您的位置： 专家智库 > >

陶晓明

作品数：32 被引量：93H指数：7
供职机构：中国科学技术大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
相关领域：机械工程电子电信理学核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇期刊文章
  • 6篇专利

领域

  • 11篇机械工程
  • 9篇电子电信
  • 7篇理学
  • 3篇核科学技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇医药卫生

主题

  • 11篇刻蚀
  • 10篇离子束
  • 10篇离子束刻蚀
  • 10篇光刻
  • 9篇软X射线
  • 6篇掩模
  • 6篇光刻掩模
  • 6篇光栅
  • 5篇全息
  • 4篇透射
  • 4篇全息光刻
  • 4篇子线
  • 4篇量子
  • 4篇量子线
  • 4篇光刻胶
  • 3篇透射光
  • 3篇透射光栅
  • 3篇金属线
  • 3篇光学
  • 3篇光学元件

机构

  • 32篇中国科学技术...
  • 1篇中国科技大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇解放军105...

作者

  • 32篇陶晓明
  • 31篇洪义麟
  • 17篇付绍军
  • 16篇霍同林
  • 15篇傅绍军
  • 14篇徐向东
  • 9篇周洪军
  • 6篇阚娅
  • 6篇胡一贯
  • 5篇张新夷
  • 4篇田扬超
  • 3篇周红军
  • 3篇田杨超
  • 3篇夏安东
  • 2篇石军岩
  • 2篇周康源
  • 2篇王君
  • 2篇韩正甫
  • 2篇褚家如
  • 2篇蒋诗平

传媒

  • 4篇光学学报
  • 4篇真空科学与技...
  • 3篇科学通报
  • 3篇微细加工技术
  • 2篇光学技术
  • 2篇量子电子学
  • 1篇传感器技术
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇光子学报
  • 1篇真空
  • 1篇声学技术
  • 1篇光学机械

年份

  • 1篇2004
  • 7篇2001
  • 8篇2000
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 5篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1992
  • 2篇1991
共 32 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种用于制作量子线超微细图形的光刻掩模
本实用新型涉及制作量子线超微细图形过程中所用的掩模。本掩模包括有透明衬底和量子金属线图形，其特征在于所述量子金属线图形依附在透明衬底垂直凸起的光栅的两个侧壁上，本掩模不仅具有稳定性好，使用寿命长的优点，而且由于透明光栅的...
付绍军夏安东田杨超洪义麟阚娅陶晓明胡一贯张新夷
文献传递
氮化硅窗口在大气环境软X射线接触成像中的应用研究
2001年
成功地研制了将软X射线引入大气中的氮化硅窗口。根据具体数据 ,对大气环境下软X射线接触成像的水窗软X射线衰减进行了估算 ;给出成像实验结果并观察到了氮化硅膜上的微粒图像叠加在样品图像上的现象。所得结果与理论估算相一致。即使用 3 2nm的软X射线时 ,同一样品在大气环境中所需的曝光量约为真空中的两倍。这些结果将十分有益于大气环境下的软X射线接触显微术及软X射线扫描透射显微术的研究。
徐向东洪义麟霍同林陶晓明蒋诗平傅绍军
关键词：软X射线显微成像显微术
一种制作活动微结构的方法
本发明制作活动微结构的方法，特征是先在导电的衬底上涂覆光刻胶，根据活动微结构形状制作光刻掩模，光刻、显影，得到和掩模上图形相反的光刻胶图形；采用电镀法直接制作牺牲层；将残留的光刻胶去除干净，再涂覆一层光刻胶，采用光刻和微...
陈大鹏张新夷田扬超刘刚胡一贯阚娅洪义麟陶晓明霍同林付绍军
文献传递
一种量子线超微细图形的制作方法
本发明涉及量子线超微细图线的制作方法，包括利用陡侧壁x光栅制造初始光栅光刻掩模图形，将其转换为刻蚀掩模图形后再转换到所需基片上，其特征在于将初始光栅图形转换到为刻蚀掩模的过程中，先将图形转换到支撑材料薄层上，形成支撑光栅...
付绍军夏安东洪义麟田杨超胡一贯陶晓明阚娅张新夷
文献传递
声表面波压电免疫检测系统的设计被引量：1
2001年
文章报导了一种声表面波压电免疫检测系统 ,它是利用压电元件的质量敏感性质 ,结合生物免疫识别特性而形成的一种自动化分析传感器检测系统 ,可对多种抗原或抗体进行实时、快速的定量测定 ,并可用于反应动力学的研究。具有高特异性、高灵敏度、响应快和小型简便等特点。文中给出了利用该系统进行一些实验研究得到的结果。
叶为全周康源王君陈昕刘胜付绍军陶晓明霍同林洪义麟徐向东周红军鲍继鹏
关键词：叉指换能器抗原声表面波压电免疫传感器反应动力学压电元件
硅的离子束抛光技术研究被引量：3
1995年
介绍了用离子束抛光法获得硅的超光滑表面的方法，并给出了不同抛光条件下表面粗糙度的原子力显微镜（AFM）测量结果，其中最好的表面粗糙度达0.12nm（有效值）。
洪义麟付绍军陶晓明黄文浩褚家如L.MonicaA.M.Baro
关键词：硅超光滑表面硅表面
同步辐射Laminar光栅的研制被引量：10
2001年
采用全息离子束刻蚀和反应离子刻蚀相结合的新工艺 ,在熔石英基片上成功地刻蚀出 2 0 0l/mm、线空比 4:6、槽深 70nm、刻划面积 60× 2 0mm2 的浅槽矩形Laminar光栅。对改进光栅线条粗糙度和线空比的方法进行了系统的研究。这一新工艺相对简单 。
徐向东洪义麟霍同林周洪军陶晓明傅绍军
关键词：全息光刻离子束刻蚀反应离子刻蚀
一种量子线超微细图形的制作方法
本发明涉及量子线超微细图线的制作方法，包括利用陡侧壁x光栅制造初始光栅光刻掩模图形，将其转换为刻蚀掩模图形后再转换到所需基片上，其特征在于将初始光栅图形转换到为刻蚀掩模的过程中，先将图形转移到支撑材料薄层上，形成支撑光栅...
付绍军夏安东洪义麟田杨超胡一贯陶晓明阚娅张新夷
文献传递
用于软X射线显微术的氮化硅窗口的研制被引量：2
1998年
氮化硅膜具有对软X射线吸收较小、成膜光滑、强度大和致密性好等优点，因而常选作为窗口材料。本文主要介绍了用于软X射线显微术的氮化硅窗口的制备工艺，给出在国家同步辐射实验室软X射线显微术实验站使用的实验结果。
徐向东洪义麟付绍军霍同林陶晓明单晓斌蒋诗平
场致发射阵列制作工艺的研究被引量：2
2001年
研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2 绝缘层的去除方法 ,并对这两种方法进行了比较 ,给出了各自的优缺点。
周洪军尉伟洪义麟徐向东陶晓明霍同林付绍军裴元吉
关键词：场致发射阵列反应离子刻蚀化学腐蚀半导体工艺
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0