张晓军
- 作品数：9 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国矿业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学经济管理更多>>
- 移液管
- 本实用新型涉及一种可以快速插入吸耳球的移液管，所述移液管主体的顶口活动连接有一个喇叭口皮套；所述喇叭口皮套套接在移液管主体的外部，吸耳球可以快速准确插入喇叭口皮套内，方便移液管与吸耳球对接，该移液管结构简单，操作便捷，使...
- 王剑英丁明雷朱绎桦段利叶张晓军
- 文献传递
- 小流量低浓度水力动态气体配制及输送装置
- 本实用新型涉及一种小流量低浓度水力动态气体配制及输送装置，主要由带刻度的长方体容器、带刻度的细玻璃支管、管路阀门和管路连接组成。配制混合气体时，根据气体密度采用向上或向下排空气法，先用高浓度组分置换长方体容器内的空气，然...
- 丁明雷刘建周张晓军段利叶赵璐琪王剑英朱绎桦
- 文献传递
- 不同Zn含量的GaSb热电半导体及其性能被引量：1
- 2011年
- 采用放电等离子烧结法(SPS)制备了四种不同Zn含量的GaSb热电半导体(分别是GaSb,Zn0.9Ga2.1Sb2,ZnGa2Sb2和Zn1.1Ga1.9Sb2),并分析研究其热电性能。结果表明:加Zn后虽然GaSb的Seebeck系数大幅度降低,但电导率提高了约两个数量级,热导率也得以降低,最终热电性能明显提高。在713K时Zn1.1Ga1.9Sb2的最大ZT值达到0.11,比本征GaSb的ZT值提高了近6倍。
- 张晓军应鹏展崔教林付红颜艳明
- 关键词：放电等离子烧结热电性能
- 掺杂Cu的AgSbTe四元合金电学性能
- 2011年
- AgSbTe基合金具有良好的热学和电学性能,在发电和制冷领域获得广泛应用。通过放电等离子烧结技术制备（AgSbTe2）0.405（Sb2-xCuxTe3）0.064（x=0,0.025,0.05,0.1,0.2）5种合金,观察其微观结构,并研究316~548 K温度区间内电学性能的变化。结果表明,x=0和x=0.025两种样品形成单相,其他3种样品都形成AgSbTe2和Sb2Te多相。掺杂不同比例的Cu元素后,各样品的功率因子都比掺杂前有不同程度的降低,当x=0.2时,样品的电学性能下降最明显。
- 付红应鹏展颜艳明张晓军高榆岚
- 关键词：微观结构电学性能
- 添加Ge的In_(10)Sb_(10)Ge三元合金热电性能(英文)
- 2010年
- InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率,因而有良好的电学性能。本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金,并在320K到706K的温度范围内测量其热电性能。显微结构观察表明,In-Sb-Ge三元合金的微观组织由嵌入含锗相的锑化铟相组成,这一结果与X射线衍射分析的结果相符。性能测试表明,其晶格热导率在整个温度范围内都非常低,尤其在低温下更低,而载流子热导率随温度的升高,从6.3(W.m-1.K-1)降低到2.4(W.m-1.K-1),在热传输过程中起主要作用。在708K时In10Sb10Ge合金的最高ZT值为0.18。
- 颜艳明应鹏展崔教林付红张晓军
- 关键词：热电性能放电等离子烧结
- 添加Sb的Ga_2Te_3合金热电性能被引量：1
- 2011年
- 本研究采用等摩尔分数的Sb元素替换Ga2Te3中的Ga元素,并利用放电等离子烧结技术制备Ga1.9Sb0.1Te3合金,研究其微观结构和热电性能。结果表明,添加Sb元素后,材料的Seebeck系数为130～240μV/K,明显低于单晶Ga2Te3,电导率为3600～1740??1·m?1,至少是单晶Ga2Te3的17倍,热导率提高近25%。在649K时Ga1.9Sb0.1Te3合金的热电优值(ZT)达到最大值0.1,是同温度下单晶Ga2Te3ZT值的3倍。
- 付红应鹏展崔教林颜艳明张晓军
- 关键词：微结构热电性能
- P型Ga_2Te_5基化合物的热电性能(英文)被引量：1
- 2012年
- 采用放电等离子烧结技术(SPS)制备P型复相Ga2Te5基化合物,对其进行微观分析和热电性能测试。通过XRD分析观察到主相Ga2Te5和少量的SnTe、单质Te。在整个测试温度(319～549K)范围内,Ga2Te5基化合物的Seebeck系数、电导率和热导率都随温度的升高而降低。由于具有相对较低的热导率和较高的电导率,Ga2SnTe5在549K时取得了最高ZT值0.16。
- 付红应鹏展崔教林张晓军颜艳明
- 关键词：热电性能放电等离子烧结
- 生产矿井物资供应管理现代化管理模式的研究
- 张晓军
- 共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In_2Se_3基半导体热电性能的影响被引量：1
- 2012年
- α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。
- 崔教林张晓军李奕沄高榆岚
- 关键词：热电性能
