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吴汶海

作品数：19 被引量：17H指数：3
供职机构：上海大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市教育发展基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇半导体
  • 4篇化合物
  • 4篇HGCDTE
  • 4篇CD
  • 3篇导体
  • 3篇石英管
  • 3篇硫族化合物
  • 3篇化合物半导体
  • 3篇红外
  • 3篇半磁半导体
  • 3篇MN
  • 2篇单晶
  • 2篇淀积
  • 2篇蒸汽压
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇磷化铟
  • 2篇内加热
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇晶面
  • 2篇晶体

机构

  • 19篇上海大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 19篇吴汶海
  • 9篇桑文斌
  • 6篇王林军
  • 6篇莫要武
  • 5篇闵嘉华
  • 5篇钱永彪
  • 4篇史伟民
  • 3篇张建成
  • 3篇居建华
  • 2篇夏义本
  • 1篇殷之义
  • 1篇蒋雪茵
  • 1篇陈炜
  • 1篇戴文琦
  • 1篇刘祖刚
  • 1篇汤定元
  • 1篇李冬梅
  • 1篇谢敏
  • 1篇陈高庭
  • 1篇周书铨

传媒

  • 5篇应用科学学报
  • 3篇上海大学学报...
  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇化学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇红外技术
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇全国第三届熔...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2002
  • 1篇2000
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 5篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1989
  • 1篇1985
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
铅的硫族化合物半导体单晶的制备方法
本发明涉及一种铅的硫族化合物半导体单晶的生长和制备方法，属于半导体单晶制备工艺技术领域。本发明采用高纯度的金属铅粉和硫族元素S、Se或Te粉按一定摩尔比称取重量，将两者放置于石英管内，石英管内抽真空，真空度达10<Sup...
张建成吴汶海
文献传递
碱金属、碱土金属氯化物熔体与碲镉汞熔体之间的平衡
王才豪吴汶海
关键词：熔体红外材料熔体晶体生长
Hg_(1-x)Cd_xTe平衡蒸汽压的热力学研究
1996年
Hg_(1-x)Cd_xTe熔体组元平衡蒸汽分压是晶体制备中必须考虑的重要热力学参数,文献报道中数据差别很大,影响对该材料进一步研究.本文根据光吸收原理,系统测定x=0～0.4的Hg_(1-x)Cd_xTe系熔体平衡汞和碲分压,运用热力学关系计算镉分压,讨论P_(Hg)～x关系。
桑文斌吴汶海
关键词：HGCDTE势力学蒸汽压光吸收
露点法测定Hg_（1－x）Cd_xTe熔体平衡Hg蒸气压被引量：1
1996年
露点法测定Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ熔体平衡Ｈｇ蒸气压桑文斌，于美云，吴汶海（上海大学，嘉定校区）关键词碲镉汞，平衡汞分压，露点测定ＨｇｏｄＴｅ是当今世界上极其重要的一种红外探测器材料，国内外都十分重视这种材料的研究．无论从熔体生长晶体还是液相外延...
桑文斌于美云吴汶海
关键词：HGCDTE
类金刚石薄膜作为HgCdTe红外器件增透膜和钝化膜的研究被引量：5
1998年
采用高频等离子化学气相沉积法（ＲＦＣＶＤ）在ＨｇＣｄＴｅ红外器件上沉积类金刚石薄膜。俄歇电子能谱对ＤＬＣ／ＨｇＣｄＴｅ界面分析结果表明类金刚石薄膜中的碳原子对衬底材料影响较小，７０ｎｍ的类金刚石薄膜能抑制衬底组份的外扩散，而且具有纯度较高的类金刚石薄膜外表面层，是一种理想的钝化膜材料。红外透射光谱测试结果表明类金刚石薄膜在较宽的波长范围内（４１２μｍ）具有明显的增透效应。
居建华吴汶海许俊芬戴文琦夏义本
关键词：类金刚石薄膜红外器件增透膜钝化膜
影响InGaP／InP半导体激光器阈值电流密度若干问题的研究
1996年
本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成．并从实验上进行了仔细调整．获得了激射波长为１．３μｍ．失配量≤１．４×１０－３的ＤＨ结构ＬＰＥ工艺条件．探讨了新的腐蚀工艺和二次外延工艺参数对掩埋异质结构形成的影响；提出采用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，避免了纵向ｐ－ｎ结偏位现象的出现．获得了室温下阈值电流最低小于２５ｍＡ、在６０ｍＡ直流驱动下单面光输出功率高达１２．５ｍＷ、激射波长为１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣ－ＰＢＨ激光器．
桑文斌闵嘉华钱永彪莫要武陈培峰王林军吴汶海刘苏生张向东
关键词：INGAASP半导体激光器磷化铟阈值电流密度
用RAS模型估算半磁半导体Cd_（1－x）Mn_xTe富碲溶液蒸汽压
1995年
Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的．本文用缔合规则溶液（ＲＡＳ）模型估算了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压，并且和实验结果进行了定性比较．
莫要武吴汶海
关键词：半导体半磁半导体
制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置
本实用新型涉及一种制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置，属半导体单晶制备工艺技术领域。本实用新型装置主要包括有外石英管2、内石英管4、立式加热炉10、滑轮11和马达12。外石英管2与底部敞开的内石英管4间焊有接合缝5，以固...
张建成吴汶海
文献传递
液相外延制备InGaAsP／InP掩埋异质结若干工艺问题的讨论
1996年
本文对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究，提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方（Ｂｒ＿２／ＨＢｒ），对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤层和有害杂质的去除采用了阳极氧化工艺，同时探索了利用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，在研究基础上制造了重现性好且性能良好的１．３μｍ激光二极管，室温时，阈值电流最低小于２５ｍＡ，典型值为３０ｍＡ，在６０ｍＡ直流电流的驱动下，光输出功率高达１２．５ｍＷ。
桑文斌钱永彪闵嘉华莫要武陈培峰王林军吴汶海陈高庭
关键词：LPE激光二极管INGAASP磷化铟
分压控制下高纯、高x值CdZnTe晶体气相生长的研究被引量：4
1998年
尝试采用布里奇曼法生长ＣｄＺｎＴｅ为原材料进行了高ｘ值（ｘ＝０．０４～０．６０）Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体在压力控制下的物理气相输运（ＰＶＴ）生长研究。探讨了Ｃｄ源和ＣｄＺｎ合金温度对晶体电学性质的影响。并对ＰＶＴ晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率、ＰＬ光谱等进行了检测和分析。
钱永彪桑文斌王林军史伟民闵嘉华吴汶海
关键词：核探测器红外光学材料晶体生长
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共2页<12>
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