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葛瑞

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 8篇半导体
  • 8篇半导体器件
  • 6篇掩模
  • 6篇绝缘
  • 6篇绝缘介质
  • 6篇槽栅
  • 4篇漂移
  • 2篇导电
  • 2篇导电材料
  • 2篇导电类型
  • 2篇有源
  • 2篇平坦化
  • 2篇离子注入
  • 2篇介质材料
  • 2篇功率半导体
  • 2篇功率半导体器...
  • 2篇功率器件
  • 2篇沟槽
  • 2篇高温扩散
  • 2篇半导体功率器...

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇陈曦
  • 8篇雷天飞
  • 8篇姚国亮
  • 8篇葛瑞
  • 8篇罗小蓉
  • 8篇王元刚
  • 4篇张波
  • 4篇李肇基

年份

  • 4篇2012
  • 4篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
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一种具有高K介质槽的半导体功率器件
一种具有高K介质槽的半导体功率器件，属于功率半导体器件技术领域。器件包括半导体衬底、半导体衬底上的半导体漂移区、半导体漂移区上的有源区和槽栅结构；所述半导体漂移区包括导电类型相同的第一、第二半导体区，所述第二半导体区的掺...
罗小蓉姚国亮王元刚雷天飞陈曦葛瑞张波李肇基
文献传递
一种具有高K介质槽的半导体功率器件
一种具有高K介质槽的半导体功率器件，属于功率半导体器件技术领域。器件包括半导体衬底、半导体衬底上的半导体漂移区、半导体漂移区上的有源区和槽栅结构；所述半导体漂移区包括导电类型相同的第一、第二半导体区，所述第二半导体区的掺...
罗小蓉姚国亮王元刚雷天飞陈曦葛瑞张波李肇基
超结结构和超结半导体器件的制造方法
本发明公开了一种超结结构和超结半导体器件的制造方法，通过刻蚀沟槽、小倾角离子注入、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等工艺关键步骤形成新型半导体超结及超结器件。相对于现有技术，本发明具有以下优点：第一，避免采用...
罗小蓉姚国亮王元刚雷天飞葛瑞陈曦
具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法
本发明公开了一种新型具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法，通过多次外延多次注入、刻蚀延伸沟槽、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种新型超结结构和超结半导体器件的工艺制造。相对于现有技术...
罗小蓉王元刚姚国亮雷天飞葛瑞陈曦
文献传递
一种槽型纵向半导体器件的制造方法
一种槽型纵向半导体器件的制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、高温扩散、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种一种槽型纵向半导体器件的工艺制造。相对于已有的工艺，本发明...
罗小蓉王元刚姚国亮雷天飞葛瑞陈曦张波李肇基
文献传递
超结结构和超结半导体器件的制造方法
本发明公开了一种超结结构和超结半导体器件的制造方法，通过刻蚀沟槽、小倾角离子注入、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等工艺关键步骤形成新型半导体超结及超结器件。相对于现有技术，本发明具有以下优点：第一，避免采用...
罗小蓉姚国亮王元刚雷天飞葛瑞陈曦
文献传递
具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法
本发明公开了一种新型具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法，通过多次外延多次注入、刻蚀延伸沟槽、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种新型超结结构和超结半导体器件的工艺制造。相对于现有技术...
罗小蓉王元刚姚国亮雷天飞葛瑞陈曦
一种槽型纵向半导体器件的制造方法
一种槽型纵向半导体器件的制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、高温扩散、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种一种槽型纵向半导体器件的工艺制造。相对于已有的工艺，本发明...
罗小蓉王元刚姚国亮雷天飞葛瑞陈曦张波李肇基
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