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杨有莉

作品数:17 被引量:7H指数:1
供职机构:中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术兵器科学与技术更多>>

文献类型

  • 16篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 4篇剂量率
  • 3篇单片
  • 3篇单片机
  • 3篇电源
  • 3篇三端稳压器
  • 3篇稳压
  • 3篇稳压器
  • 3篇校准方法
  • 2篇电路
  • 2篇商用
  • 2篇中子
  • 2篇中子辐照
  • 2篇抗辐射
  • 2篇抗辐射加固
  • 2篇集成电路
  • 2篇80C31单...
  • 2篇不确定度
  • 2篇测量不确定度
  • 1篇单片机系统
  • 1篇电磁

机构

  • 17篇中国工程物理...
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 17篇杨有莉
  • 7篇许献国
  • 7篇谢泽元
  • 4篇朱小锋
  • 4篇周开明
  • 2篇余彦胤
  • 2篇杜川华
  • 2篇邓建红
  • 2篇李小伟
  • 2篇贾温海
  • 1篇肖龙远
  • 1篇邹保山
  • 1篇孙凤杰
  • 1篇赵洪超
  • 1篇黄聪顺
  • 1篇周启明
  • 1篇周美林
  • 1篇罗学金
  • 1篇杨蓉
  • 1篇曾超

传媒

  • 4篇第八届全国抗...
  • 3篇第九届全国抗...
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 4篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
  • 5篇2005
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
亚纳秒前沿有界波电磁脉冲模拟器
介绍了新近组装的亚纳秒前沿有界波电磁脉冲模拟器的主要技术指标、脉冲高压源和传输线结构,并对亚纳秒模拟器工作区域场的传播和场的分布进行了测量。测量结果表明,模拟器工作稳定性很好,场的上升时间为800ps左右,且场的分布与数...
周启明李小伟孙凤杰周开明邓建红罗学金黄聪顺杨有莉邹保山谢泽元许献国
关键词:试验验证数值模拟
IR4427驱动器剂量率效应试验研究
介绍了CMOS工艺的IR4427驱动器伽马剂量率辐射效应试验原理、方法和结果.给出了在不同剂量率辐照下IR4427驱动器的抗伽马剂量率辐射能力.试验结果表明:IR4427驱动器的逻辑扰动阈值剂量率在(1.0~1.5)&#...
杨有莉许献国
关键词:互补金属氧化物半导体驱动器
瞬时辐射对80C31单片机性能的影响被引量:7
2006年
研究了80C31单片机瞬时剂量率辐射特性和闭锁电流随“闪光-1”γ射线剂量率的变化规律,分析了80C31单γ片机在浅和深闭锁时具有不同的电流特性。
周开明谢泽元杨有莉
关键词:80C31单片机剂量率
辐射效应在线测试长线传输技术
介绍了电子元器件辐照试验方法及辐射效应测试方法的分类及其不同特点.针对动态辐照试验中的原位在线测试难点问题,如高频、高压、大电流、高精度、弱驱动信号等,提出了电参数长线传输测试关键技术的解决办法.这些方法在相关元器件抗辐...
许献国谢泽元杜川华朱小锋杨有莉
关键词:电子元器件
两种商用三端稳压器中子辐射特性实验研究
本文简要地介绍了系统用商用三端稳压器中子辐射试验的原理、方法和主要结果.重点给出了不同生产厂生产的同批次器件抗中子辐射的能力.实验结果指出:所选不同生产厂生产的商用器件抗中子辐射的能力不大于2.4×1013n/cm2;不...
杨有莉贾温海
关键词:三端稳压器
文献传递
80C31单片机系统的HPM效应
本文介绍了以80C31单片机芯片、2764EPROM、74LS373和0832D/A转换器及μA741组成的单片机系统在HPM辐射场下的损伤情况,给出了初步的试验结果.
谢泽元杨蓉杨有莉
关键词:单片机系统HPM
文献传递
商用晶体振荡器中子辐照特性研究
本文简要地介绍了系统用压电石英晶体振荡器中子辐照试验原理、方法和主要结果。重点给出了不同生产厂生产的同批次器件抗中子辐射的能力。结果表明:所选不同生产厂生产的商用器件抗中子辐射能力均大于5×10<'13>n/cm<'2>...
杨有莉贾温海
关键词:晶体振荡器中子辐照
文献传递
NVSRAM与FLASHROM存储器抗γ瞬时辐射性能研究
本文对两种类型存储器NVSRAM和FLASHROM在不同辐照剂量率下进行辐照实验,研究了这两种存储器抗γ瞬时辐射性能,对实验结果进行了分析。试验表明:FLASHROM能在10<'9>GY(Si)/s剂量率下不丢失数据,而...
朱小锋赵洪超杨有莉
关键词:剂量率存储器抗辐射加固
文献传递
火工品内电磁脉冲试验研究
本文介绍了两种电流引爆型火工品的内电磁脉冲试验.通过试验,得到了不同场强下内电磁脉冲在火工品模拟件上的感应电压和感应电流信号.火工品正式件的安全性考核试验表明,在高达50kV/m场强下,两种火工品均未发生爆炸,说明两种火...
许献国周美林邓建红罗学金杨有莉
关键词:火工品
文献传递
光电耦合器件中子辐照损伤研究
比较不同工艺光电耦合器件抗中子辐照能力的大致情况,分析器件中子位移损伤存在差异的原因。试验研究表明,低输入电流、高电流传输比率的光电耦合器件有较强的抗中子辐照能力。该结论可为今后提高武器电子学系统抗中子辐射水平提供参考.
周开明杨有莉李小伟
关键词:光电耦合器件
文献传递
共2页<12>
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