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李苗

作品数：18 被引量：5H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 6篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇医药卫生

主题

  • 4篇矩阵
  • 3篇电学
  • 3篇源区
  • 3篇沟道
  • 2篇虚拟无线电
  • 2篇虚数
  • 2篇氧化层
  • 2篇噪声
  • 2篇噪声参数
  • 2篇噪声因子
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇正则
  • 2篇正则化
  • 2篇人脸
  • 2篇人脸图像
  • 2篇人脸图像识别
  • 2篇散度
  • 2篇识别方法
  • 2篇特征信息

机构

  • 18篇西安电子科技...

作者

  • 18篇李苗
  • 6篇吕红亮
  • 6篇张玉明
  • 4篇李丹萍
  • 4篇刘璐
  • 4篇姬红兵
  • 4篇赵杰
  • 4篇王磊
  • 4篇朱翊
  • 2篇武岳
  • 1篇张鹏
  • 1篇马晓华
  • 1篇陈健
  • 1篇朱青

传媒

  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
中小企业J2EE Web开发架构优化及应用
J2EE多层架构在提高了软件的重用性和分解了问题的复杂性的同时，也带来了不容忽视的性能问题。 本文基于J2EE架构针对中小企业，充分挖掘Web开发架构中软件和服务器的潜力，进行性能调优，提出一套J2EE Web...
李苗
关键词：中小企业J2EEWEB服务器优化设计
文献传递
基于InAs/GaSb异质结的量子阱隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于InAs/GaSb异质结的量子阱隧穿场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括：选取GaSb衬底；在GaSb衬底内形成漏区；在GaSb衬底内形成源区；对包括源区和漏区的整个GaSb衬底表面进行快速热退火，...
吕红亮李苗吕智军芦宾朱翊张玉明
文献传递
一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法
本发明涉及一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法，包括：建立具有表征沟道分布效应和衬底损耗效应的InP HEMT小信号等效电路模型，并进行参数提取；对InP HEMT小信号等效电路模型添加噪声电流源，得到InP...
吕红亮乔世兴李苗李少军武岳张玉明
文献传递
基于AD9244和PCI9054的虚拟无线电接收子系统被引量：4
2005年
虚拟无线电是软件无线电技术一种新的发展趋势,基本思路是利用计算机取代传统软件无线电系统中的DSP芯片,一般采用直接中频采样技术,将采样结果通过PC I总线送入主机内存,由用户软件做后续的信号处理。本文讨论了欠采样技术在中频信号接收系统中的应用,由此提出了一种虚拟无线电接收子系统实现的硬件设计方案,然后对系统中重要芯片的性能进行了介绍,并对系统的控制过程进行了详细说明,最后简要介绍了一些注意事项。
李苗陈健
关键词：虚拟无线电接收机欠采样PCI总线
基于正则化图的多视角识别方法
一种基于正则化图的多视角识别方法，实现步骤：1.从多视角数据库中任意提取一个视角特征；2.进行预处理；3.构建正则化图；4.计算正则化图的拉普拉斯矩阵；5.计算训练样本的散度矩阵；6.判断是否选取完所提取的视角特征中所有...
王磊陈爽月姬红兵李丹萍李苗赵杰刘璐臧伟浩
虚拟无线电接收平台开发和关键技术研究
软件无线电的概念在1991年由JoeMitola提出。这个术语包含了两方面的内容，一是硬件平台固定不变，仅通过软件编程来实现系统的重新配置，另一方面，通过改变硬件的特定组合来适应即将出现的应用。软件无线电的关键思想是在尽...
李苗
关键词：软件无线电虚拟无线电自动调制识别似然函数高阶累量
文献传递
基于协作表示的近邻保持人脸识别方法
一种基于协作表示的近邻保持人脸识别方法，实现步骤：1、划分数据库样本集；2、组成样本矩阵；3、计算初始投影矩阵；4、计算初始降维后的训练样本矩阵；5、计算初始降维后训练样本的权值矩阵；6、构建近邻保持图；7、计算近邻保持...
王磊李苗姬红兵李丹萍陈爽月臧伟浩刘璐赵杰
InAs/GaSb异质隧穿结的研究
随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，功耗问题日益严峻，传统MOSFET由于费米拖尾等问题无法从根本上解决这一问题，而基于带带隧穿原理的TFET器件亚阈值摆幅可以突破60mV/dec的限制，被认为是最有希望应用于超低功耗领域...
李苗
关键词：分子束外延生长电学特性
一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法
本发明涉及一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法，包括：建立具有表征沟道分布效应和衬底损耗效应的InP HEMT小信号等效电路模型，并进行参数提取；对InP HEMT小信号等效电路模型添加噪声电流源，得到InP...
吕红亮乔世兴李苗李少军武岳张玉明
文献传递
一种适用于平面工艺的新型InAs-GaSb TFET
本发明涉及一种适用于平面工艺的新型InAs‑GaSb TFET，包括衬底；源区，设置在所述衬底上；第一漏区，设置在所述衬底上，且位于所述源区中；沟道层，设置在所述源区上；第二漏区，设置在所述第一漏区上；栅介质层，设置在所...
吕红亮吕智军孙佳乐朱翊李苗张玉明
文献传递
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