王学毅
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 供职机构：重庆中科渝芯电子有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 100nm超浅结制作工艺研究被引量：3
- 2007年
- 在对深亚微米技术的探索中,通过实践,得到了100 nm以下N型高掺杂浓度超浅结的工艺流程。介绍了采用低能量离子注入技术结合快速热退火技术制作超浅结的方法,并对需要考虑的沟道效应及瞬态增强扩散效应进行了机理分析。
- 王学毅徐岚唐绍根
- 关键词：超浅结快速热退火离子注入沟道效应
- 通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法
- 本发明公开了一种通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的制作方法，包括：1)对硅衬底进行氟离子注入；2)对所述硅衬底进行氮离子注入；3)对所述硅衬底进行硼离子注入；4)对所述硅衬底进行氮气退火。本发明通过采用氟、氮、硼混合注入...
- 王学毅张扬波张正元谭开洲
- 文献传递
- PJFET与双极兼容工艺技术研究被引量：2
- 2009年
- 通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究，解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点，得到了IDSS=150-350μA（W／L=10：1）、Vp=0．8～1．2V、IGSS=10^-12～10^-11 A的高性能PJFET和β=100-250、BVCEO≥36V、Ua≥100V的NPN管。采用该技术，成功研制出一种偏置电流小于100pA的高精密双极结型场效应晶体管（BJFET）集成运算放大器，获得了良好的效果。
- 税国华唐昭焕刘勇欧宏旗杨永晖王学毅黄磊
- 关键词：集成运算放大器
- 低温度系数的CrSi薄膜电阻的制备工艺被引量：5
- 2017年
- 采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶粒间距,进而影响CrSi薄膜电阻的电阻率。通过优化溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量,得到合适的晶粒大小和晶粒间距,从而得到电阻温度系数为-3.88×10-6/℃的CrSi薄膜,为CrSi薄膜电阻的集成应用提供了工艺基础。
- 王飞陈俊王学毅常小宇冉明杨永晖杨伟
- 关键词：磁控溅射温度系数电阻率
- 键合SOI材料应力的控制技术被引量：2
- 2017年
- 在基于绝缘体上硅(SOI)材料的IC器件及MEMS器件研发过程中,薄膜应力引起的晶圆变形、膜层脱落等工艺问题,制约了其研发进度和器件性能。对键合SOI材料整体残余应力展开研究,推出埋氧层、背面氧化层、衬底厚度与SOI整体残余应力的关系,并采用翘曲度值表征由残余应力引起的SOI形变的大小,弯曲度的正负表征SOI形变的方向。针对IC和MEMS产品在开发过程中因残余应力过大而引起的光刻无法吸片、牺牲层释放不干净等问题,通过工艺优化,制备出与残余应力方向相反、应力大小适中的SOI片,从而抵消了部分残余应力,翘曲度由200μm以上下降到100μm以内,有效解决了工艺异常问题。
- 陈俊王学毅谭琦杜金生吴建
- 关键词：翘曲度压应力
- 亚微米间距PECVD填隙工艺研究被引量：1
- 2016年
- 将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金属条间隙的空洞问题。实验结果表明,在尺寸大于0.5μm的金属条间隙中没有发现介质填充的空洞问题。空洞问题的解决,使得"三步填充法"的介质填充技术在工艺中能够实用化,并应用到亚微米多层金属布线工艺当中。
- 王学毅王飞冉明刘嵘侃杨永晖
