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孙秀菊

作品数:7 被引量:16H指数:2
供职机构:河北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇硅太阳电池
  • 2篇单晶
  • 2篇电阻
  • 2篇少子寿命
  • 2篇炉管
  • 2篇扩散
  • 2篇扩散炉
  • 2篇硅太阳能电池
  • 2篇发射区
  • 2篇薄层电阻
  • 2篇表面钝化
  • 2篇层电阻
  • 1篇单晶硅
  • 1篇导流
  • 1篇导流筒
  • 1篇导流系统
  • 1篇碘酒

机构

  • 5篇河北工业大学
  • 4篇北京太阳能研...
  • 2篇中国科学院

作者

  • 7篇孙秀菊
  • 4篇励旭东
  • 4篇吴鑫
  • 3篇任丙彦
  • 3篇勾宪芳
  • 2篇于建秀
  • 2篇宋爽
  • 2篇褚世君
  • 1篇王文静
  • 1篇周春兰
  • 1篇赵雷
  • 1篇李海玲

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 3篇2009
  • 4篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺
本发明涉及一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺,其扩散步骤主要分为两步,具体包括:(1)进行第一次扩散:将硅片放入扩散炉中,同时通入大氮、小氮、氧气,扩散温度在800~860℃,时间为15~30分钟;(2)将扩散炉温度升至8...
励旭东宋爽勾宪芳吴鑫孙秀菊
文献传递
φ200mm太阳能电池用直拉硅单晶生长中导流系统的研究被引量:1
2008年
利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进,得到不同导流系统下的氩气流场和全局温场.研究发现在导流系统中引入导流筒及冷却功能后,氩气流场得到明显的改善,晶体中纵向温度梯度均匀性改善,固液界面趋于平坦,有利于结晶潜热的散发和单晶径向电阻率的均匀性.研究表明改进导流系统能提高结晶潜热散发速率,有利于提高晶体拉速.
任丙彦褚世君吴鑫于建秀孙秀菊
关键词:数值模拟直拉硅单晶导流筒
背接触硅太阳电池研究进展被引量:10
2008年
高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发展概况作了系统介绍,并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向。
任丙彦吴鑫勾宪芳孙秀菊于建秀褚世君励旭东
关键词:背接触硅太阳电池少子寿命接触电极
硅太阳电池用MgF2/ZnS双层减反射薄膜的制备及表征被引量:5
2009年
采用真空热蒸发技术,制备出了性能优良的MgF2/ZnS双层减反射薄膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪对薄膜的形貌以及结晶形态进行分析,采用椭圆偏振仪测试薄膜的折射系数及厚度,利用反射谱对双层减反射薄膜的减反射性能进行了表征。研究表明:衬底温度为200℃时薄膜附着力、结晶态良好;蒸发速率影响薄膜的表面形态;MgF2/ZnS厚度为110 nm/35 nm时具有最佳减反射效果。
孙秀菊李海玲励旭东任丙彦周春兰赵雷王文静
关键词:ZNS薄膜
一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺
本发明涉及一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺,其扩散步骤主要分为两步,具体包括:(1)进行第一次扩散:将硅片放入扩散炉中,同时通入大氮、小氮、氧气,扩散温度在800~860℃,时间为15~30分钟;(2)将扩散炉温度升至8...
励旭东宋爽勾宪芳吴鑫孙秀菊
文献传递
高效刻槽埋栅晶体硅太阳电池(BCSC)的研究
随着能源危机和环境问题的日益突出,太阳电池技术的开发利用越来越受到人们的关注。目前,晶硅太阳电池占据市场主要份额。本文重点研究了晶体硅的表面钝化、太阳电池用减反射薄膜的优化设计及高效刻槽埋栅太阳电池(BCSC)的制备。 ...
孙秀菊
关键词:表面钝化少子寿命
文献传递
用碘酒和氢氟酸钝化单晶硅的比较
研究硅体太阳电池时,如何方便准确地获得最大有效少子寿命是一个值得研究的问题,本文报道了用不同浓度的碘酒溶液和不同体积比的氢氟酸(HF)溶液来钝化单晶硅表面的不饱和悬挂键,从而使有效少子寿命(τeff)近似等于体寿命。研究...
孙秀菊任丙彦周春兰李海玲赵雷王文静
关键词:表面钝化碘酒氢氟酸
文献传递
共1页<1>
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