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原子层沉积方法制备稀土Gd掺杂SiO2薄膜电致发光器件: 硅基稀土掺杂的电致发光器件在硅集成光电子领域具有良好的应用前景，原子层沉积(ALD)作为微电子栅层薄膜的沉积技术，是制备薄膜电致发光器件的理想薄膜生长技术。而完全基于原子层沉积技术制备的硅基稀土掺杂电致发光器件却未见诸报...; 侯琼琼; 关键词：原子层沉积稀土掺杂结构性能; 文献传递

Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性被引量：1: 2011年; 通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用。在富Si量小于5%的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度。在富Si含量大于5%时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭。; 刘海旭孙甲明孟凡杰侯琼琼; 关键词：电致发光离子注入

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侯琼琼