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张治国

作品数：87 被引量：67H指数：5
供职机构：沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学冶金工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 47篇专利
  • 22篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 5篇科技成果

领域

  • 42篇自动化与计算...
  • 9篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 64篇感器
  • 64篇传感
  • 64篇传感器
  • 40篇压力传感器
  • 40篇力传感器
  • 24篇硅电容
  • 17篇极板
  • 15篇芯片
  • 12篇差压
  • 11篇敏感电阻
  • 10篇差压传感器
  • 9篇电容压力传感...
  • 8篇过载
  • 8篇封装
  • 8篇硅
  • 7篇压阻
  • 7篇硅片
  • 6篇电容
  • 6篇电阻
  • 6篇压力敏感

机构

  • 84篇沈阳仪表科学...
  • 9篇沈阳工业大学
  • 1篇国家仪器仪表...
  • 1篇沈阳仪器仪表...

作者

  • 87篇张治国
  • 56篇李颖
  • 38篇祝永峰
  • 34篇张娜
  • 29篇刘剑
  • 29篇郑东明
  • 22篇刘沁
  • 16篇张哲
  • 14篇梁峭
  • 10篇匡石
  • 9篇白雪松
  • 8篇刘宏伟
  • 8篇陈信琦
  • 7篇刘波
  • 7篇庞士信
  • 7篇唐慧
  • 7篇周磊
  • 6篇王雪冰
  • 6篇徐淑霞
  • 5篇陈琳

传媒

  • 15篇仪表技术与传...
  • 4篇第十二届全国...
  • 3篇微处理机
  • 3篇第11届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子世界
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第八届敏感元...
  • 1篇第九届全国敏...
  • 1篇第十届全国敏...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇中国科协20...

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 8篇2020
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 7篇2014
  • 4篇2013
  • 9篇2012
  • 3篇2011
  • 5篇2010
  • 10篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 4篇2004
共 87 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种绝压传感器
一种绝压传感器，包括玻璃—硅复合极板和硅可动极板，技术要点是：在硅可动极板下固定一个玻璃—硅复合极板，所述硅可动极板是在两面抛光的硅片层两侧的中心岛部分固定有氧化硅层，硅片层一端的侧面固定有金属导电层，该硅片层的厚度为3...
张治国李颖祝永峰刘剑郑东明张哲张娜
文献传递
一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片及制造方法
高倍过载1KPa硅微压传感器芯片及方法，其特征在于梁—单岛双面双片微结构：上芯片正面“I”形梁上“U”形压力敏感电阻，浅槽外周为铝电极引线及引线焊盘；上芯片背面，相对于浅槽部位，剩余膜片厚度与中心方形支撑相连，即为单硬芯...
徐淑霞张治国郑东明梁峭徐长伍唐慧张纯棣刘芙常伟陈琳
文献传递
一种微机械硅压力敏感芯片
一种微机械硅压力敏感芯片，现有技术的芯片敏感度与精确度较低，技术要点是：它以硅衬底为主体，在芯片表面设置有压力膜片，在压力膜片下有凹形硅杯，压力膜片上设置有压敏电阻；压敏电阻分为两段由P+连结区相连的电阻组成，压敏电阻通...
张治国郑东明李颖刘剑张哲梁峭祝永峰
文献传递
一种提高硅电容压力传感器过载响应速度的方法
一种提高硅电容压力传感器过载响应速度的方法，是采用静电封接工艺将上玻璃固定极板、可动的硅中心极板、下玻璃固定极板封接成电容三极板结构，其特征在于采用MEMS加工技术，在硅电容压力传感器硅中心极板中心岛上、下面分别制作线型...
李颖张治国庞士信刘沁张娜刘剑周磊
文献传递
一种提高硅电容压力传感器过载能力的方法
一种提高硅电容压力传感器过载能力的方法，采用阳极键合工艺，其特征在于玻璃的上固定极板(1)、玻璃的下固定极板(3)相对内侧腐蚀区预留出限位点(8)，硅中心极板(2)的可动电极(6)与限位点(8)之间有金属电极(9)；在传...
张治国李颖张娜匡石刘剑
文献传递
一种SIC压力敏感器件
本实用新型公开了一种SIC压力敏感器件，其特征在于：包括敏感芯片及衬底玻璃，所述敏感芯片包括n‑p‑n型SIC材料的基体，所述基体由上至下包括器件层、过渡层、SIC衬底；在敏感芯片的器件层上方设置有SI面，在SIC衬底下...
李颖任向阳张治国刘宏伟祝永峰贾文博李永清何方张娜李昌振王卉如钱薪竹周聪肖文英刘柏汇白雪松关维冰尹萍
一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构
一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构，其特征在于梁—单岛双面双片微结构：上芯片正面“I”形梁上“U”形压力敏感电阻，浅槽外周为铝电极引线及引线焊盘；上芯片背面，相对于浅槽部位，剩余膜片厚度与中心方形支撑相连，即为单硬...
徐淑霞张治国郑东明梁峭徐长伍唐慧张纯棣刘芙常伟陈琳
文献传递
硅电容加速度传感器固定电极加工及其封接工艺研究
硅电容加速度传感器由硅可动电极和玻璃固定电极封接而成.固定电极的加工质量对传感器的性能有很大的影响.本文从封装的角度讨论了硅电容加速度传感器固定电极加工的工艺问题,提出了可动极板和固定极板之间的静电封接的改进方案.本工艺...
张治国罗抟翼李颖唐慧陈信琦胡竞
关键词：硅电容加速度传感器封接工艺
文献传递
提高压力传感器过载响应速度的研究
2015年
介绍了一种提高硅电容压力传感器过载回零响应速度的方法,通过在传感器硅可动极板上设计、制作快速导油微结构,实现了传感器过载回零响应速度的大幅度提升,解决了传感器设计中一项关键技术难题,使硅电容压力传感器真正达到了实用化程度,满足了工业现场的实际使用要求。
李颖张治国刘剑张哲张娜郑东明梁峭祝永锋
关键词：硅电容传感器响应速度
一种提高过载响应速度的硅电容压力传感器
一种提高过载响应速度的硅电容压力传感器，采用静电封接工艺将电容三极板封接成三明治结构，极板之间充灌有硅油介质，其特征在于可动极板的中心岛上，采用MEMS加工技术制作线型导油槽结构，导油槽的长度长于固定极板上金属电极的外轮...
李颖张治国庞士信刘沁张娜刘剑周磊
文献传递
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