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李楚容
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27
被引量:195
H指数:8
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华中科技大学
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刘梅冬
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刘少波
华中科技大学光学与电子信息学院...
夏冬林
华中科技大学光学与电子信息学院...
黄焱球
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1998
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铁电薄膜的制备及应用技术研究
被引量:2
2000年
研究出具有特色的制备铁电薄膜的 sol-gel技术;制备出高质量、高可靠的 PLT、PZT、PYZT、BST”l、PbTiO3、BaTiO3、Bi4Ti3O12多晶铁电薄膜,PLT、PZT和伽里O3异质外延生长铁电薄膜;研制出铁电薄膜热释电单元红外传感器,8元、9元、1O元线列和8X8元阵列;研制出热释电火情探测器和热释电非接触式温度测试仪。
刘梅冬
曾亦可
李楚容
饶韫华
王培英
邓传益
关键词:
铁电薄膜
红外传感器
非接触式红外测温的研究
被引量:69
2001年
对非接触式红外测温作了综述 ,介绍了红外测温的意义、原理、方法 。
李军
刘梅冬
曾亦可
李楚容
郭明金
黄焱球
刘少波
夏冬林
关键词:
普朗克定律
维恩位移定律
(Pb,La)TiO_3铁电薄膜的制备及热释电性能研究
被引量:3
1999年
讨论了PLT15铁电薄膜的溶胶-凝胶制备技术,及PLT薄膜的结构和电性能研究。结果表明,在Si基片上成功地生长出钙钛矿型结构多晶铁电薄膜,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si上外延生长出(111)PLT15铁电薄膜。溶胶-凝胶制备的PLT15铁电薄膜具有优良的热释电性能,其热释电系数p为5.25×10-8Ccm-2K-1,电压响应率优值FV达到0.78×10-10Ccm/J,探测率优值Fm为1.13×10-8Ccm/J。
陈磊
刘梅冬
曾亦可
饶韫华
李楚容
关键词:
溶胶-凝胶
铁电薄膜
热释电系数测试系统
被引量:8
1999年
对铁电薄膜所具有的铁电、热释电特性进行了研究,在此基础上设计出了热释电系数测试系统。pA级电流放大器是测试系统的设计重点,而其输入阻抗、运算精度及噪声抑制又是设计关键。简要介绍了测试系统的设计思路、组成及工作原理。用所设计的测试系统对PLT薄膜样品进行了测试,测试结果表明,溶胶-凝胶工艺制备的PLT薄膜样品的热释电电流平均值为2.1×10-11A而对应的热释电系数p为2.52×10-8C/cm2°C。
曾亦可
刘梅冬
饶韫华
李楚容
关键词:
电流放大器
铁电薄膜
氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析
被引量:1
1998年
用XeCl准分子激光器对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了诱导晶化处理。测量了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Bruggeman有效介质近似(B-EMA)分析了结晶膜的微结构特性。研究表明:低能量密度辐照形成的结晶层需用含有a-Si:H的EMA混合物表征,说明其结晶度相对较低;而高能量密度辐照形成的结晶层,因其结晶度较高,可用不含a-Si:H的EMA混合物表征.在结晶膜与衬底之间形成了互混层,其厚度随能量密度增大而增大。当能量密度较高时,结晶层会与互混层剥离.采用椭偏谱数据拟合得到Si浓度的深度剖面分布后,可据此重构结晶膜的三维表面形貌图.
戴永兵
徐重阳
李楚容
王长安
张少强
安承武
丁晖
李兴教
关键词:
氢化非晶硅
硅薄膜
铅基钙钛矿型结构铁电薄膜的介电及热释电性能研究
被引量:12
2000年
用改进的溶胶 -凝胶旋转涂覆技术 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上研制出 1~ 2 μm厚 ,具有钙钛矿型结构的PbTiO3、PLT和PZT铅基铁电薄膜。该类铁电薄膜具有良好的结晶特性、优异的介电和热释电性能。
刘梅冬
陈实
曾亦可
饶韫华
李楚容
陈磊
潘晓光
邓传益
关键词:
铁电薄膜
溶胶-凝胶
介电性能
薄膜热释电红外探测器吸收和响应性能的模拟研究
被引量:4
2002年
采用吸收、热传导和热释电响应模型 ,对薄膜热释电红外探测器的吸收和响应性能进行了模拟研究。当膜系中各膜层材料的物性参数确定时 ,对于不同波长的红外辐射及在不同的调制频率下 。
陈实
刘梅冬
曾亦可
李楚容
夏冬林
关键词:
热释电
红外探测器
响应性能
铁电薄膜热释电非制冷红外探测器研制
叙述了铁电薄膜热释电非制冷红外探测器的探测原理,对铁电薄膜材料的要求.研究了BST铁电薄膜热释电红外探测器的制备工艺与测试方法.研制出8元、9元和10元铁电薄膜热释电非制冷红外探测器.
刘梅冬
李元昕
陈实
李楚容
曾亦可
姜胜林
邓传益
刘少波
关键词:
铁电薄膜
BST
热释电性
非制冷红外探测器
文献传递
一种新型的硅太阳电池负载特性实验装置的研究
被引量:2
1999年
设计制作了太阳电池负载特性测试系统,详细阐述了采用半导体致冷器、温度传感器(热敏电阻、热电偶)制成可调恒温样品台的原理及测试效果。
陈斌
李楚容
刘玳珩
黄文成
朱东明
关键词:
硅太阳能电池
负载特性
两步扩散法提高Si太阳电池效率的研究
1999年
提出先高温恒定源扩散后再低温恒量扩散的两步扩散法制作Si背面场太阳电池的新工艺.与常规的一步恒定源扩散工艺比较,所制作的太阳电池短路电流Isc提高了约20%,开路电压Voc也有明显的改善,光电转换效率提高了近4%.
陈斌
李楚容
刘玳珩
关键词:
硅太阳电池
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