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陈燕生

作品数：7 被引量：2H指数：1
供职机构：北京科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 6篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇中子
  • 2篇中子辐照
  • 2篇微缺陷
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片表面
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇SI单晶
  • 2篇硅
  • 2篇氢
  • 1篇氧沉淀
  • 1篇退火
  • 1篇退火行为
  • 1篇功率器件
  • 1篇硅单晶
  • 1篇NTD
  • 1篇FZ

机构

  • 7篇北京科技大学
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇山东师范大学

作者

  • 7篇陈燕生
  • 6篇刘桂荣
  • 2篇马纪东
  • 1篇陈炳贤
  • 1篇高秀清
  • 1篇陈鲁生
  • 1篇李怀祥
  • 1篇王培清
  • 1篇薛成山
  • 1篇周武
  • 1篇张文成
  • 1篇郑慧秀
  • 1篇陈炳贤

传媒

  • 3篇稀有金属
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇山东师范大学...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1990
  • 1篇1986
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
硅单晶中的氢催化氧沉淀
1998年
红外光谱法研究了硅单晶中的氢催化氧沉淀．氧含量为６×１０１７ａｔｏｍｓ·ｃｍ－３的直拉硅（ＣＺ—Ｓｉ）经氢气氛下区熔再成晶后，间隙氧浓度下降约２０倍．红外光谱测量１２３０ｃｍ－１吸收带结果表明，６５０～８５０℃热处理同样的时间，区熔后样品比原直拉硅样品含有更多的氧沉淀，这是氢催化的结果．
李怀祥薛成山周武陈鲁生周武陈燕生
关键词：氧沉淀硅单晶
制备单晶硅片表面完整层的新途径
本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术。发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅。经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层，为集成电路用硅材料提供了新的可能途径。
陈燕生马纪东刘桂荣
区熔吸除硅片的制备和应用被引量：1
1994年
氢气氛下拉制的区熔硅单晶，经中子辐照和分步热处理可制备出区熔吸除硅片。铜缀饰表明，氢沉淀具有很强的吸铜作用。在硅靶摄像管的应用中，证实了区熔吸除硅片制成的管芯性能良好。
陈燕生刘桂荣
制备单晶硅片表面完整层的新途径
本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术。发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅。经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层，为集成电路用硅材料提供了新的可能途径。
陈燕生马纪东刘桂荣
文献传递
硅中氢致缺陷和微缺陷氢沉淀的消除及其应用被引量：1
1996年
氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶，原生晶体经化学腐蚀，观察不到缺陷，包括微缺陷。但当块状热处理后，经腐蚀常常观察到尺度ｍｍ数量级的氢致缺陷（　型缺陷、麻坑）和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷，原生单晶需片状供应，片厚应小于１ｍｍ，或中照后的区熔（氢）硅单晶，片状，９４０℃、０．５ｈ退火，均能消除之。在电力电子器件的应用中。
陈燕生刘桂荣李怀祥
关键词：硅单晶氢
NTDFZ（H）－Si单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用
1995年
ＮＴＤＦＺ（Ｈ）－Ｓｉ单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用陈燕生，刘桂荣，王培清（北京科技大学１０００８３）（清华大学电力电子厂）陈炳贤，张文成，郑慧秀，解俊东（中国科学院原子能研究院）（冶金部自动化研究院）关键词：区熔，硅单晶，热处理，微缺陷，...
陈燕生刘桂荣王培清陈炳贤张文成郑慧秀解俊东
关键词：单晶微缺陷功率器件
区熔工艺和中照条件对NTD FZ(H)-Si单晶退火行为的影响被引量：1
1990年
采用后热区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶,其退火曲线与常规区熔(氢)工艺控制的NTD FZ(H)-Si单晶退火曲线一样,有氢施主,而采用后冷区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶其退火曲线没有氢施主,但有辐照。辐照施主峰大小与快中子积分通量有关,通量愈大热快比愈小,辐照施主峰愈大。
陈燕生李秋生王丛华陈炳贤高秀清
关键词：单晶退火
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