张国斌
- 作品数：88 被引量：267H指数：8
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信化学工程更多>>
- Ce^(3+)激活的焦硅酸钆钠荧光粉的VUV-VIS发光特性被引量：5
- 2013年
- 高温固相法合成了Na3Gd1-xCexSi2O7系列荧光粉。利用Na3LuSi2O7结构模型,通过Rietveld方法精修了Na3GdSi2O7晶体结构,结果表明,Na3GdSi2O7属于六方晶系,P63/m点群,晶格参数a=b=947.79(1)pm,c=1387.48(3)pm,c/a=1.4639。Na3GdSi2O7体系中存在Gd3+(1)和Gd3+(2)两个格位。Gd3+(1)离子位于Wyck.4f格位,为扭曲八面体结构。Gd3+(2)离子位于Wyck.2a格位,具有正三棱柱构型。进一步考察了Na3Gd1-xCexSi2O7荧光粉的真空紫外-紫外-可见发光光谱,讨论并指认了Ce3+在上述两个格位中的激发带位置及能级重心。发射光谱曲线分别由两个～400 nm和～508 nm宽带发射构成,随着Ce3+浓度增加,短波～400 nm发射逐渐增强。
- 倪海勇梁宏斌刘春梦苏锵张国斌
- 关键词：荧光粉真空紫外
- 脉冲激光沉积法制备的Ni_(1-x)Fe_xO稀磁半导体的结构和磁性研究被引量：6
- 2008年
- 利用脉冲激光沉积方法制备出了具有室温铁磁性的Ni1-xFexO(x=0.02,0.05)稀磁半导体.X射线衍射(XRD)结果表明Ni1-xFexO的晶体结构为NaCl结构,并且在Fe含量较高的Ni0.95Fe0.05O中出现了少量的α-Fe2O3物相.X射线吸收近边结构谱(XANES)和X射线光电子能谱(XPS)进一步表明了掺杂的Fe原子替代NiO晶格中Ni原子,并且样品中不存在能够诱导室温磁性的第二相.这些研究结果表明Ni1-xFexO的室温铁磁性是本征的.
- 翁卫祥闫文盛孙治湖姚涛郭玉献王峰韦世强张国斌徐彭寿
- 关键词：XANES
- 工作波长大于100nm的高通量多用途光束线的设计
- 2001年
- 介绍国家同步辐射实验室光源二期工程圆二色与光声光谱光束线。该光束线采用一种改进的正入射型单色器，包括一块柱面前置镜、柱面光栅，无入射狭缝。前置镜接收 ４０ｍｒａｄ × ８ｍｒａｄ的同步辐射光，并将它在水平方向聚焦于样品处。柱面光栅（两块，覆盖１００－３００ｎｍ）完成同步光的单色化并将它在垂直方向聚焦于出射狭缝，出缝固定。该设计具有高通量（其光子通量为１０１２－１０１３ｐｈｏｔｏｎ／ｓ）、中等分辨率（０．３－５ｎｍ）、保持线偏振等优点。使用带 ＬｉＦ或 ＣａＦ２窗的超高真空阀门将光束线和实验站分隔，光束线工作在超高真空状态。
- 张国斌石军岩韩正甫周映雪施朝淑张新夷
- 关键词：光束线光声光谱圆二色光谱
- ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理被引量：19
- 2004年
- 以同步辐射真空紫外光 (1 95nm)为激发源 ,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射 ,其峰值波长分别为 380 ,36 9.5 ,2 90nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系 ,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区 ,而在真空紫外区 (1 0 0～ 2 0 0nm) ,可能源于ZnO的下价带 (Zn3d组态 )电子的激发。
- 施朝淑张国斌陈永虎林碧霞孙玉明徐彭寿傅竹西Kirm MZimmerer G
- 关键词：ZNO薄膜发光真空紫外光谱特性
- 国家同步辐射实验室真空紫外光束线的改造被引量：1
- 2004年
- 分析了原光束线存在问题的原因,并提出了改造方案;经过优化设计,确定了光路设计及光学元件参数;经过初步测量,改造后的光束线可达到原来的设计指标。
- 张国斌石军岩戚泽明周洪军霍同林符义兵
- 关键词：光线追迹光通量测量
- Eu^(3+)掺杂的PMMA-络合物体系的发光特性被引量：7
- 2003年
- 研究了聚甲基丙烯酸甲脂PMMA-Eu(DBM)3(phen)和PMMA-辛酸铕体系的发光特性。已有的结果表明,聚甲基丙烯酸甲脂PMMA-Eu(DBM)3(phen)体系具有较高的色纯度,Eu3+的主发射峰几乎只有613nm(Eu3+的5D0→7F2)被观测到,其发射强度比PMMA-辛酸盐体系的高一个量级,是潜在的高效稀土红光材料。
- 张国斌陈彪戚泽明陈永虎梁浩张其锦施朝淑
- 关键词：发光特性色纯度
- ZnO/Si(111)界面结构的同步辐射掠入射X射线衍射研究被引量：3
- 2007年
- 在不同的衬底温度下,用脉冲激光沉积(PLD)方法制备了c轴高度取向的ZnO薄膜.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术研究了ZnO薄膜与Si(111)衬底的界面结构.GID结果表明:不管衬底温度是500℃还是300℃,在无氧气氛下用PLD方法制备的ZnO外延膜均处于压应力状态,且随着X射线探测深度的增加,应力增大.结合常规X射线衍射技术,计算了薄膜内的双轴应力;给出了样品的泊松比和c/a值,得出两样品均接近理想的六方密堆积结构,偏离标准的ZnO值.综合各方面实验结果,说明衬底温度控制在500℃时生长的ZnO薄膜具有较好的晶体质量.
- 赵朝阳李锐鹏孙柏徐彭寿张国斌潘国强
- 关键词：ZNOPLD
- 用于同步辐射软X射线吸收谱学的部分电子产额探测装置
- 本发明提供了一种用于同步辐射软X射线吸收谱学的部分电子产额探测装置，包括：束流监测装置，用于测量同步辐射光束流强度而产生第一电流信号；真空系统，用于放置样品，所述样品被经过所述束流监测装置的同步辐射光照射；探测器，安装于...
- 鞠焕鑫丁红鹤朱俊发张国斌田扬超
- 文献传递
- YVO_4∶Tm^(3+)的真空紫外发光性能(英文)被引量：2
- 2014年
- 通过高温固相反应合成YVO4∶xTm(x=0.001,0.003,0.005,0.007,0.01,0.03,0.05)蓝色系列粉末状发光材料。经X射线衍射分析产物为单相,属四方锆英石结构,其结果与JCPDS标准卡(72-0861)相符。检测了材料的真空紫外激发光谱和发射光谱。YVO4∶xTm的真空紫外激发光谱在120~350 nm范围内为连续的带状峰,在155 nm和333 nm附近有明显的峰值。在155 nm激发下,YVO4∶xTm的发射光谱由两部分组成,其中主发射峰在474 nm附近呈一尖锐的线状,来自Tm3+的1G4→3H6跃迁;在650 nm左右有一弱发射峰,来自Tm3+的1G4→3H4跃迁。另外,还有一较弱的带状发射,中心位于540 nm左右,来自样品的VO3-4离子的宽带发射。随着Tm3+摩尔分数x由0.001增加到0.005,Tm3+发射光谱强度逐渐增加到最大值。之后随着x继续增加,发射光谱强度逐渐下降,呈现明显的浓度猝灭现象。通过对YVO4∶xTm的光谱分析及其发光机理进行推导,认为YVO4∶Tm3+在紫外及真空紫外激发下,是一种具有较高发光效率以及色纯度较好的蓝色发光材料。
- 沈雷军李波王忠志高乐乐周永勃赵增祺张国斌
- 关键词：蓝光发射真空紫外
- 一种真空系统下磁化材料的强永磁体装置
- 本发明公开了一种真空系统下磁化材料的强永磁体装置，包括：永磁体结构、真空腔体、样品架，其中样品架和永磁体安装在真空腔体内部，分别负责给样品降温和加磁场。本装置无需使用大电流(>100A)和隔热装置维持磁场，因此不会...
- 孙喆王鹏栋刘毅李昱良张国斌
- 文献传递
