刘佳佳
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
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- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 基于石墨烯材料的新性能预测
- 基于石墨烯独特的力、热、光和电性能以及微电子技术的发展需求,石墨烯有望被应用于微电子领域,成为最具潜力的器件之一。我们基于密度泛函理论的第一性原理,借助于Materials Studio软件,研究了过渡金属(TM=V、C...
- 刘佳佳
- 关键词：第一性原理石墨烯材料过渡金属掺杂异质结量子点
- 文献传递
- 锰掺杂浓度和位置对石墨烯磁性的影响
- 2015年
- 基于密度泛函理论,计算出锰掺杂石墨烯在不同掺杂浓度及杂质原子占据不同格点位置条件下的总磁矩和电子自旋态密度.计算结果表明:系统的总磁矩随掺杂浓度增加而变大,在相同掺杂浓度条件下,掺杂原子取不同自旋方向时呈现出更强的磁性.同时发现,杂质原子得失电子能力及超胞的总磁矩都与Mn原子占据的格点位置有关,同种晶格掺杂更有利于增强系统的磁性,表明通过改变掺杂条件有可能对石墨烯的磁性进行调控.通过对系统总自旋态密度和分波态密度的分析,显示Mn掺杂石墨烯超胞系统的磁性机制与Mn原子的d态电子和C原子的p态电子的p-d交换关联作用有关.
- 刘佳佳雷天民张玉明陈得林郭辉张志勇
- 关键词：石墨烯磁性锰掺杂
- 单层MoS_2的电子结构及光学性质被引量：5
- 2013年
- 基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法计算和分析了单层MoS2的电子结构及其光学性质,得到了单层MoS2的能带结构、电子态密度、光吸收谱、反射谱、能量损失谱、光学常数谱和介电函数谱。计算结果显示:单层MoS2具有直接带隙能带结构,禁带宽度为1.726 eV;同时发现,单层MoS2对可见到紫外区域的光子具有很强的吸收,最大吸收系数为1.98 105cm-1。分析表明,单层MoS2适合被用于制作微电子和光电子器件,尤其是在紫外探测器应用方面具有潜在的应用前景。
- 雷天民吴胜宝张玉明刘佳佳郭辉张志勇
- 关键词：第一性原理MOS2电子结构光学性质
- 过渡金属掺杂石墨烯的磁性计算与分析
- 稀磁半导体可以同时利用载流子的自旋和电荷属性，为构造集磁、电于一体的自旋半导体器件奠定基础。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了过渡金属掺杂石墨烯超胞系统的总能量及总磁矩，研究了V、CR、MN、FE、CO和NI掺杂...
- 刘佳佳雷天民张玉明郭辉马培婷
- 关键词：石墨烯过渡金属第一性原理磁性
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- 过渡金属掺杂石墨烯的磁性计算与分析
- 稀磁半导体可以同时利用载流子的自旋和电荷属性，为构造集磁、电于一体的自旋半导体器件奠定基础。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了过渡金属掺杂石墨烯超胞系统的总能量及总磁矩，研究了V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni掺杂...
- Jiajia Liu刘佳佳Tianmin Lei雷天民Yuming Zhang张玉明Hui Guo郭辉Peiting Ma马培婷
- 关键词：石墨烯过渡金属第一性原理
- 空位缺陷对单层MoS_2电子结构的影响被引量：5
- 2015年
- 为了研究单层Mo S2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层Mo S2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、Mo S2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构。计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点,且S空位比Mo空位更容易形成。通过与本征态Mo S2电子结构的对比分析,发现2种空位缺陷的存在对单层Mo S2的电子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响,这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关。
- 雷天民吴胜宝张玉明刘佳佳姜海青张志勇
- 关键词：第一性原理MOS2空位电子结构
