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陈莹

作品数：4 被引量：16H指数：3
供职机构：中国科学院上海天文台更多>>
发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇单片
  • 4篇低噪
  • 4篇低噪声
  • 4篇低噪声放大器
  • 4篇放大器
  • 3篇单片微波
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片微波集成...
  • 2篇电路
  • 2篇微波集成
  • 2篇微波集成电路
  • 2篇晶体管
  • 2篇宽带
  • 2篇集成电路
  • 2篇放大器设计
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇砷化镓
  • 1篇迁移率
  • 1篇赝配高电子迁...
  • 1篇毫米波

机构

  • 4篇中国科学院上...
  • 4篇中国科学院大...

作者

  • 4篇陈莹
  • 4篇李斌
  • 2篇孙昕
  • 1篇李政凯
  • 1篇陈丽

传媒

  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子技术与软...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
4～10 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计被引量：4
2011年
在单片微波集成电路领域,放大器的设计往往不能兼顾噪声、增益和带宽,通常为达到最佳噪声和增益会限制带宽,或者为增大带宽而牺牲噪声和增益。本文采用稳懋公司0.15μmpHEMT工艺,综合各种因素,设计了一款宽带低噪声放大器电路,其频率范围4～10 GHz,增益约25 dB,噪声温度低于100 K,输入输出回波损耗大于10 dB。
陈莹李斌
关键词：宽带单片集成低噪声放大器
26-40GHz单片微波集成低噪声放大器研究被引量：3
2017年
采用法国OMMIC公司70nm GaAsm HEMT工艺,设计实现一款26-40GHz单片微波集成(MMIC)低噪声放大器,该电路采用四级级联结构,仿真结果表明:在工作频段内增益达到29dB,输入回波损耗优于-10dB,输出回波损耗优于-15dB。
孙昕陈莹李斌
关键词：低噪声放大器毫米波单片微波集成电路砷化镓
5～10GHz MMIC低噪声放大器被引量：8
2017年
采用稳懋公司150 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款5~10 GHz单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该LNA采用三级级联结构,且每一级采用相同的偏压条件,电路的低频工作端依靠电容反馈,高频工作端依靠电阻反馈调节阻抗匹配,从而实现宽带匹配,芯片面积为2.5 mm×1 mm。测试结果表明,工作频率为5~10 GHz,漏极电压为2.3 V,工作电流为70 m A时,LNA的功率增益达到35 dB,平均噪声温度为82 K,在90%工作频段内输入输出回波损耗优于-15 dB,1 dB压缩点输出功率为10.3 dBm,仿真结果与实验结果具有很好的一致性。
孙昕陈莹陈丽李斌
8-20GHz 宽带单片微波集成低噪声放大器设计被引量：4
2014年
基于其体积小、重量轻、一致性好等特点,单片微波集成电路的低噪声放大器在射电天文中有着重要作用。本文采用稳懋公司150 nm和100 nm赝高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺设计了两款低噪声放大器电路,成功流片,并进行比较。两款放大器的工作频率范围均为8-20 GHz,增益约为23~28 dB,噪声温度低于150K,输入输出回波损耗大于10 dB。
李政凯陈莹李斌
关键词：宽带单片集成低噪声放大器
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