林舜辉
- 作品数：19 被引量：91H指数：5
- 供职机构：汕头大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金广东省科委资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程文化科学更多>>
- 氢化非晶硅薄膜光吸收谱的恒定光电流测量法
- 1997年
- 本文报道了光吸收谱的恒定光电流（ＣｏｎｓｔａｎｔＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏｄ）测量法，并用其测量了高速沉积的氢化非晶硅薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的光吸收谱，同时观测了ＳｔａｅｂｌｅｒＷｒｏｎｓｋｉ（ＳＷ）效应中样品吸收系数的变化。
- 林舜辉陈忍昌林逸华林璇英
- 关键词：氢化非晶硅光吸收谱
- 用标准跳线对比法测量光纤活动连接器插入损耗
- 2002年
- 本文分析光纤活动连接器产生插入损耗的原因 ,介绍减小插入损耗的一些方法 ,并用标准跳线对比法测量光纤活动连接器的插入损耗 .用标准跳线对比法测量能很好消除连接器产生的反向反射光的影响 ,使测量结果更为准确 。
- 黄翀欧阳艳东林舜辉
- 关键词：光纤活动连接器插入损耗偏心率光纤通信
- 无阻尼时滞双线性系统动态输出反馈镇定问题
- 2002年
- 本文讨论一类无阻尼时滞非线性系统的可镇定问题 .利用系统状态全维 Luenberger观测器的设计思想、L yapunov- Krasovskii泛涵法和分离原理 。
- 张振娟林舜辉
- 关键词：可镇定性控制器
- 非晶硅薄膜厚度均匀性对其透射光谱的影响被引量：6
- 2004年
- 针对膜厚的均匀性对非晶硅薄膜透射光谱 (40 0～ 1 0 0 0 nm)的影响问题 ,通过模拟计算分析在不同膜厚、厚度 (线性 )变化率和照射面积条件下 ,厚度均匀性对谱线的影响 .结果表明这种影响主要发生在薄膜的无吸收区和弱吸收区 ,表现为峰—峰值变小和振荡周期畸变 .
- 余云鹏林舜辉黄翀林璇英
- 关键词：非晶硅薄膜透射光谱光电材料
- 大学物理实验课程问卷调查及改革实践被引量：1
- 2021年
- 为提高大学物理实验教学质量,实验中心对大学物理实验课程进行了问卷调查,分析和总结了实验预习、教学指导、操作、报告等实验教学环节出现的问题.以问卷调查结果为课程改革依据,提出了将信息技术深度融合实验教学的改革方案.建设微信公众教学平台和虚拟仿真教学平台,辅助实验预习;建立以学生合作学习模式为主,教师指导为辅的教学指导模式,建立在线答疑学习群,全程覆盖课程答疑.有针对性地解决传统教学模式各环节出现的问题,提高了大学物理实验教学质量和水平.
- 吕秀品李林池凌飞林舜辉杨玮枫
- 关键词：大学物理实验问卷调查教学改革
- 光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响被引量：2
- 2006年
- 报道了SiCl4/H2等离子体化学气相沉积方法制备的未掺杂微晶硅薄膜,在短时间光照或加上直流偏压后其室温暗电导随时间缓慢变化的行为.Raman散射谱结果表明,薄膜的晶态体积比大于70%.暗电阻的实验结果显示:材料具有弱的持久光电导效应;薄膜的暗电导在外加直流电场的作用下缓慢上升,电场反向后出现暗电导的恢复过程,而且暗电导变化速度与偏压大小和温度有关.根据异质结势垒模型,指出外加条件下载流子的空间分离和重新分布以及材料非均匀性造成的势垒是引起电导缓慢变化的主要原因.
- 余云鹏林璇英林舜辉黄锐
- 关键词：微晶硅光照
- 氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析被引量：34
- 2003年
- Fourier红外透射 (FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅 (a Si∶H)薄膜中氢的含量 (CH)及硅—氢键合模式 (Si Hn)最有效的手段 .对用等离子体化学气相沉积 (PCVD)方法在不同的衬底温度 (Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜 ,通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析 ,得到了薄膜中的氢含量 ,硅氢键合模式及其组分 ,并分析了这些参量随衬底温度变化的规律 .
- 罗志林璇英林舜辉余楚迎林揆训余云鹏谭伟锋
- 关键词：氢化非晶硅薄膜红外吸收谱氢含量
- 回归反射玻璃微珠折射率的测量和分析被引量：6
- 2002年
- 文章分析了回归反射高折射率玻璃微珠的光学特点以及玻璃微珠回归反射特性与折射率的关系 .用微光学测量系统 ,根据几何光学近轴光线成像原理 ,给出玻璃微珠折射率的测量方法 ,分析和讨论了测量方法的误差 .
- 黄翀欧阳艳东石旺舟林舜辉
- 关键词：玻璃微珠折射率测量方法
- PECVD低温制备晶化硅薄膜及其机制浅析被引量：5
- 2004年
- 采用SiCl4/H2 混合气源的等离子体化学气相沉积技术 ,在 30 0℃的玻璃衬底上低温制备出多晶硅薄膜 ,沉积速率大于 3 /s,晶化率达到 60 %.实验中发现氢稀释对膜的生长及晶化起重要的促进作用 ,薄膜晶化率随射频功率增大呈不断下降的趋势 .通过与SiH4/H2沉积结果的对比 ,从基团成份、基团尺寸以及表面反应过程几个方面 。
- 余云鹏林璇英林舜辉黄锐
- 关键词：PECVD等离子体化学气相沉积
- 退火对磁控溅射掺铕氧化钇薄膜光致发光谱的影响
- 2020年
- 稀土掺杂荧光薄膜的发光性能与薄膜所经历的后退火处理密切相关。为了解退火对磁控溅射制备的Y2O3∶Eu^3+薄膜发光性能的影响,在三种不同的工艺条件下,采用射频磁控溅射方法制备了三组厚度100多纳米的Y2O3∶Eu^3+薄膜样品,并在氧气气氛和常压条件下对每组的四个样品分别进行室温、 700、 900和1 100℃的2 h退火处理。样品的X射线衍射谱(XRD)、电子能量色散谱(EDS)、光致发光(PL)及其激发光谱的测量结果表明,虽然薄膜是在不同条件下溅射得到的,但经相同的退火处理后,它们的发光和结构却都呈现出相同的变化规律。首先,薄膜荧光的主激发机制不受退火温度的影响,都是波长为252 nm的电荷转移激发。其次, 700℃退火处理仍不能有效地改变薄膜的弱发光性能;当退火温度达到900℃时,伴随着薄膜中立方相晶粒的增大,发光强度也得以显著提升,薄膜在252 nm光激发下发射出中心位于612 nm的立方相特征主峰;当薄膜经历1 100℃退火处理后,膜内发生了从立方相到单斜相为主的结构相变,此时,膜中Eu对Y的原子数含量比被明显降低至0.05%左右,但光发射效率和强度却得以提高,发射光谱呈现出以5D0→7F2电偶极跃迁的623 nm为主峰的单斜相强发光特征,同时,5D0→7F1磁偶极跃迁的发光也比立方相的明显增强。这些结果可归因于发光中心Eu^3+在单斜结构中占据了更多的非中心对称格位,以及高温退火导致薄膜较好的结晶度。另外还发现,立方相Y2O3∶Eu^3+的5D0→7F0电偶极跃迁581 nm发光峰很弱,而单斜相Y2O3∶Eu^3+在该处的发光却相当明显,此特征可以作为薄膜中单斜相形成的一个提示信号。这个工作展示了磁控溅射制备的Y2O3∶Eu^3+薄膜的退火效应,提供了一种制备具有更好的红光发射性能的纳米单斜相Y2O3∶Eu^3+薄膜的实验方法,并揭示了这种薄膜从纳米立方相到单斜相转变时PL谱的�
- 林舜辉张李辉刘勇权王孝坤林春雷余云鹏
- 关键词：光致发光退火磁控溅射
