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李光平

作品数：31 被引量：26H指数：3
供职机构：天津电子材料研究所更多>>
发文基金：河北省自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 28篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 12篇砷化镓
  • 11篇GAAS
  • 9篇EL2
  • 8篇半绝缘
  • 8篇掺杂
  • 7篇半导体
  • 6篇中碳
  • 6篇红外
  • 6篇LEC
  • 5篇红外吸收
  • 5篇半导体材料
  • 4篇受主
  • 4篇硅
  • 4篇LEC_GA...
  • 3篇光谱
  • 3篇半绝缘GAA...
  • 2篇退火
  • 2篇热稳定
  • 2篇热稳定性
  • 2篇位错

机构

  • 18篇天津电子材料...
  • 11篇河北工学院
  • 7篇电子部
  • 5篇河北工业大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 31篇李光平
  • 18篇杨瑞霞
  • 9篇汝琼娜
  • 6篇王琴
  • 5篇何秀坤
  • 4篇何秀坤
  • 3篇李静
  • 2篇罗晋生
  • 2篇李静
  • 1篇孙以才
  • 1篇施亚申
  • 1篇付浚
  • 1篇陈国鹰
  • 1篇贾晓华
  • 1篇孙毅之
  • 1篇华庆恒
  • 1篇李静
  • 1篇何秀坤

传媒

  • 8篇固体电子学研...
  • 3篇半导体技术
  • 3篇Journa...
  • 3篇河北工学院学...
  • 2篇半导体情报
  • 2篇河北工业大学...
  • 2篇半导体杂志
  • 2篇现代仪器使用...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇电子科学学刊
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 2篇2000
  • 4篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1996
  • 2篇1995
  • 5篇1994
  • 2篇1993
  • 3篇1992
  • 4篇1991
  • 3篇1990
  • 2篇1989
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三电极法电阻率二维分布测量技术及其应用
1998年
本文介绍了三电极保护法半绝缘砷化镓材料电阻率二维分布自动测量系统,在实际应用中,温度波动、异常数据对测量结果产生严重影响,为此我们提出了一些措施。文中给出了一些样品测量结果的统计数据(相对标准偏差,平均值)和等值图,并对这些结果进行讨论。
孙毅之施亚申赵瑞瑶李光平苑进良
关键词：半绝缘砷化镓电阻率掺杂
LEC GaAs中杂质和本征点缺陷分布对EL_2分布的影响
1990年
用红外吸收、熔体KOH腐蚀和霍尔效应测量等方法测量了硅掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL_2浓度([EL_2])分布、位错密度分布、碳分布及硅分布发现掺硅和未掺杂样品中[EL_2]分布和位借密度分布的对应关系不同。[EL_2]分布与杂质和本征点缺陷分布有关。在实验结果的基础上讨沦了[EL_2]分布不均匀性的机理。
杨瑞霞李光平华庆恒
关键词：LECGAAS
GaAs近红外吸收特性和主要深电子陷阱浓度的测量
1991年
本文研究液封直拉(LEC)未掺杂半绝缘GaAs室温和低温近红外吸收特性,对主要深电子陷阱(EL2)引起红外吸收的机理进行了探讨。利用低温高分辩率技术,发现样品中EL2内部跃迁特征谱及由零声子线和五个声子耦合峰组成的精细结构。零声子线与近红外吸收带具有相同的光淬灭效应,其强度与EL2浓度具有良好的线性关系,由此阐述了一种测定EL2浓度的新方法。
杨瑞霞李光平王琴
关键词：GAASEL2
GaAs中碳的补偿率对红外吸收方法测定其浓度的影响
1993年
通过直接测量GaAs中碳(C)的局域振动模(LVM)红外吸收带随其荷电态的变化,研究了GaAs中碳的LVM红外吸收与其荷电态的关系。结果表明,该吸收带对C的荷电态是不敏感的,红外吸收测定GaAs中碳浓度的方法对不同C补偿率的样品都是适用的。
杨瑞霞李光平
关键词：碳砷化镓红外吸收法
半导体硅特性显微FTIR测量技术研究
1994年
本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量精度达到国标的要求，空间分辨率提高了近两个数量级。
李光平汝琼娜李静何秀坤
关键词：半导体材料硅显微镜
非掺杂半绝缘LECGaAs中深施主缺陷对注入硅激活率的影响
1999年
通过测量ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ）的饱和漏－源电流分布研究了深施主缺陷ＥＬ２对半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中注入硅（Ｓｉ）激活率的影响，发现激活率随ＥＬ２浓度的增加而增加，讨论了ＥＬ２影响硅注入激活率的机理．
杨瑞霞贾晓华付浚李光平
关键词：砷化镓离子注入硅场效应晶体管
半绝缘砷化镓中EL2浓度的自动测量系统被引量：1
1999年
本文介绍了使用通用计算机外部控制 PE Lambda-9分光光度计,设计完成了数据处理工作站,利用此工作站形成了一套半绝缘砷化镓中EL2浓度微区分布的自动测量系统。
李光平李静汝琼娜何秀坤
关键词：半绝缘砷化镓自动测量系统分光光度计
非掺杂半绝缘LECGaAs中电参数与碳浓度及EL2浓度的关系
1999年
利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ 中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２ 浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现。
杨瑞霞李光平
关键词：砷化镓EL2电参数掺杂半导体材料
半绝缘GaAs热稳定性的研究被引量：2
1990年
用霍尔效应、红外吸收和二次离子质谱方法对不同碳(C)含量的未掺杂半绝缘(SI)GaAs晶体的热稳定性进行了研究,发现EL2浓度([EL2])相近、碳浓度([C])不同的样品中,高碳含量的样品更易出现热转型.长时间热处理后,样品反型层中的载流子浓度超过了[C].这些结果表明,热处理过程中样品表面层不仅发生了施主中心EL2的外扩散,而且有新的受主中心产生.
杨瑞霞李光平
关键词：半绝缘GAAS热稳定
GaAs中碳受主局域振动模积分吸收的温度关系被引量：1
2000年
Ga As中碳 (C)受主局域振动模 (LVM)积分吸收的温度关系是一个受到广泛关注和研究的问题。但是 ,不同研究者得到的定量研究结果具有很大差异。迄今对导致这种差异的原因及积分吸收随温度变化的机理尚不完全清楚。本研究表明 ,二者均与 C受主 L VM主吸收带的低能边出现的一个吸收边带有关。该边带可能起因于 C受主 L VM第一激发态向第二激发态的跃迁。
杨瑞霞李光平付浚陈国鹰孙以才
关键词：激发态砷化镓
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