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孙文翔

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇溅射
  • 5篇存储器
  • 4篇叠层
  • 4篇叠层结构
  • 4篇氧化钒薄膜
  • 4篇射频溅射
  • 4篇离子束
  • 4篇离子束溅射
  • 4篇层结构
  • 2篇低功耗
  • 2篇氧化钒
  • 2篇氧化铝
  • 2篇氧化铪
  • 2篇蒸发工艺
  • 2篇功耗
  • 2篇铪
  • 1篇单极性
  • 1篇导电
  • 1篇导电机理
  • 1篇电极

机构

  • 7篇天津理工大学

作者

  • 7篇孙文翔
  • 6篇王芳
  • 6篇孙阔
  • 6篇张楷亮
  • 6篇陆涛
  • 6篇王宝林
  • 4篇赵金石
  • 2篇胡曦文
  • 2篇王雨晨
  • 2篇韦晓莹
  • 2篇冯玉林

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于ZnO薄膜阻变存储器的构建及性能的研究
在当前数字化，科技化的信息时代，半导体存储器已经成为日常生活、办公中不可或缺的一部分。然而作为主流非挥发存储的闪存(Flash），在半导体工艺特征尺寸不断缩小的趋势中暴露出越来越多的缺点。其自身结构以及储存机理的缺陷限制...
孙文翔
关键词：氧化锌薄膜导电机理
一种双向限流器件及其制备方法
一种双向限流器件，由下电极、介质层和上电极组成并构成叠层结构，其中介质层为氧化钒薄膜和氧化铜薄膜叠层结构；其制备方法是，首先以硅片为衬底制备二氧化硅绝缘层，再利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层；在Ti粘附层上采用磁控溅射...
张楷亮孙阔王芳王宝林孙文翔陆涛鉴肖川
文献传递
一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法
一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层为氮氧化铪薄膜和金属铪薄膜的叠层结构；其制备方法是分别通过磁控溅射、离子束溅射或电子束蒸发方法依次制...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔韦晓莹王宝林冯玉林赵金石
文献传递
基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔王宝林赵金石胡曦文王雨晨
文献传递
一种双向限流器件及其制备方法
一种双向限流器件，由下电极、介质层和上电极组成并构成叠层结构，其中介质层为氧化钒薄膜和氧化铜薄膜叠层结构；其制备方法是，首先以硅片为衬底制备二氧化硅绝缘层，再利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层；在Ti粘附层上采用磁控溅射...
张楷亮孙阔王芳王宝林孙文翔陆涛鉴肖川
文献传递
基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔王宝林赵金石胡曦文王雨晨
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一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法
一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层为氮氧化铪薄膜和金属铪薄膜的叠层结构；其制备方法是分别通过磁控溅射、离子束溅射或电子束蒸发方法依次制...
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