周和平
- 作品数：283 被引量：761H指数：15
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金中国石油天然气集团公司科技项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 氧化铝掺杂对Ba0.6Sr0.4(Zr0.2Ti0.8)O3陶瓷介电性能的影响
- 在外加直流偏置电场作用下,钛酸锶钡(BST)固溶体铁电材料由于具有随着电场强度增加而介电常数降低的非线性特征,所以成为了相控阵天线移相器材料的研究热点。Zr取代Ti的BST固溶体在降低介电常数的同时,保持了BST固溶体优...
- 王希林赵玉珍刘珊珊周和平
- 文献传递
- AlN基片流延浆料粘度的研究
- 1996年
- 本文研究了影响AIN流延浆料粘度的主要因素,结果表明,环境温度或溶剂比例的增加,浆料的粘度值下降,而较细的粒度和增塑剂的减少则使粘度上升。本文还指出了严格控制各影响因素以实现稳定流延工艺的必要性。
- 吴音周和平
- 关键词：浆料基片粘度流延成型电子工业
- 全文增补中
- 流延成型对模晶择优取向分布的影响
- 本文选取熔盐法制备的〈001〉片状SrTiO3作为模晶,通过流延成型工艺将模晶定向排列于PMNT基体粉末中,后期烧结过程中基体粉末将沿模晶〈001〉面上外延生长而得到了具有〈00l〉择优取向的PMN-32.5PT陶瓷.研...
- 严永科刘丹周和平
- 关键词：熔盐法流延成型压电陶瓷材料
- 掺杂氧化铌对钛酸锶钡铁电陶瓷材料显微结构和介电性能的影响被引量：9
- 2007年
- 钛酸锶钡(barium strontium titanate,BST)铁电陶瓷材料的介电常数(ε)随外加直流电场的变化呈现非线性特性。纯BST材料由于较高的ε和较大的介电损耗(tanδ)不能满足移相器介质材料的要求。通过在BST中添加氧化铌(Nb2O5)来改善BST铁电陶瓷材料的介电性能。结果表明:在BST体系中微量掺杂Nb2O5,Nb5+以取代Ti4+的方式存在于钙钛矿的晶格中,形成均匀的固溶体Ba0.5Sr0.5Ti1–xNbxO3。随Nb5+添加量的增加,Curie峰逐渐变宽,峰高逐渐降低,相变弥散效应增强。Nb5+的掺杂能显著降低并稳定BST陶瓷的tanδ,改善BST体系的介电性能。
- 许春来周和平
- 关键词：钛酸锶钡铁电陶瓷介电损耗移相器
- 一种低压燃烧合成高α相氮化硅粉体的方法
- 本发明涉及一种低压燃烧合成高α相氮化硅粉体的方法,属无机非金属材料技术领域。首先对原料金属硅粉进行预处理,然后按比例加入活性剂、稀释剂和添加剂,将各原料粉末球磨,使其充分混合,将混合后的原料烘干,放入低压燃烧合成反应装置...
- 陈克新周和平葛振斌
- 文献传递
- 铝酸镧掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3介电性能的影响
- 在外加直流偏置电场作用下，钛酸锶钡(BST)固溶体铁电材料具有随着电场强度增加而介电常数降低的非线性特征，是相控阵天线移相器材料的研究热点。而铝酸镧陶瓷介电常数温度系数可达接近零，介电损耗正切值低，可小于1×1...
- 王希林赵玉珍刘珊珊周和平
- 关键词：陶瓷材料介电性能电场强度
- 添加CaF2—Y2O3的AIN试样在1300～1650℃之间的收缩率,相组成和微结构
- 2000年
- 使用ＣａＦ２－Ｙ２Ｏ３体系，研究了ＡｌＮ在１３００℃－１６５０℃之间的收缩率、相组成以及微结构的变化、发现，随温度升高，生成的Ｙ－Ａｌ－Ｏ化合物可以发生ＹＡＧ→ＹＡＰ→ＹＡＭ转变，其转变温度随ＣａＦ２添加量的增加而降低。添加ＣａＦ２－Ｙ２Ｏ３体系的ＡｌＮ试样在１５００℃时产生液相，液相为ＣａＹＡｌＯ４，但在低于１６５０℃的升温过程中，该液相对ＡｌＮ试样的收缩没有显著的促进作用。
- 乔梁周和平
- 关键词：收缩率相组成微结构AIN陶瓷
- 温度对半导体硅橡胶导电特性的影响
- 输电线路防覆冰问题的研究是近年来研究的一个热点问题,通过添加控制硅橡胶内部导电填料的种类和含量制成半导体硅橡胶涂料,涂覆于绝缘子表面,在通电时可有效提高绝缘子表面温度升高,减缓覆冰的增长。输电线路覆冰一般发生于0℃以下,...
- 韦晓星孙振庭王希林贾志东关志成赵永杰周和平
- 文献传递
- 0.95(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3-0.05Li(Nb_(0.5)Sb_(0.5))O_3无铅压电陶瓷的显微结构分析与电学性能
- 2011年
- 采用传统固相反应合成法制备0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05Li(Nb0.5Sb0.5)O3基无铅压电陶瓷,研究了烧结温度对0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05Li(Nb0.5Sb0.5)O3陶瓷相结构、显微组织和压电介电性能的影响。结果表明,在960~1060℃的温度区间内,所得到的一系列烧结样品在室温下均为纯的钙钛矿型结构,未观察到第二相出现;随着烧结温度的升高,晶粒的平均尺寸显示出先增大后减小的趋势,在1020℃时晶粒的平均粒径达到最大值3.5μm。电学性能分析表明,烧结温度为1020℃时,该体系陶瓷压电介电性能达到最优值:d33=245pC/N,kp=0.42,tanδ=0.03,ε3T3/ε0=640,Ec=2.1kV/mm,Pr=20μC/cm2。
- 赵永杰赵玉珍黄荣厦刘荣正周和平
- 关键词：无铅压电陶瓷压电性能介电性能
- Li2O含量对B2O3-SiO2玻璃陶瓷材料介电性能的影响
- BO-Si O陶瓷具有很低的介电常数和介电损耗,符合高频片式元器件材料的要求。早在1989年Mac Dowell和Beall使用微晶玻璃法制备出该体系材料。另外也有国外学者使用溶胶凝胶工艺,并添加P2O5,合成了BO-S...
- 王少洪周和平
- 关键词：LI2O玻璃陶瓷介电性能
- 文献传递
