龚秀英
- 作品数：18 被引量：15H指数：3
- 供职机构：同济大学电子与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 长波InAsSb材料的结构特性研究
- 2012年
- 用熔体外延(ME)法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,并测量出外延层的厚度达到100μm,用X-射线衍射(XRD)谱研究了InAsSb外延层的结构性质。测量结果表明,InAs/InAs0.023Sb0.977单晶具有相当完美的晶体取向结构及良好的结晶质量,这可能得益于100μm的外延层厚度基本消除了外延层与衬底之间晶格失配的影响。电子探针微分析(EPMA)测量的元素分布图像显示,Sb(锑)元素在外延层中的分布相当均匀。
- 杜传兴高玉竹龚秀英方维政
- 关键词：INASSB
- 用液相外延法生长3～7μm波段InAs/InAs_(1-y)Sb_y及其光学和电学性质被引量：2
- 2012年
- 用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3～7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外(FTIR)透射、光荧光(PL)谱测试以及偏振光椭圆仪研究了外延材料的光学特性。电学性质是将计算值与实测有效霍尔(Hall)参数的厚度关系拟合得到的。结果表明,本文生长的材料在中红外光伏型探测器上具有良好的应用前景。
- 高玉竹龚秀英Makino TYamaguchi TRowell N L
- 关键词：电学性质
- 截止波长12μm的InAs_(0.04)Sb_(0.96)/GaAs的熔体外延生长及特性研究
- 2007年
- 用熔体外延（ME）法在半绝缘（100）GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12μm的InAS0.04Sb0．96外延层。傅立叶变换红外（FTIR）透射光谱揭示，InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄。通过分析InAS0.04Sb0．96外延层载流子浓度的温度依存性表明，其室温禁带宽度为0．1055eV，与透射光谱测得的数值很好地一致。通过测量12-300K的吸收光谱，研究了InAS0．04Sb0．96／GaAs的禁带宽度的温度依存性。霍尔测量得出300K下样品的电子迁移率为4．47×100cm^2／Vs，载流子浓度为8．77×10^15cm^-3；77K下电子迁移率为2．15×10^4cm^2／Vs，载流子浓度为1．57×10^15cm^-3；245K下的峰值迁移率为4．80×10^4cm2／Vs。
- 高玉竹龚秀英陈涌海吴俊
- 关键词：禁带宽度电学性质
- 3-5μm室温探测器用InAs/InAsSb和InAs/InAsPSb的液相外延生长
- 在液相外延系统中采用多井石墨滑动舟成功地生长了InAs/InAsSb多层及InAs/InAsPSb异质外延层。外延生长是在InAs(100)衬底上分别于550oC及600oC左右在高纯H2气氛中进行的。利用稀土元素的吸杂...
- 高玉竹龚秀英胡古今邓会勇方维政戴宁
- 关键词：液相外延纯度
- 文献传递
- 近室温工作的中长波InAsSb探测器被引量：3
- 2018年
- 用熔体外延法(melt epitaxy),在砷化铟(InAs)衬底上,制备了长波铟砷锑(InAs0.05Sb0.95)厚膜单晶。熔体外延法,是一种改进的液相外延法(LPE)。用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,测量出外延层的厚度达到150μm,这个厚度有效地抑制了外延层与衬底之间晶格失配的影响。制作了近室温工作的中长波铟砷锑探测器,是光导型器件,安装了半导体制冷器。250K下,光谱响应的波长范围为2-11μm,峰值响应率为153.7V/W,加装锗(Ge)场镜后,峰值响应率提高到1 912.6V/W,指示了在红外探测领域的应用前途。
- 高玉竹赵子瑞龚秀英魏小梅冯彦斌司俊杰
- 关键词：INASSB光谱响应
- 非制冷型InAsSb光探测器在8～9μm波长的性能提高被引量：2
- 2015年
- 研究提高非制冷型铟砷锑（InAsSb）光子探测器在8~9μm波长的灵敏度。用熔体外延（ME）技术在砷化铟（InAs）衬底上生长了长波长InAsSb厚外延膜,外延层厚达到50μm。X-射线衍射（XRD）谱测量表明,外延层为高质量单晶。电子探针微分析（EPMA）组份分布图像显示,Sb在外延层中的分布比较均匀。用该材料制作了光导探测器,在探测器上安装了锗（Ge）浸没透镜。非制冷条件下,器件的光谱响应证明,InAs0.06Sb0.94探测器在波长8.0μm及9.0μm处的探测率D＊分别为1.30×109 cm·Hz1/2·W-1及0.28×109 cm·Hz1/2·W-1,比InAs0.02Sb0.98探测器提高了1个数量级,这是由于InAs0.06Sb0.94材料中As组份的增加引起的。而在波长6.5μm处,InAs0.06Sb0.94和InAs0.02Sb0.98的峰值探测率D＊λp均达大于1.00×109 cm·Hz1/2·W-1,可应用在红外探测和成像领域。
- 高玉竹龚秀英李继军吴广会冯彦斌Takamitsu MakinoHirofumi Kan
- 关键词：INASSB光谱响应探测率
- 长波InAs0.04Sb0.96材料的结构及p-n结特性研究
- 用X一射线衍射(XRD)测试研究了熔体外延(ME)生长的截止波长为11-12μm的InAs0.04Sb0.96的结构性质。研究了不同生长条件对InAs0.04Sb0.96外延层结晶质量的影响。结果表明,外延层的结晶质量与...
- 高玉竹龚秀英方维政
- 关键词：透射光谱禁带宽度P-N结X射线衍射
- 文献传递
- 室温InAsSb长波红外探测器的研制被引量：6
- 2010年
- 用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8～12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结晶质量,位错密度达到104cm-2量级。室温下,霍尔测量得到的载流子浓度为1～3×1016cm-3,电子迁移率大于5×104cm2/Vs。用此材料制得了2～9μm波段的高灵敏度In-AsSb室温红外探测器。该探测器为浸没型光导元件,安装了镀有SiO或ZnS增透膜的单晶Si光学透镜。在黑体温度为500K、黑体调制频率为800 Hz和外加偏置电流为10 mA的测试条件下,测得293K下该探测器的最高黑体响应度达到168V/W,黑体探测率为2～6×108cm·Hz1/2·W-1,峰值探测率大于1×109cm·Hz1/2·W-1。
- 高玉竹龚秀英吴广会冯彦斌方维政
- 关键词：INASSB红外材料
- 退火处理对长波长InAsSb材料电学性能的影响
- 2014年
- 研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化。用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100μm。在350℃下,在氢气氛中对样品进行了11h的退火。测量结果表明,退火处理使InAsSb样品的电子迁移率从300K下的43600cm2/(V·s)提高到77K下的48300cm2/(V·s),材料的电学性能及元素分布均匀性得到了明显改善。
- 高玉竹周冉龚秀英杜传兴
- 关键词：INASSB退火处理电学性质
- 用熔体外延法生长的截止波长10μm以上的InAsSb单晶被引量：5
- 2004年
- 用熔体外延法,在液相外延系统中,在InAs衬底上成功地生长出了截止波长为11μm的InAsSb单晶.虽然使用液相外延设备,但熔体外延具有不同于液相外延等常规晶体生长方法的创新生长工艺.红外傅里叶光谱测量证明InAsSb材料的截止波长超过10μm.X射线衍射光谱揭示InAsSb外延层具有相当完美的晶体取向结构,且与InAs衬底取向一致,均为(100)方向.霍尔测量结果给出295K下,InAsSb的电子迁移率为4.75×104cm2/Vs,截流子浓度为3.61×1016cm-3;77K下电子迁移率为2.86×104cm2/Vs,载流子浓度为1.50×1016cm-3.数据显示这种材料具有研制新型探测器的良好前景.
- 高玉竹龚秀英方维政徐非凡吴俊戴宁
- 关键词：截止波长液相外延电子迁移率外延层载流子浓度
