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王存

作品数:6 被引量:10H指数:2
供职机构:中国科学技术大学更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇气敏
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 2篇氧化物
  • 2篇气敏材料
  • 2篇气敏性
  • 2篇气敏性质
  • 2篇复合氧化物
  • 1篇电场
  • 1篇电场分布
  • 1篇增益
  • 1篇三元系
  • 1篇天线
  • 1篇透镜天线
  • 1篇宽角
  • 1篇宽角扫描
  • 1篇高增益
  • 1篇光线追迹
  • 1篇二元系
  • 1篇SN

机构

  • 6篇中国科学技术...

作者

  • 6篇王存
  • 4篇沈瑜生
  • 4篇王弘

传媒

  • 2篇传感器技术
  • 2篇传感技术学报

年份

  • 1篇2020
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
CdSnO_3的合成、结构与气敏性质被引量:1
1993年
如今,人们深知单一组分半导体气敏材料,即使掺杂,其性能也终不能令人满意,因而出现具有特定结构的复合氧化物气敏材料,如ZnSnO_3、LaFeO_3以及稀土氧化物与二氧化锡的复合氧化物.作者为此研究了CdO和SnO_2复合氧化物的合成条件、结构及气敏性质,得到了一些有价值的结果.1 实验1.1
王存王弘沈瑜生
关键词:半导体材料气敏性质
Zn_mCd_(l-m)_Sno_3的合成、结构及气敏性质研究被引量:2
1994年
本文探讨了Zn_mCd_(1-m)SnO_3的合成条件,以及固相反应产物物相与组分相对量、反应温度的关系.结果表明:当m=0.5,0.7.0.9时,所出现的产物为非常稳定的钙钛矿型Zn_xCd_(1-x)SnO_3复合氧化物;但当m=0.1,0.3时,除生成Zn_xCd_(1-x)SnO_3外,还出现一个未知物相.研究结果证实了Zn_mCd_(1-x)SnO_3均表现出气敏效应(特别是m=0.5).Zn_(0.7)Cd_(o.3)SnO_3,Zn_(0.3)Cd_(0.7)SnO_3,分别是性能较好的C_2H_5OH及C_2H_2敏材料.
王存王弘沈瑜生
关键词:半导体材料气敏性质
高增益宽角扫描透镜天线及其阵列
随着通信技术的发展,对天线增益、波束覆盖范围的要求也在不断提高。传统阵列天线可实现高增益辐射以及波束扫描等功能,但存在着系统复杂、扫描范围受限等问题。梯度折射率透镜根据其内部特定的折射率分布,可以实现对电磁波传播的特定调...
王存
关键词:透镜天线光线追迹电场分布
复合氧化物气敏材料的进展被引量:4
1994年
较全面、系统地评述了近年来复合氧化物气敏材料的进展,指出了这类材料存在的主要问题,对今后的发展前景作了展望。
王存王弘沈瑜生
关键词:氧化物气敏材料
Cd.Sn二元系及Cd.Zn.Sn三元系复合氧化物的合成结构气敏性质研究
王存
掺杂对CdSnO_3气敏性能的影响被引量:2
1993年
研究了贵金属及金属氧化物对CdSnO_3气敏性能的影响.发现不同的Fe_2O_3、La_2O_3的掺入量对材料的气敏性能有不同的影响,贵金属Pt、Pd、Ag及某些金属氧化物对CdSnO_3的灵敏度和选择性也有影响.掺入La_2O_3及MgO的CdSnO_3可作酒敏材料,掺Pd的CdSnO_3可作乙炔敏材料.
王存王弘沈瑜生
关键词:掺杂半导体材料气敏材料
共1页<1>
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