刘雯
- 作品数：36 被引量：36H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- 高深宽比倾斜沟槽的深硅刻蚀技术
- 2023年
- 针对微电子机械系统(MEMS)行业对3D加工日益增长的需求,提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架,利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅刻蚀的创新工艺方案。首先通过仿真计算对法拉第笼的特征尺寸进行了优化,进一步采用法拉第笼和用于制备倾角的衬底支架,对BOSCH工艺参数进行了调整,最终获得了倾角为30°、深度超过25μm、深宽比高达7.9∶1的倾斜沟槽。结果表明利用法拉第笼和倾斜衬底支架,采用深硅刻蚀工艺可以制备高深宽比的倾斜沟槽,而且沟槽角度可以通过加工不同倾角的支架实现。结合法拉第笼和倾斜衬底支架进行等离子体刻蚀可为其他倾斜结构的制备工艺提供参考。
- 刘庆刘雯司朝伟司朝伟杨富华黄亚军
- 关键词：高深宽比法拉第笼
- GaAs/Si直接键合用GaAs表面化学活化技术被引量：1
- 2014年
- 研究了GaAs/Si疏水性直接键合技术中GaAs表面化学活化关键工艺,对比分析了不同体积分数的HF和HCl溶液作为表面活性处理剂时对GaAs表面进行活化处理的结果。发现用HCl和H2O溶液处理GaAs晶片得到的表面均方根粗糙度要优于用HF处理得到的结果,并且将处理过的GaAs晶片与Si片进行直接键合,发现用HCl进行表面活化的GaAs晶片与Si片键合的成功率要高于用HF进行表面活化的GaAs和Si键合。在200,300和400℃条件下,采用HCl和H2O体积比为1∶10的溶液处理的GaAs晶片与Si片都成功键合,并且200℃条件下键合后的界面质量较好。
- 马静刘雯杨添舒时彦朋杨富华王晓东
- 关键词：直接键合清洗工艺原子力显微镜
- 砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法
- 本发明提供一种砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法，包括：对砷化镓基太阳电池进行反向电流‑电压曲线扫描，获取砷化镓基太阳电池的反向击穿阈值电压；对砷化镓基太阳电池的正电极面进行光学显微拍照，获取正电极面的光学显微图像；...
- 王晓东计春雪包怡迪陈啸岭李晔刘雯刘庆杨富华
- 纳米针尖结构、复合结构及其制备方法
- 一种纳米针尖结构、复合结构及其制备方法，所述纳米针尖结构，包括衬底，在所述衬底表面阵列形成多个纳米针尖；其中，每个纳米针尖的顶部直径为10～20nm；所述纳米针尖的高度为200～350nm；相邻纳米针尖的间距为62.5～...
- 王晓东马静刘雯马哲宋培帅赵永强杨富华
- 侧栅场效应晶体管太赫兹探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位...
- 颜伟张博文黄镇李兆峰刘雯韩国威王晓东杨富华
- 文献传递
- 基于纳米锥团簇结构的太阳电池减反射膜及其制备方法
- 一种基于纳米锥团簇结构的太阳电池减反射膜及其制备方法，所述太阳电池减反射膜所述表面为纳米锥团簇结构，纳米锥在单位平方微米面积内的数量为5至7个，纳米锥的高度为800至1000nm；其厚度在200μm‑500μm之间；其制...
- 马静刘雯马哲宋培帅赵永强杨富华王晓东
- 文献传递
- 衬底上高深宽比倾斜沟槽的制备方法
- 本公开提供一种衬底上高深宽比倾斜沟槽的制备方法，包括：在衬底上沉积硬掩模；在沉积有硬掩模的衬底上涂覆光刻胶，利用所述光刻胶对所述衬底进行光刻；将光刻后的衬底置于斜台上，再将承载有衬底的斜台放置于法拉第笼中进行干法刻蚀，以...
- 刘庆杨富华樊中朝刘雯王晓东
- 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液
- 本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al<Sub>0.8～0.9</Sub>GaAs...
- 刘雯李越强王晓东陈燕凌杨富华
- 具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法
- 本发明提供了一种具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法。该太阳能电池元件包括：光吸收部件；减反射膜系，形成于光吸收部件的上方，至少包括：具有六角形周期分布纳米孔的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>减...
- 杨添舒刘雯时彦朋马静王晓东杨富华
- 文献传递
- 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法
- 本发明公开了一种在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法，该方法包括：在GaAs衬底正反面各淀积一层SiO<Sub>2</Sub>进行保护；在GaAs衬底的正面再蒸镀一层金属铝膜；将蒸镀有金属铝膜的GaAs衬底在阳极氧化浴...
- 刘雯王晓东程凯芳马慧丽王晓峰徐锐杨富华
- 文献传递
