刘杰
- 作品数：384 被引量：351H指数：9
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术航空宇航科学技术天文地球更多>>
- 一种FeNi基激光熔覆掺杂碳化钨/碳化铬复合强化抗高温耐磨涂层及其制备方法
- 本发明涉及激光熔覆材料领域，更具体地公开了一种FeNi基激光熔覆掺杂碳化钨/碳化铬复合强化抗高温耐磨涂层及其制备方法，所述制备方法包括基体预处理，堆焊处理，激光熔覆处理，以及硫化处理。采用本发明所述的方法制备得到的涂层在...
- 吕文泉何源王志光刘杰
- 暗物质粒子探测卫星关键探测器-塑闪阵列探测器
- 刘杰余玉洪孔洁孙志宇苏弘杨雅清杨鹏赵红赟杨海波方芳张永杰莫丹张胜霞马新文肖国
- 项目所属科技领域：
该项目属于空间天文学、宇宙线物理学、核探测器和电子学及空间探测器的交叉研究。
主要科技内容：
寻找暗物质粒子和研究宇宙线起源是国际热点领域，一旦在科学上取得突破，将彻底改变人类对现有宇宙的认知。...
- 关键词：
- 关键词：探测器
- 一种抗辐射16位25 MS/s流水线ADC
- 2025年
- 设计了一款抗辐射16位25 MS/s流水线型模数转换器(ADC)。根据电容失配等因素确定了第一级4位的流水线结构,并设计了改进的自举开关来提高采样线性度。为了降低系统功耗,设计了一种开关电容动态偏置电路,通过减小放大器的平均电流来降低ADC的系统功耗。为了满足抗辐射的要求,针对电离总剂量效应和单粒子闩锁效应的机理,对电路进行抗辐射加固设计。该款抗辐射ADC在0.18μm CMOS工艺上进行制造,转换器的芯片面积为2.5 mm^(2),经过辐射试验后,在采样率25 MHz、1.8 V电源电压和30.1 MHz正弦输入的条件下,ADC的信噪比(SNR)达到了76.7 dBFS,无杂散动态范围(SFDR)为95.1 dBFS,功耗为38.76 mW,抗辐射能力达到电离总剂量100 Krad(Si)和单粒子闩锁阈值75 MeV·cm^(2)/mg,可满足空间环境的使用要求。
- 周晓丹苏晨刘涛付东兵王健安陈光炳李强李强刘杰
- 关键词：模数转换器信噪比无杂散动态范围抗辐射
- 单粒子效应实验中的几个关键技术问题
- 空间重离子和质子在宇航电子学器件中引起的单粒子效应对于航天器的运行安全有着严重的危害,已成为设计师极为关注的问题。为了系统地了解单粒子效应的影响及加固措施的效果,人们利用空间搭载和地面模拟等方式对器件和整机进行了各种实验...
- 侯明东刘杰李保权甄红楼
- 关键词：单粒子离子能量
- 重离子微孔膜专用生产终端控制系统
- 本发明涉及一种重离子微孔膜生产终端控制系统，包括第一层网络控制结构，重离子微孔膜生产终端的各装置连接前端服务器，前端服务器实时获取重离子微孔膜生产终端生产状态数据，对重离子微孔膜生产终端的各装置分别进行控制；第二层网络控...
- 李运杰莫丹胡正国夏佳文徐瑚珊段敬来姚会军刘杰王玥杨胜利杨雅清殷学军蒙俊杜衡谢文君
- 文献传递
- 22nm FD-SOI 静态随机存储器的可靠性研究
- 2021年
- 针对22 nm FD-SOI CMOS工艺静态随机存储器(SRAM),研究了工艺角、工作电压、测试温度、总剂量效应对器件性能的影响。通过自动测试设备(ATE),有效地提取了FD-SOI存储器在多种测试环境下的电学性能参数。测试结果表明,不同的工艺角对输出电平和工作状态的影响较小。随着电压的增加,静态电流随之增加,最大工作频率呈现出波动性的变化。器件在-55℃~125℃范围内性能稳定。高频特性在25℃表现最好,低压特性在高温下最优。总剂量累积到3 kGy(Si)时,器件功能仍正常,内核电流与I/O电流均明显增大。FD-SOI SRAM自身优点多,工作稳定性较好,具有极好的应用前景。
- 贺泽蔡畅赵凯赵培雄李东青刘天奇刘天奇
- 关键词：静态随机存储器可靠性
- 位置灵敏的束流均匀度测量系统
- 束流均匀度测量系统是单粒子效应地面模拟装置的一个组成部分,该系统采用先进的位置灵敏光电倍增管测量束流的均匀度.其显著的特点是外部电子学线路简单,能量分辨高,具有非常好的位置分辨率.介绍了系统的组成和达到的性能指标.
- 侯明东刘杰张庆祥甄红楼王志光李保权金运范朱智勇陈晓曦刘昌龙孙友梅唐玉华叶宗海朱光武林云龙蔡金荣王世金都亨
- 关键词：位置灵敏探测器
- 文献传递
- 1.23GeV Fe离子在C_(60)薄膜中形成潜径迹的Raman谱分析被引量：1
- 2005年
- 用能量为1.23GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜。用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应,主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相(HTHP)的形成,和在髙电子能损下C60晶体点阵位置上的C60分子向非晶碳的转变。由此演绎出了快Fe离子在C60薄膜中的损伤截面或潜径迹截面σ和潜径迹的半径Re,及其随沉积在电子系统中的能量密度的变化而变化的规律。
- 金运范姚存峰王志光谢二庆宋银孙友梅张崇宏刘杰段敬来赵志明
- 关键词：C60薄膜RAMAN谱
- 2．1GeV氪离子在聚苯乙烯中的电子能损效应研究
- 高能重离子与物质相互作用,主要以使靶原子电子的电离激发损失能量(电子能损)由于这些能量主要沉积在靠近离子径迹中心几纳米的区域里,从而在局部达到很高的能量沉积密度,高能重离子辐照的这个特点就使得它有可能产生复杂的甚至全新的...
- 唐玉华朱智勇金运范刘昌龙王衍斌侯明东王志光陈晓曦刘杰
- 关键词：聚苯乙烯
- 文献传递
- 电子能损引起的原子位移
- 荷能离子与固体相互作用时将所携带的能量部分地或全部传递给靶物质,从而引起靶原子的位移。但这一过程因入射离子的能量不同而有截然不同物理机制。对于低能的入射离子(-10keV／u)核能损是主导的,入射离子与靶核之间发生弹性碰...
- 侯明东刘杰孙友梅尹经敏
- 关键词：电子能损电子激发塑性形变离子束
- 文献传递
