汤振杰
- 作品数：68 被引量：12H指数：2
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- 相关领域：理学自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>
- 非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用
- 本发明涉及非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用，制备方法操作简单、易于控制，所得存储器件中作为存储介质的纳米微晶分布均匀。所述非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿...
- 汤振杰夏奕东殷江刘治国
- 文献传递
- 高介电常数HfAlO氧化物薄膜基电荷俘获型存储器件性能研究被引量：2
- 2013年
- 利用原子层沉积方法制备了高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件,并对器件的电荷存储性能做了系统研究.利用高分辨透射电子显微(HRTEM)技术表征了(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜的形貌、尺寸及器件结构.采用4200半导体分析仪测试了存储器件的电学性能.研究发现,存储器件在栅极电压为±8V时的存储窗口达到3.5V;25℃,85℃和150℃测试温度下,通过外推法得到,经过10年的数据保持时间,存储器件的存储窗口减小量分别为17%,32%和48%;(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件经过105次写入/擦除操作后的电荷损失量仅为4.5%.实验结果表明,利用高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜作为存储层能够提高器件的电荷俘获性能,具有良好的应用前景.
- 汤振杰张婷殷江
- 关键词：高介电常数原子层沉积
- 电荷存储器的性能对(ZrO2)x(SiO2)1-x组分的依赖
- 采用不同的(ZrO2)x(SiO2)1x薄膜(x=1.0,0.92,0.79,0.63,0.46,0.28,0.17和0.08)作为电荷存储层制备了电荷陷阱闪存器件.研究了存储窗口、数据保持性能及写入/擦除速度等存储性能...
- 汤振杰陆旭兵杨玉鹏张静马东伟李荣张希威胡丹李廷先
- 外延BiFeO_3多铁性纳米岛的化学自组织法制备及其表征被引量：2
- 2010年
- 采用化学自组织方法在SrTiO_3(100)及Nb-掺杂SrTiO_3(100)单晶衬底上制备了外延BiFeO_3纳米岛,并利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对纳米岛的相结构及形貌进行了表征.结果表明,在650～800℃下后退火1h可获得外延的BiFeO_3纳米岛,岛横向尺寸在50～150 nm之间,纵向尺寸在6～12 nm之间.随着纳米岛后退火温度的升高,其(100)面内的几何形貌由三角形状转向四边形状,然后再趋向于长棒状.利用压电力显微镜,对单个BiFeO_3纳米岛(横向尺寸～50 nm,高度12 nm)的铁电特性进行表征.结果表明,单个外延BiFeO_3纳米岛内存在分形铁电畴和自偏压极化现象,其中自偏压极化现象来源于外延BiFeO_3纳米岛与SrTiO_3单晶衬底之间的界面应力.
- 朱信华杭启明邢智彪汤振杰宋晔朱健民刘治国
- 关键词：BIFEO3
- 原子层沉积系统的原理及其在ZrO_2薄膜制备方面的应用
- 2016年
- 原子层沉积系统是氧化物薄膜制备的主要手段。阐述了原子沉积的主要原理及工艺参数。利用原子层沉积系统制备了高介电常数ZrO_2薄膜材料,系统研究了薄膜的电学性能。研究结果表明,原子层沉积系统制备的ZrO_2薄膜具有良好的介电性能,±8V扫描电压下的漏电流密度为10-3A·cm-2。
- 汤振杰李荣
- 关键词：原子层沉积高介电常数材料
- 一种层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜太阳能电池
- 本实用新型公开了一种层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜太阳能电池。其包括衬底层、层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜、层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜的一侧设有L型金属金电极，另一侧设有L型金属钛电极。层间组...
- 张希威孟丹汤振杰
- 文献传递
- 椭圆截面圆环和扭圆环的转动惯量
- 2020年
- 首先建立了椭圆截面的圆环和扭圆环的数学模型,然后根据定义计算绕3个坐标轴的轴转动惯量和惯量积,其间充分利用截面图形的对称性对计算过程简化,得到一些有益的结论和结果.
- 于凤军田俊龙汤振杰张希威
- 关键词：转动惯量惯量积
- 纳米晶及纳米叠层基电荷俘获型存储器的研究
- 自从非易失性半导体存储器诞生以来,浮栅型存储器一直是存储器市场上的主流产品。随着半导体器件特征尺寸逐渐缩小和集成度的不断提高,浮栅型非易失性存储器件已经很难满足存储器的微型化要求。特别是当半导体器件的特征尺寸减小到22n...
- 汤振杰
- 关键词：非易失性存储器
- 文献传递
- 基于异类叠层存储层的电荷存储器件的制备方法
- 本发明公开了一种基于异类叠层存储层的电荷存储器件的制备方法，借助脉冲激光沉积系统，在隧穿层表面依次沉积三层Hf<Sub>x</Sub>Zr<Sub>1‑x</Sub>O<Sub>2</Sub>、La<Sub>y</Sub...
- 汤振杰李荣张希威
- 基于带隙调控的新型电荷陷阱型存储器、其制备方法及应用
- 本发明公开了一种基于带隙调控的新型电荷陷阱型存储器件的制备方法，利用带隙调控的(ZrO<Sub>2</Sub>)<Sub>x</Sub>(Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)<Sub>1-x</Sub...
- 汤振杰李荣
- 文献传递
