贺其元
- 作品数：26 被引量：141H指数：6
- 供职机构：中国人民解放军92323部队更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信军事更多>>
- 对空气式静电放电的研究被引量：8
- 2006年
- 为改善空气放电模拟方法，用静电放电模拟测试装置研究了IEC标准规定的空气式静电放电的放电特性。通过手动方式使充电后的放电电极快速靠近电流靶获得空气静电放电事件，放电电压具有2～20kV较宽范围的电压电平和正负电压极性。利用Agilent数字存储示波器测量了空气静电放电放电电流的上升时间、峰值以及耦合到自制的金属半圆环上的峰-峰值电压，并记录了放电电流和耦合电压的波形。通过分析和比较测量结果研究了测量参数随放电电平的变化趋势。空气放电电流的特性与静电放电抗扰度试验标准IEC61000-4-2对接触式放电的规定类似，耦合电压与放电电压之间没有直接的相关性。实验表明在一定电压范围、电极速度可控时可能获得空气放电的重复性。
- 贺其元刘尚合陈京平武占成
- 关键词：抗扰度试验
- 某电子系统的ESD抗扰度性能研究被引量：5
- 2008年
- 对某军用电子系统(简称被试系统)进行了静电放电(ESD)抗扰度试验,研究了不同放电模式下系统受ESD干扰情况。当放电电压低于2 kV时,ESD对于被试系统基本不造成干扰;当放电电压超过2 kV后,被测系统信号出现了过零点不正常、不翻转和死机三种现象。分析认为被试系统中检测仪在电磁兼容性(EMC)方面存在的问题,是影响整个被试系统抗扰度的主要原因。采取电磁防护加固措施能提高系统的ESD抗扰度性能。
- 孙国至刘尚合安霆张勇强贺其元
- 关键词：静电放电电磁环境电磁兼容抗扰度
- 不同ESD模型对集成电路的损伤效应研究
- 在三种标准的ESD模型下对某集成电路器件进行了注入损伤效应实验,结论有:建立起了集成电路芯片上的功率和能量(含平均值和峰值)与ESD放电电压之间的关系模型,可表示为函数:Y=AXB;不同ESD模型下器件的损伤阈值变化范围...
- 陈京平刘尚合谭志良贺其元
- 关键词：ESD模型集成电路
- 文献传递
- 集成电路方波脉冲注入损伤效应实验研究被引量：6
- 2006年
- 为了得到各损伤参数随脉宽的变化规律,寻找建立评价复杂EMP波形对集成电路损伤模型的依据,对2种典型的集成电路器件进行了方波脉冲注入损伤实验.结果表明：RAM6264损伤电压、电流及功率均随脉宽增大而减小,损伤能量处于某一小范围之内,可能属于能量损伤型器件;BG305损伤电压、功率随脉宽增大而减小,损伤能量随脉宽增大而增大,损伤电流处于某一个小范围之内,可能属于电流损伤型器件.
- 陈京平刘尚合谭志良贺其元
- 关键词：集成电路方波脉冲
- 空气式静电放电的放电特性研究被引量：2
- 2006年
- 利用简单的静电放电模拟测试装置对IEC标准规定的空气式静电放电的放电特性进行了研究。对放电电流的上升时间、峰值、自制金属半圆环上的耦合电压峰-峰值进行了测量,并用数字存储示波器记录了放电电流和耦合电压的波形。在较宽范围的电压电平和正负电压极性上进行了空气放电。对空气式静电放电的重复性、频谱特性和耦合特性等进行了分析。对空气式静电放电的放电特性研究可为静电放电抗扰度试验方法提供参考。
- 贺其元刘尚合陈京平
- 关键词：抗扰度试验
- 空气ESD辐射电磁场和放电间隙区分布研究被引量：2
- 2011年
- 在固定放电空气间隙条件,利用电流靶和半圆环天线对空气静电放电(ESD)的辐射电磁场进行了探测和记录,根据空气ESD辐射电磁场的特征研究了空气ESD的放电特性和放电间隙区分布规律。提出了空气ESD存在"增长间隙区"、"跌落间隙区"、"平坦间隙区"和"零放电间隙区"4个放电间隙区,放电间隙区的分布主要与放电电压的大小相关,且在高电压时各放电间隙区分布更明显;一定电极接近速度下的空气ESD与一定放电间隙区的空气ESD相对应。
- 贺其元王俊茂施荣绪
- 关键词：辐射电磁场近场远场
- 空气静电放电抗扰度试验方法研究
- 利用简单的静电放电模拟测试装置对空气静电放电抗扰度试验方法进行了研究.测量了放电电流的上升时间、峰值、自制金属半圆环上的耦合电压峰-峰值,使用数字存储示波器记录了电流电压波形.在较宽范围的电压电平和正负电压极性上进行了空...
- 贺其元刘尚合陈京平
- 关键词：静电放电抗扰度试验
- 文献传递
- ESD与方波脉冲对集成电路注入损伤的比较研究
- 2007年
- 采用方波脉冲和ESD脉冲对3种集成电路进行了注入损伤效应实验，目的是比较二者对器件损伤的异同之处。分析时，首先对实验数据作拟合分析，建立起相关的数学模型，然后将模型值和实际值进行比较。可得到结论：实验器件有高压强场致PN结击穿和热效应2种损伤模式。对同一种器件，2种注入方式下的损伤模式相同或类似。方波注入下，各损伤阈值参数可拟合为1个式子来描述它们之间的关系，ESD注入下则还不确定；对同一器件，不同注入方式下的阈值不同，目前结果表明相差2～3倍。
- 陈京平谭志良贺其元
- 关键词：方波脉冲集成电路
- ESD脉冲对集成电路损伤效应的实验研究被引量：10
- 2007年
- 为了研究复杂波形脉冲对集成电路的损伤效应，用改变ESD模拟器放电参数产生的不同的静电放电脉冲对某集成电路芯片进行了注入损伤效应实验。给出了各主要的损伤参数与放电电压的散点图。并借助曲线拟合的方法进行了分析。结果表明：IC芯片注入通路上的电阻在脉冲波形发生变化时变化不大。电流随放电电压增大；芯片上的峰值功率及峰值能量与放电电压满足P（W）=AUD^B。最后，比较了各脉冲注入下器件的主要参数损伤阈值，得到结论：ESD模拟器放电参数改变对器件损伤阈值大小的影响在1～2倍间。相同参数在不同注入脉冲下的阈值处于同数量级。
- 陈京平刘尚合谭志良贺其元
- 关键词：静电放电脉冲集成电路
- 虚拟暗室系统实验研究被引量：2
- 2008年
- 讨论了虚拟暗室系统的组成和应用,在此基础上设计了实验,在实际中对其背景滤除模式和干扰源定位模式进行了使用,对结果的分析表明:实验中的平均背景滤除强度为11.323 dBμV/m,随着背景天线与设备天线之间距离的减小,滤除效果变差;当背景中含有强度与设备产生信号强度相当的分量时,背景滤除的效果不理想。因此,背景滤除实质是一种平均滤除,在一些局部分量上得不到满意的效果。同时,两个天线性能参数的一致性等因素也会影响到背景滤除的效果。干扰源定位模式可区分同频但不同源的信号,通过比较前后两次相关的结果,不仅可确定设备产生的频谱分量,还可定位干扰源。
- 陈京平刘建平田军生贺其元
- 关键词：干扰源定位
