系列 ,进行晶片化学腐蚀 ,晶片厚度均匀性 1 1 .47% ,为下步工艺提供平整度较好的晶片。
郑红军卜俊鹏尹玉华白玉柯
GaAs抛光晶片亚表面损伤层结构分析
采用范德堡霍尔方法测量GaAs抛光晶片的电学性质(迁移率、电导率、载流子浓度),根据迁移率、电导率、载流子浓度随样品截面积减小(用化学腐蚀方法来减小)时的变化来检测损伤层的存在及其深度.由Read的位错散射理论计算得到位...
孙虹尹玉华郑红军
关键词：抛光损伤层电学性质
文献传递
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