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沈德新

作品数：1 被引量：14H指数：1
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇亚胺
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇牺牲层
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇开关
  • 1篇刻蚀
  • 1篇MEMS开关
  • 1篇MW

机构

  • 1篇华东师范大学

作者

  • 1篇忻佩胜
  • 1篇胡梅丽
  • 1篇沈德新
  • 1篇茅惠兵
  • 1篇赖宗声

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
RF/MW MEMS开关中聚酰亚胺的牺牲层技术研究被引量：14
2005年
目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料。在涂胶前,对聚酰亚胺进 行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求。光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐 蚀。显影后选择不同固化处理温度和时间,对聚酰亚胺的性质有不同的影响。MEMS开关的梁结构 完成后,聚酰亚胺需通过刻蚀的方法去除。实验结果表明,固化温度小于170℃,可采用碱性溶液湿 法腐蚀的方法去除;固化温度大于200℃,需采用O2等离子刻蚀方法。
胡梅丽赖宗声茅惠兵忻佩胜沈德新
关键词：聚酰亚胺牺牲层刻蚀MEMS开关
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共1页<1>
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