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唐龙谷
唐龙谷
作品数:
24
被引量:28
H指数:2
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株洲南车时代电气股份有限公司
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相关领域:
电子电信
动力工程及工程热物理
经济管理
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合作作者
陈芳林
株洲南车时代电气股份有限公司
刘可安
株洲南车时代电气股份有限公司
李诚瞻
株洲南车时代电气股份有限公司
吴佳
株洲南车时代电气股份有限公司
蒋华平
株洲南车时代电气股份有限公司
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唐龙谷
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焊层空洞对IGBT模块热应力的影响
被引量:15
2014年
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良和疲劳失效的主要原因之一。考虑芯片场环区的影响,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型;研究了不同焊层厚度、焊层空洞率和空洞位置对模块最高结温与最大等效应力的影响;探讨了焊层空洞对模块瞬态热阻抗的影响。
吴煜东
常桂钦
彭勇殿
方杰
唐龙谷
李继鲁
关键词:
IGBT模块
空洞率
热分析
应力分析
逆导型IGCT补偿性PNP隔离技术研究
随着IGCT器件及应用技术的发展,IGCT器件已成为大功率变流装置的首选器件,而逆导型IGCT器件因为GCT与续流FRD反并联集成在同一个芯片上,可优化装置设计、结构、重量及体积等,被广泛应用与煤矿、冶金、能源等领域。株...
陈芳林
唐龙谷
陈勇民
高建宁
张明
一种功率器件结终端结构与制造方法
本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括:场限环,其间隔设置于最外侧主结的外侧;电荷补偿区,其通过掺杂间隔形成于外延层,所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧...
蒋华平
刘可安
吴煜东
李诚瞻
赵艳黎
吴佳
唐龙谷
文献传递
一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法
本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环,其通过掺杂间隔设置于外延层上;掺杂区,其设置于所述外延层的上方;其中,所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终...
杨勇雄
吴煜东
何多昌
蒋华平
李诚瞻
赵艳黎
吴佳
唐龙谷
文献传递
一种逆导型集成门极换流晶闸管
本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管,包括:GCT、FRD,以及GCT和FRD之间的隔离区。GCT在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区、GCT的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和GCT的P+阳极区。FRD在纵向...
陈芳林
刘可安
唐龙谷
张弦
雷云
文献传递
一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管
本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管,晶闸管包括N-衬底、P基区、P+短基区、N+发射区、门极金属电极和阴极金属电极。N+发射区、P+短基区、P基区、N-衬底依次排布,阴极金属电极设置在N+发射区外...
唐龙谷
冯江华
吴煜东
陈勇民
陈芳林
文献传递
晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法
本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法,该制备方法包括以下步骤:准备N-型衬底,对N-型衬底正面进行选择性P+扩散处理,形成P+短基区。对N-型衬底正面进行P扩散处理,形成P基区。进行N+预沉...
唐龙谷
冯江华
吴煜东
陈勇民
陈芳林
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肖特基势垒二极管及其制造方法
本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法,属于半导体技术领域,解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管,包括:N型碳化硅衬底;位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层;位于所述低掺杂...
李诚瞻
刘可安
吴煜东
杨勇雄
史晶晶
蒋华平
唐龙谷
赵艳黎
吴佳
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一种碳化硅功率器件结终端的制造方法
本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤:步骤1:在外延层上形成牺牲层;步骤2:在牺牲层上制作掩膜,以形成场限环的注入窗口;步骤3:刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分;步骤4...
蒋华平
刘可安
吴煜东
李诚瞻
赵艳黎
吴佳
唐龙谷
文献传递
半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法,耐压终端结构包括:第一掺杂区,以及掺杂浓度相对于第一掺杂区较轻的第二掺杂区。半导体器件耐压终端结构的刻蚀剖面采用连续光滑曲面的台面结构,刻蚀剖面从第一...
吴佳
吴煜东
刘可安
李诚瞻
史晶晶
蒋华平
唐龙谷
赵艳黎
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