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何建廷

作品数:33 被引量:78H指数:5
供职机构:山东理工大学电气与电子工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 29篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 22篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 9篇ZNO
  • 7篇ZNO薄膜
  • 5篇氮化镓
  • 5篇脉冲激光
  • 5篇脉冲激光沉积
  • 5篇溅射
  • 5篇PLD
  • 5篇衬底
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇氧分压
  • 4篇射频磁控
  • 4篇射频磁控溅射
  • 4篇光纤
  • 4篇光纤传感
  • 4篇光纤传感器
  • 4篇光栅
  • 4篇发光
  • 4篇感器
  • 4篇氨化

机构

  • 20篇山东师范大学
  • 15篇山东理工大学

作者

  • 32篇何建廷
  • 17篇庄惠照
  • 17篇薛成山
  • 11篇魏芹芹
  • 11篇田德恒
  • 10篇吴玉新
  • 9篇刘亦安
  • 9篇杨淑连
  • 8篇宿元斌
  • 6篇王书运
  • 5篇盛翠霞
  • 5篇薛守斌
  • 5篇董志华
  • 5篇申晋
  • 5篇高海永
  • 4篇胡丽君
  • 3篇王福学
  • 3篇艾玉杰
  • 3篇孙莉莉
  • 2篇曹文田

传媒

  • 7篇电子元件与材...
  • 4篇功能材料
  • 4篇微纳电子技术
  • 2篇光电子.激光
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  • 1篇制造业自动化
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  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇山东理工大学...
  • 1篇2004年中...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 8篇2006
  • 5篇2005
  • 2篇2004
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析
2013年
在不同氧分压下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜,对薄膜进行了X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析,研究了氧分压对所制薄膜结晶质量的影响。结果表明,当氧分压为0.13 Pa时,Zn 2p和O 1s态电子的结合能较大。随着氧分压的增加,Zn 2p和O 1s态电子的结合能变小,说明更多的Zn原子和O原子产生了结合。氧分压为6.50 Pa时,所制ZnO薄膜的XRD衍射峰半高宽最小,其Zn、O粒子数比最接近化学计量比,说明在此氧分压下生长的ZnO薄膜结晶质量最好。
何建廷杨淑连魏芹芹宿元斌
关键词:脉冲激光沉积氧分压结合能
合成GaN粗晶体棒的研究被引量:2
2005年
利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。
董志华薛成山庄惠照王书运高海永田德恒吴玉新何建廷刘亦安
关键词:磁控溅射自组装反应
脉冲激光沉积法生长的石英基ZnO薄膜特性被引量:3
2019年
以石英为衬底,采用脉冲激光沉积法在多种衬底温度下生长ZnO薄膜。通过对石英基ZnO薄膜X射线衍射(XRD)和分光光度计的测量,分析了薄膜的多种结构和光学参数,研究了衬底温度对薄膜的结晶质量和光学性质的影响。XRD结果显示,衬底温度为500℃时得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。分光光度计得到的透射图谱及其微分图谱表明,ZnO薄膜的禁带宽度随衬底温度的升高而减小。
何建廷魏芹芹杨淑连王雅静
关键词:脉冲激光沉积X射线衍射禁带宽度
浅论校企共建“半导体器件”课程
2018年
针对校企合作对学生的培养需求,结合半导体器件应用性和实用性强的特点,我校开展校企共建"半导体器件"课程活动。通过共建教学团队、共同制定课程标准、共同完善教学文件、共建教学资源、共同编写教材和共同进行考核评价等方面的建设,教学效果得到改善,教学质量得到提高,培养出了能够适应市场需求的高素质人才。
何建廷魏芹芹宿元斌
关键词:半导体器件教学团队教学资源
竹叶状GaN纳米带的制备被引量:1
2004年
为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1000℃下常压通氨气进行氨化。在氨气气氛中ZnO在高温下挥发,借助于ZnO挥发的帮助,Ga2O3与NH3反应自组装生成GaN纳米带。XRD分析结果表明GaN纳米带为六方纤锌矿结构,利用SEM观测GaN纳米带具有竹叶状形貌,PL谱测量发现了位于370nm处和460nm处的室温光致发光峰。
高海永庄惠照薛成山王书运董志华何建廷
关键词:半导体材料氨化挥发
PLD法生长硅基ZnO薄膜的特性被引量:6
2005年
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm–1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于330,368,417和467nm处的室温光致发光峰;SEM和TEM显示了薄膜的表面形貌以及结晶程度。ZnO单晶薄膜具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构。
何建廷庄惠照薛成山王书运
关键词:半导体技术ZNO薄膜PLD
氧等离子体刻蚀对石墨烯性能的影响
2014年
对机械剥离在SiO2表面的多层石墨烯进行氧等离子体刻蚀,通过拉曼光谱、原子力显微镜和电学性能表征来研究氧等离子体轰击对石墨烯特性的影响。结果表明氧等离子体轰击会在表层石墨烯中引入大量缺陷,大量缺陷的存在又会诱导对石墨烯的进一步刻蚀,从而实现逐层刻蚀石墨烯。另外,氧等离子体轰击的过程在做了金属电极的石墨烯中引入金属颗粒等其它物质,这几方面的原因最终导致在氧等离子体刻蚀石墨烯的过程中石墨烯的两端电导呈现近似线性的减小,石墨烯出现n型掺杂效应。
魏芹芹何建廷
关键词:石墨烯电学特性拉曼光谱
位置敏感探测器测量准确度的研究被引量:6
2014年
为了研究噪声光对位置敏感探测器测量准确度的影响,首先对3种噪声光进行了描述,然后运用方差分析法建立了位置敏感探测器测量准确度的数学模型,并对系统的误差进行了分析。结果表明,实验数据和计算数据是一致的,此实验结果证明了该数学模型的正确性。
杨淑连宿元斌何建廷魏芹芹盛翠霞申晋
关键词:探测器背景光
衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响被引量:10
2006年
在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜。通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响。发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移。
庄惠照何建廷薛成山张晓凯田德恒胡丽君薛守斌
关键词:PLDZNO
Mg_3N_2粉末稳定性的实验分析(英文)
2014年
稳定性是Mg3N2粉末的一个重要特性。研究了利用镁粉与氨气直接反应法在最佳条件下制备的Mg3N2粉末的稳定性,包括热稳定性、在氧气中的抗氧化性以及在空气中的稳定性。用X射线衍射(XRD)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对样品在设置条件下的变化进行了分析,结果表明用该方法制备的Mg3N2粉末具有非常好的热稳定性,在1 100℃下都不会分解;在低于800℃下,Mg3N2粉末表现出很好的抗氧化性能,在高于800℃时其直接被氧化为氧化镁粉末。通过对Mg3N2粉末在空气中的稳定性的研究,提出并利用三维水驱动扩散模型很好地描述并解释了Mg3N2在空气中变质的过程。
魏芹芹何建廷薛成山
关键词:氮化镁抗氧化性
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