桑立军
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京印刷学院更多>>
- 发文基金：北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室开放课题基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- DBD等离子体合成类金刚石薄膜及其性能表征
- 本文利用一种新颖的高气压介质阻挡放电(DBD)等离子体下游区装置，以CH4 、H2和Ar 气体分别作为碳源与稀释气体，成功地进行了快速合成类金刚石薄膜的探索。实验分别研究了不同气体比例条件下类金刚石薄膜的生长情况，并对所...
- 付亚波桑立军常龙龙许文才
- 关键词：类金刚石薄膜性能表征
- 文献传递
- 等离子体辅助化学气相沉积纳米氧化硅薄膜及其在聚合物太阳电池封装上的应用
- 聚合物太阳电池作为新型可再生能源引起人们的广泛研究,然而限制其商业化的主要原因之一是它吸收空气中的水汽和氧气后,容易引起电池性能的衰退.本文使用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)技术在聚酯(PET)薄膜上沉积高阻隔性...
- 桑立军张春梅王正铎刘忠伟杨丽珍陈强
- 关键词：PECVD氧化硅聚合物太阳能电池封装
- 等离子体辅助原子层沉积设备、薄膜制备及性能测试
- 随着半导体工业的迅猛发展,不断缩小的器件尺寸对薄膜材料的制备技术及薄膜材料的性能提出了越来越高的要求。预测在2013年半导体工艺将实现32纳米节点时,如Dynamic Ranldom Access Memory(DRAM...
- 陈强李兴存雷雯雯赵侨桑立军刘忠伟王正铎杨丽珍
- 关键词：等离子体辅助原子层沉积反应机理
- 文献传递
- DBD等离子体合成类金刚石薄膜及其性能表征被引量：3
- 2008年
- 利用一种新颖的高气压介质阻挡放电(DBD)等离子体下游区装置,以CH4、H2和Ar气体分别作为碳源与稀释气体,成功地进行了快速合成类金刚石薄膜的探索。实验分别研究了不同气体比例条件下类金刚石薄膜的生长情况,并对所合成的薄膜分别进行了水接触角、表面粗糙度、红外光谱和Raman光谱测试分析。结果表明,在放电等离子体下游区能够快速沉积特征峰明显的类金刚石薄膜,充分体现了高气压介质阻挡放电在材料合成方面的优势。
- 付亚波桑立军常龙龙许文才
- 关键词：类金刚石薄膜性能表征
- 等离子体辅助化学气相沉积制备高阻隔纳米薄膜在聚合物太阳能电池上的应用
- 聚合物太阳能电池作为新型可再生能源引起人们的广泛研究,然而限制其商业化的主要原因是空气中的水汽和氧气容易引起电池性能的衰退。本文使用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)技术在PET薄膜上制备高阻隔性纳米氧化硅薄膜并对聚...
- 齐磊张春梅桑立军陈强
- 关键词：PECVD氧化硅聚合物太阳能电池封装
- 文献传递
- 等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的研究
- 近年来，碳化镍薄膜由于具有优良催化性能引起人们的关注.传统的碳化镍薄膜是通过湿化学合成[1]和化学气相沉积的方法制备[2].本文利用氢等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术，以Ni(tBu2DAD)2作为镍源，制备了碳...
- 郭群刘忠伟陈强桑立军
- 关键词：电解催化
- 微波表面波等离子体沉积纳米氧化硅、DLC薄膜时均匀性影响因素的研究
- 为在获得表面波等离子体放电沉积薄膜的均匀性,我们研究影响沉积薄膜氧化硅和类-金刚石(DLC)薄膜均匀性的影响因素。一是单体的影响。我们发现分别采用六甲基硅氧烷(HMDSO)和乙炔为单体,在表面波放电中沿着放电天线沉积的薄...
- 印莲花王正铎桑立军杨丽珍郝艳萍曹海燕王子玉陈强
- 关键词：DLC均匀性
- 氧等离子体辅助原子层沉积氧化铝的研究
- 2016年
- 本文研究氧等离子体辅助原子层沉积氧化铝中各个沉积参数对薄膜性能和结构的影响。在氧等离子体辅助原子层沉积氧化铝的过程中,通过改变基底温度、等离子体放电时间、等离子体放电功率、单体三甲基铝冲洗时间和反应气体氧气冲洗时间,研究了工艺参数对于氧化铝的生长的影响。通过发射光谱仪(OES)对等离子体进行检测,原子力显微镜(AFM)和椭偏(SE)对薄膜表面形貌、厚度和折射率进行测量及SEM对薄膜断面进行检测。结果显示,在室温下氧等离子体辅助氧化铝沉积需要较长的单体三甲基铝的冲洗时间才能得到粗糙度小的薄膜,薄膜沉积速率随温度的升高而减小(低的沉积温度),薄膜的折射率则变大。而等离子体在40W到80W的低放电功率下,放电功率对氧化铝的沉积速率影响不大。
- 方明桑立军杨丽珍陈强
- 关键词：氧化铝原子层沉积OES
