姜静
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- GaN纳米棒的制备及机理研究被引量：6
- 2009年
- 本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒。测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构。通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS机制的控制,而是多种生长方式共同作用的结果。在反应的初期,GaN纳米棒的生长遵从VLS机制;但是随着GaN纳米棒轴向和径向的生长,GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被"挤"出顶部,在较大的气流流速下被吹落至衬底上,失去催化剂诱导作用的纳米棒随后自行外延生长;而吹落至衬底上的Ni催化剂纳米球成为第二次生长有利的形核位置,且再次生长出粗短的纳米棒。因此不同生长机制得到的GaN纳米棒交织在一起,形成了最终的GaN纳米结构。
- 王敬蕊叶志镇杨志祥马全宝姜静胡少华何海平
- 关键词：GAN纳米棒
- GaN纳米棒的制备及机理研究
- 纳米GaN通常采用催化剂法在蓝宝石或者硅衬底上获得,其生长机理遵从vapor-liquid-solid(VLS)机制.本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针...
- 王敬蕊叶志镇马全宝姜静胡少华何海平
- 关键词：NI催化剂GAN纳米棒
- 文献传递
- 磷掺杂源温度对p型ZnO薄膜制备及性能的影响
- 利用带有特殊热蒸发器的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）装置，以二乙基锌（DEZn）为锌源，高纯 O2和P2O5 粉作为氧源和磷源，制备了p型ZnO 薄膜。衬底温度固定在420℃，通过改变磷掺杂源的热蒸发温度控制ZnO...
- 姜静朱丽萍王敬蕊叶志镇赵炳辉
- 关键词：金属有机物化学气相沉积衬底温度氧化锌薄膜
- 文献传递
