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三村秀典

作品数：2 被引量：8H指数：1
供职机构：静冈大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 1篇低压驱动
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇电子器件
  • 1篇真空微电子
  • 1篇真空微电子器...
  • 1篇微电子器件
  • 1篇冷阴极
  • 1篇面发射
  • 1篇模拟计算
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇N型
  • 1篇场发射
  • 1篇场致发射

机构

  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇静冈大学
  • 1篇日本东北大学
  • 1篇中国海洋大学

作者

  • 2篇三村秀典
  • 2篇宋航
  • 2篇元光
  • 1篇金亿鑫
  • 1篇缪国庆
  • 1篇宋翠华
  • 1篇蒋红
  • 1篇横尾邦义
  • 1篇李树玮
  • 1篇曹崇龙
  • 1篇屿拹秀隆

传媒

  • 2篇发光学报

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2003
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
可低压驱动的金刚石薄膜冷阴极特性研究被引量：7
2003年
通过在金刚石薄膜表面沉积超薄金属薄膜作为栅极的方法,在10V左右的低压下观察到场发射现象,其发射电子的发散角度为10°左右,接近于面发射;而孤立的金刚石颗粒几乎观测不到场发射。金刚石薄膜的场发射可能来自晶间相。
元光宋航李树玮蒋红缪国庆金亿鑫三村秀典横尾邦义
关键词：低压驱动金刚石薄膜场致发射面发射真空微电子器件
n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算被引量：1
2008年
结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1eV。导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象。
元光曹崇龙宋翠华宋航屿拹秀隆三村秀典
关键词：场发射电子能谱
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共1页<1>
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